【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有间隙和下部封闭元件的用于沉积反应器的反应室和反应器专利
本专利技术涉及一种具有间隙和下部封闭元件的用于沉积反应器(depositionreactor)的反应室以及使用该反应室的反应器。技术现状反应器的反应室在反应温度(在反应室内部)较高时需要被冷却。这尤其适用于例如用于在基底(substrate)(有时被称为“晶种(seed)”)上沉积半导体材料的层的反应器，其中反应温度在硅的外延沉积的情况下可以是例如800℃-1200℃，并且在碳化硅的外延沉积的情况下可以是例如1600℃-3000℃；沉积的结果可以是例如(厚度或多或少的)层或晶块(ingot)(即长晶体)。期望的是，反应室的壁被有效地且均匀地冷却。此外，期望的是，冷却系统可靠地操作，即不会出故障。本申请人已经将注意力集中在包括管的反应室上，该管由石英制成并且具有圆柱形的形状，并且适于在使用中被定位成使得其轴线是竖直的；特别地，本申请人将注意力集中在大尺寸的室(例如，直径大于50cm且高度大于100cm)。这些室特别地被用于以...
【技术保护点】
1.一种用于反应器(1000)的反应室(100)，所述反应器(1000)用于在基底上沉积半导体材料的层，所述反应室(100)包括管(110)，所述管(110)由石英制成并且具有圆柱形的形状，并且适于在使用中被定位成使得其轴线(111)是竖直的，其中所述管(110)具有圆柱形的内部间隙(112)，所述间隙沿着管(110)的整个长度延伸并且适于容纳流动的液体；所述室(100)还包括环形的封闭元件(120)，所述环形的封闭元件(120)由石英制成并且固定到所述管(110)的第一下端，以便封闭所述间隙(112)，防止在底部处液体从所述间隙流出；其中，在顶部处，所述封闭元件(120)...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190109 IT 1020190000002351.一种用于反应器(1000)的反应室(100)，所述反应器(1000)用于在基底上沉积半导体材料的层，所述反应室(100)包括管(110)，所述管(110)由石英制成并且具有圆柱形的形状，并且适于在使用中被定位成使得其轴线(111)是竖直的，其中所述管(110)具有圆柱形的内部间隙(112)，所述间隙沿着管(110)的整个长度延伸并且适于容纳流动的液体；所述室(100)还包括环形的封闭元件(120)，所述环形的封闭元件(120)由石英制成并且固定到所述管(110)的第一下端，以便封闭所述间隙(112)，防止在底部处液体从所述间隙流出；其中，在顶部处，所述封闭元件(120)具有面向所述间隙(112)的环形凹部(122)，使得所述流动的液体能够在所述底部处到达所述凹部(122)；
此外，所述室(100)包括所述间隙(112)内部的一组内部导管(130)，所述内部导管(130)优选地由石英制成，其中所述内部导管(130)从所述管(110)的第一下部区域延伸直到所述管(110)的第二上部区域，以便于所述流动的液体在所述间隙(112)中的循环。
2.根据权利要求1所述的反应室(100)，其中，所述凹部(122)的宽度对应于在所述封闭元件(120)的与所述管(110)接触的第一区域处的所述间隙(112)的宽度。
3.根据权利要求1或2所述的反应室(100)，其中，所述凹部(122)的径向横截面轮廓包括圆弧，所述圆弧具有不同的半径，特别是在所述凹部(122)的底部(124)处的第一半径和在所述凹部(122)的侧部(125、126)处的大于所述第一半径的第二半径。
4.根据权利要求1或2或3所述的反应室(100)，其中，所述凹部(122)的径向横截面轮廓使得所述凹部(122)的第一侧部(126)和所述凹部(122)的第二侧部(125)终止于不同的水平高度。
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗西斯科·科里亚，D·克里帕，毛里利奥·梅斯基亚，西尔维奥·佩雷蒂，徳田雄一郎，
申请(专利权)人：洛佩诗公司，株式会社电装，
类型：发明
国别省市：意大利;IT
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