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纳米基盘柔软电子素子研究团专利技术
纳米基盘柔软电子素子研究团共有9项专利
使用化学气相沉积的多层石墨烯及其制造方法技术
公开了一种制造多层石墨烯的方法,所述方法包括:(a)使金属基底与非金属元素接触,(b)通过热处理进行还原,以及(c)在含有非金属元素溶解在其中的金属基底上进行石墨烯前体的化学气相沉积,从而制造在金属基底上掺杂有非金属元素的多层石墨烯。在...
制造表面改性的聚合物膜的方法以及制作包含该表面改性的聚合物膜的有机电子器件的方法技术
公开了一种制造表面改性的聚合物膜的方法,所述方法包括通过在具有光致酸产生剂的情况下使聚合物膜经受光照射和表面处理,在所述聚合物膜的表面上形成羟基基团(‑OH)。使用光致酸产生剂可将羟基基团(‑OH)引入聚合物膜,从而在不损害所述聚合物膜...
纳米贴片石墨烯组合物及其制造方法技术
公开了纳米贴片石墨烯组合物,该组合物包含含有缺陷的石墨烯以及设置在该缺陷上的纳米贴片,并且该组合物被配置以使得通过自组装过程在石墨烯表面上形成纳米贴片,从而改善石墨烯组合物的机械性能和耐久性。另外,包含本发明的纳米贴片石墨烯组合物的柔性...
热电器件及其制造方法技术
公开了热电器件,所述热电器件包含柔性基底以及热电材料线;所述柔性基底具有锯齿形构造,其中,该锯齿形构造的一个表面的长度方向上的垂直横截面包含峰和谷;所述热电材料线位于该柔性基底上并被配置成包含交替且连续地设置的n型热电材料和电极材料中的...
具有垂直层叠结构的3D静态RAM核心单元以及包含其的静态RAM核心单元组件制造技术
提供了具有垂直层叠结构的3D静态RAM核心单元,所述静态RAM核心单元包括六个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极。所述静态RAM核心单元包括:两个开关薄膜晶体管,每个开关薄膜晶体管连接到位线和字线并选择数据的记录和读取...
用于减小表面应变的柔性基底层压体和包含其的柔性电子器件制造技术
本发明涉及柔性基底层压体,所述柔性基底层压体包含:柔性基底;以及基部材料,所述基部材料处于所述柔性基底的一个表面上并减少所述柔性基底的应变。本发明的柔性基底层压体包含用于减小表面应变的基部材料,以减小表面的剪切应力和表面应变,从而能够使...
石墨烯层压制品及其制备方法技术
本发明涉及石墨烯层压制品,该石墨烯层压制品含有:包含供电子官能团的第一石墨烯层;以及位于所述第一石墨烯层上并含有石墨烯的第二石墨烯层,其中,所述第二石墨烯层与所述第一石墨烯层n掺杂。因此,可对石墨烯掺杂的程度进行控制,而不使石墨烯的透明...
生产具有受控层数的石墨烯的方法以及利用该石墨烯制造电子器件的方法技术
本发明提供了生产石墨烯的方法,该方法包括如下步骤:使金属催化剂与氢气接触(步骤a);使步骤a中的金属催化剂与选自烃类气体、氮气和非活性气体中的至少一种接触(步骤b);以及通过使步骤b中的金属催化剂与氢气和烃类气体接触,在金属催化剂上形成...
利用覆盖构件制造石墨烯的方法和制造包含该石墨烯的电子元件的方法技术
本发明的一个实施方式提供了石墨烯及其制备方法。本发明的制造石墨烯的方法包括如下步骤:(a)在基底上形成金属催化层;(b)向步骤a的金属催化层上引入覆盖构件;以及(c)通过进行化学气相沉积,使石墨烯在步骤b的金属催化层上生长。因此,由于覆...
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