反应室(100)包括覆盖系统(90)，该覆盖系统位于反应室的腔(101)内，并且包括搁置在腔的下壁上的至少一个下覆盖元件(120)以及搁置在下覆盖元件(120)上的上覆盖元件(130)；下覆盖元件(120)和上覆盖元件(130)界定隔离...

方法用于通过CVD型工艺将具有n型掺杂的碳化硅层沉积到基底的表面上，该基底水平地放置在反应室内的旋转基座上；该旋转基座适于单基底支撑；该方法包括沿着反应室将气体混合物从第一侧引入到第二侧并使气体混合物在内部流动，经过所述反应室的下壁的一...

用于操纵基片(3000)的工具(4000)包括叉(4100)；叉(4100)包括两个臂(4120，4140)，两个臂被配置成在使用时通过接触施加横向力和/或竖直力来直接或间接地夹持或支撑一个或更多个基片(3000)；提供屏蔽件(4500...

一种用于在外延反应器的反应室中支撑基底的装置(420)；装置(420)包括：盘形元件(422)，其具有第一面(422A)和第二面(422B)，第一面(422A)适于在使用装置(420)时向上定位，第二面(422B)适于在使用装置(420...

用于外延反应器(1000)的处理装置(900)包括：用于处理基片的反应室(100)；邻近反应室(100)的用于传送被放置在基片支撑设备上的基片的传送室(200)；至少部分地邻近传送室(200)的被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑...

用于外延反应器(1000)的处理装置(900)包括：用于处理基片的反应室(100)；邻近反应室(100)的用于传送被放置在基片支撑设备上的基片的传送室(200)；至少部分地邻近传送室(200)的被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑...

用于外延反应器(1000)的处理装置(900)包括：用于处理基片的反应室(100)；邻近反应室(100)的用于传送被放置在基片支撑设备上的基片的传送室(200)；至少部分地邻近传送室(200)的被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑...

本申请涉及一种用于外延沉积的反应器(1)及其加热方法。反应器(1)包括承受器(2)和感应器(4)；感应器(4)适于在其被通电时通过电磁感应加热承受器(2)；感应器(4)包括多个匝(41

反应室(100)被用于在基底上沉积半导体材料的层的沉积反应器；反应室包括管(110)，管由石英制成并且具有圆柱形的形状，并且适于在使用中被定位成使得其轴线(111)是竖直的；管(110)具有圆柱形的内部间隙(112)，内部间隙沿着管(1...

反应室(100)被设计用于反应器(100)，反应器用于在基底上沉积半导体材料的层；反应室包括管(110)和注射器(20)以及保持器(30)，管(110)由石英制成并且具有圆柱形或棱柱形的形状并且围绕反应和沉积区；注射器(20)被布置成将...

反应室(100A)用于反应器，用于在基底(62)上沉积半导体材料；反应室沿纵向方向延伸，并包括沿该纵向延伸的反应和沉积区域(10)；该区域(10)由适于通过电磁感应加热的感受器元件(21A、21B、21C、22A、22B、31、32)限...

一种用于在基底上沉积半导体材料层的反应器(100)，包括：反应室(110)、位于反应室内的基座组件(120)以及适于通过电磁感应加热基座组件的加热系统(130)；加热系统(130)包括第一感应器(131)和第二感应器(132)以及适于将...

本发明涉及一种用于外延沉积的反应器(1)的加热方法；反应器(1)包括承受器(2)和感应器(4)；感应器(4)适于在其被通电时通过电磁感应加热承受器(2)；感应器(4)包括多个匝(41‑47)；在承受器(2)从第一温度加热到第二温度期间，...

本发明涉及用于在基底(100)上外延沉积半导体材料的反应器(1)，包括：反应室(2)，其设置有由下壁(21)、上壁(22)和侧壁(23，24)界定的空腔(20)；衬托器(3)，其被定位在所述空腔(20)内部，并且适于在外延沉积期间支撑和...

本发明涉及一种基座，该基座包括盘形部分(21)和柱形或锥形部分(22)；盘形部分(21)用于(直接或间接)在外延沉积反应器的反应室内支撑一个或更多个待经受外延沉积的衬底；柱形或锥形部分(22)用于促进盘形部分(21)的加热；由于基座的构...