【技术实现步骤摘要】
制造表面改性的聚合物膜的方法以及制作包含该表面改性的聚合物膜的有机电子器件的方法
本专利技术涉及制造表面改性的聚合物膜的方法以及制作包含该表面改性的聚合物膜的有机电子器件的方法。更具体地，本专利技术涉及制造表面改性的聚合物膜的方法，在所述方法中使用光致酸产生剂(photoacidgenerator)将羟基基团(-OH)引入所述聚合物膜，从而在不损害所述聚合物膜的情况下使该聚合物膜的表面改性；本专利技术还涉及制作包含该表面改性的聚合物膜的有机电子器件的方法。
技术介绍
通常，用于有机薄膜晶体管的绝缘膜由无机材料(例如二氧化硅(SiO2)等)或有机材料(例如聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亚胺(PI)等)形成。绝缘体能够与有机半导体形成界面，因此有机半导体的结晶度和形状等可根据绝缘体的界面性质而变化，这在最终的有机薄膜晶体管的器件特性中被认为是关键。对于制作能够在低功率下运行的柔性/可拉伸有机晶体管而言，使用了具有极性的柔性/弹性聚合物的栅极绝缘膜是必不可少的。然而，由于其亲水性的表面性质，具有极性的聚合物绝缘膜抑制有机半...
【技术保护点】
1.一种制造表面改性的聚合物膜的方法，所述方法包括：(a)通过在具有光致酸产生剂的情况下使聚合物膜经受光照射和表面处理，在所述聚合物膜的表面上形成羟基基团(‑OH)。
【技术特征摘要】
2017.12.12 KR 10-2017-01703311.一种制造表面改性的聚合物膜的方法，所述方法包括：(a)通过在具有光致酸产生剂的情况下使聚合物膜经受光照射和表面处理，在所述聚合物膜的表面上形成羟基基团(-OH)。2.如权利要求1所述的方法，在步骤(a)之后，所述方法还包括：(b)在具有羟基基团的所述聚合物膜的表面上形成自组装单层(SAM)。3.如权利要求1所述的方法，在步骤(a)之前，所述方法还包括：(a’)使所述聚合物膜的表面经受UV光照射和臭氧处理。4.如权利要求1所述的方法，其中，在步骤(a)之前，所述聚合物膜通过旋涂、浸涂和喷涂中的任一种工艺制造。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物膜包含选自如下中的至少一种：聚(乙烯醇)、聚(4-乙烯基苯酚)、聚(氯乙烯)、聚异戊二烯、聚(氯丁二烯)(PCP)、聚(丙烯腈-丁二烯)、聚(苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯)、聚(苯乙烯-丁二烯)、聚丙烯酰胺、尼龙、聚(乙酸乙烯酯)、聚(顺丁二烯)、聚(1-萘二甲酸乙烯酯)、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚氨酯、聚(己二酰己二胺)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(苯乙烯)、聚(二甲基硅氧烷)、聚(偏氟乙烯)、聚(叔丁基苯乙烯)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、聚(丙烯腈)、聚(甲醛)、聚(甲基丙烯酸环己酯)、以及CYTOP(环化透明光学聚合物)。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述光致酸产生剂包括选自如下中的至少一种：三苯基锍三氟甲磺酸盐(TPS)、(4-叔丁基苯基)二苯基锍三氟甲磺酸盐、(4-氟苯基)二苯基锍三氟甲磺酸盐、N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸盐(NHN)、三(4-叔丁基苯基)锍三氟甲磺酸盐、双(4-叔丁基苯基)碘鎓全氟-1-丁磺酸盐以及Boc-甲氧基苯基二苯基锍三氟甲磺酸盐。7.如权利要求2所述的方法，其中，所述自组装单层(SAM)包含选自如下中的至少一种：氨基丙基三乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷、甲基三氯硅烷、辛基三氯硅烷(OTS)、十二烷基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、三氯(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)硅烷、五氟苯基三氯硅烷、五氟苯基丙基-三氯硅烷、3-氨基异丙基三乙氧基硅烷、甲氧基硅烷、氯甲基(二甲基)甲氧基硅烷、(3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、二甲基(3-氯丙基)甲氧基硅烷、二乙氧基(异丁基)甲氧基硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵吉元，金镇成，姜普锡，
申请(专利权)人：纳米基盘柔软电子素子研究团，浦项工科大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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