【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
专利
本专利技术涉及一种具有“覆盖系统(covering system)”的用于外延反应器的反应室和相关的反应器。室壁的(非接触)“覆盖系统”用来界定在反应室的腔内部并且隔离的空间。技术现状本申请人是以编号wo2010119430公开的国际专利申请的所有者，该国际专利申请涉及具有覆盖系统的用于外延反应器的反应室。反应室设置有由四个壁围绕的盒状腔(box-shaped cavity)，其中发生半导体材料在基底(substrate)上的反应和沉积过程；基底被放置在旋转的基座盘(rotating susceptor disc)上。反应室包括位于腔内的覆盖系统，该覆盖系统界定了在腔内的内部空间以及也在腔内的外部空间。覆盖系统由三个元件构成，这三个元件是第一竖直相对壁(first vertical counter-wall)和上部及第二竖直相对壁，它们形成倒“u”形的板，该板搁置在反应室的下壁上。术语“相对壁”在该专利申请中意指位于距参考壁一定距离处并且不与参考壁接触的壁，在参考壁和相对壁之间具有空腔，反应器以这样的方式制成，使得通常在腔中存在气体，并且特别是在反应和沉积过程期间在腔中存在气体，特别是工艺气体或惰性气体，这取决于位置和实施例。
技术介绍
技术实现思路
0、概述
1、根据本文中以其整体提及的wo2010119430的解决方案是简单且有效的解决方案，但是由于没有提供下相对壁，因此产生了反应室的内部“部分覆盖”。
2、本专利技术的总体目标是改进现有技术。
<...【技术保护点】
1.用于外延反应器的反应室(100)，所述室(100)设置有腔(101)，在所述腔(101)中发生半导体材料在基底上的反应和沉积过程，并且所述室(100)包括位于所述腔(101)内的覆盖系统(90)，
2.根据权利要求1所述的反应室(100)，
3.根据权利要求2所述的反应室(100)，
4.根据权利要求1或2或3所述的反应室(100)，
5.根据权利要求4所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)仅借助于支脚(112)直接搁置在所述腔(101)的所述下壁(105)上。
6.根据权利要求4或5所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)呈矩形平板(117)的形式。
7.根据权利要求4或5或6所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)由透明石英制成。
8.根据权利要求4或5或6或7所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)包括彼此机械联接的两个件，特别地，其中相对于反应气体流动方向，所述两个件中的第一个件位于上游，并且所述两个件中的第二个件位于下游。p>
9.根据权利要求4或5或6或7或8所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)具有中心孔(114)，所述中心孔(114)适于基底支撑基座(150)的旋转轴(154)的通过。
10.根据前述权利要求1至9中任一项所述的反应室(100)，其中所述上覆盖元件(130)呈矩形平板的形式，优选地具有在所述平板的两个相对的边缘处的两个肩部(132)。
11.根据权利要求10所述的反应室(100)，其中所述上覆盖元件(130)由透明石英制成。
12.根据权利要求10或11所述的反应室(100)，其中所述上覆盖元件(130)由单个件构成。
13.根据前述权利要求1至12中任一项所述的反应室(100)，其中所述下覆盖元件(120)呈矩形平板的形式，优选地具有对应于所述平板的至少一些边缘的肩部(122、123)。
14.根据权利要求13所述的反应室(100)，其中所述下覆盖元件(120)由不透明石英制成。
15.根据权利要求13或14所述的反应室(100)，其中所述下覆盖元件(120)包括彼此机械联接的两个件，特别地，其中考虑到反应气体流动方向，所述两个件中的第一个件位于上游，并且所述两个件中的第二个件位于下游。
16.根据权利要求13或14或15所述的反应室(100)，其中所述下覆盖元件(120)具有中心孔(124)，所述中心孔(124)适于接纳基底支撑基座(150)的盘(152)。
17.根据权利要求15或16所述的反应室(100)，其中所述下覆盖元件(120)具有在所述平板的两个相对的边缘处的肩部(122)和/或在所述中心孔(124)处的肩部(123)。
18.用于外延反应器的反应室的内覆盖元件(110、120、130)，所述元件被配置成作为根据前述权利要求1至17中任一项所述的反应室的所述覆盖系统(90)的部件。
19.根据权利要求18所述的内覆盖元件(110、120、130)，所述元件完全由石英制成。
20.外延反应器，包括至少一个根据前述权利要求1至17中任一项所述的反应室。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.用于外延反应器的反应室(100)，所述室(100)设置有腔(101)，在所述腔(101)中发生半导体材料在基底上的反应和沉积过程，并且所述室(100)包括位于所述腔(101)内的覆盖系统(90)，
2.根据权利要求1所述的反应室(100)，
3.根据权利要求2所述的反应室(100)，
4.根据权利要求1或2或3所述的反应室(100)，
5.根据权利要求4所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)仅借助于支脚(112)直接搁置在所述腔(101)的所述下壁(105)上。
6.根据权利要求4或5所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)呈矩形平板(117)的形式。
7.根据权利要求4或5或6所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)由透明石英制成。
8.根据权利要求4或5或6或7所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)包括彼此机械联接的两个件，特别地，其中相对于反应气体流动方向，所述两个件中的第一个件位于上游，并且所述两个件中的第二个件位于下游。
9.根据权利要求4或5或6或7或8所述的反应室(100)，其中所述基部覆盖元件(110)具有中心孔(114)，所述中心孔(114)适于基底支撑基座(150)的旋转轴(154)的通过。
10.根据前述权利要求1至9中任一项所述的反应室(100)，其中所述上覆盖元件(130)呈矩形平板的形式，优选地具有在所述平板的两个相对的边缘处的两个肩部(132)。
11.根据权利要求10所述的反应室(100...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯瑞尼瓦斯·亚拉加达，西尔维奥·佩雷蒂，弗朗西斯科·科里亚，斯特凡诺·波利，
申请(专利权)人：洛佩诗公司，
类型：发明
国别省市：
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