利用覆盖构件制造石墨烯的方法和制造包含该石墨烯的电子元件的方法技术

本发明专利技术的一个实施方式提供了石墨烯及其制备方法。本发明专利技术的制造石墨烯的方法包括如下步骤：(a)在基底上形成金属催化层；(b)向步骤a的金属催化层上引入覆盖构件；以及(c)通过进行化学气相沉积，使石墨烯在步骤b的金属催化层上生长。因此，由于覆盖构件的作用，通过促进金属催化分子在化学气相沉积装置中的聚集并防止金属催化剂的蒸发，能够改进合成的石墨烯的品质(例如透明度)，从而降低金属催化剂表面上的微尺度晶粒边界的尺寸。进而，在化学气相沉积装置的有限空间中合成并有效地大量制造在多种浓度的碳源气体中生长的石墨烯片层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及制造石墨締的方法和制造包含石墨締的电子器件的方法，具体而言， 本专利技术设及通过化学气相沉积使用覆盖构件形成石墨締的方法、W及制造包含由此形成的 石墨締的电子器件的方法。
技术介绍
石墨締是具有平面蜂窝结构的单层薄膜，Wsp2杂化轨道通过碳原子的化学键合 实现该平面蜂窝结构。由于石墨締具有非常高的电导率和柔初性，其作为脆弱且易损坏的 无机材料（例如娃）的替代物而受到关注。 合成石墨締的方法包括机械或化学剥离、化学气相沉积、外延合成、有机合成等。 特别是，化学气相沉积非常适于大的高品质的石墨締层的大量生产。 在目前的情况下，由于用于使石墨締生长的金属催化剂被直接暴露至流动气体， 并且石墨締生长的程度可根据原料气体的浓度而改变，因此化学气相沉积存在问题。在原 料气体浓度过低的情况下，难W合成石墨締。 此外，化学气相沉积引起石墨締在高溫下生长。在运种情况下，随着金属催化剂晶 粒的生长，该晶粒可在晶粒边界处彼此接触。在金属催化剂的晶粒边界处容易形成多层石 墨締，而多层石墨締可损害最终的石墨締片层的透光率。尤其是，由于金属催化剂的粒径很 小并且形成了多个晶粒边界，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造石墨烯的方法，所述方法包括：步骤a，在基底上形成金属催化层；步骤b，向步骤a的所述金属催化层上提供覆盖构件；以及步骤c，通过进行化学气相沉积，使石墨烯在步骤b的所述金属催化层上生长。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵吉元，奉晓琎，
申请(专利权)人：纳米基盘柔软电子素子研究团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR