本发明公开了一种采用光电法产生入射电子源的电子倍增器测试系统，属于电子倍增器增益电流测试领域。所述系统包括：第一工作台、第一移动导轨、紫外灯架、紫外灯、滤光片架、滤光片、透紫玻璃窗、绝缘台、固定台、光阴极架、光阴极、第二工作台、第二移动...

本发明涉及一种针对空间等离子体环境中，卫星材料表面静电放电脉冲特性的测量装置和方法，属于测试领域。所述装置包括电子枪、真空室、真空抽气系统、接地金属板、参考脉冲信号接收天线、阵列化的脉冲信号接收天线、频谱仪；所述方法包括将卫星表面材料样...

本发明涉及11.4～12.5μm透过长波红外滤光片及制备方法，属于光学薄膜技术领域。该滤光片包括锗基底和长、短波通膜系；长波通膜系结构为（0.5hl0.5h）^9（0.574l1.148h0.574l）^5（0.36h0.72l0.36...

本发明涉及一种星用介质材料辐射诱导电导率的测试装置及方法，适用于卫星内带电效应评价中较厚介质材料辐射诱导电导率的测试，属于测试领域。所述装置包括屏蔽箱体、60Co辐照源、抽真空系统，上电极板、下电极板、样品台、静电计和稳压源、钛窗、真空...

本发明涉及空间应用技术，具体地说是一种介质材料电导率测试装置及方法。所述装置包括绝缘容器、上电极、电极环、下电极、接地电极、第一电极、第二电源、微电流计、第一电源；所述方法包括打开第一电源，给第一电极施加电压；打开第二电源，给上电极施加...

本发明涉及10.3～11.3μm透过长波红外滤光片及制备方法，属于光学薄膜技术领域。该滤光片包括锗基底和长、短波通膜系；长波通膜系结构为（0.5hl0.5h）^9（0.574l1.148h0.574l）^5（0.36h0.72l0.36...

本发明涉及一种8～8.4μm透过的长波红外滤光片及制备方法，属于光学薄膜技术领域。该滤光片包括锗基底、基底一侧长波通膜系和另一侧短波通膜系；长波通膜系结构为：（0.5lh0.5l）^10（0.57l1.14h0.57l）^6，中心波长为...

本发明涉及一种8.4～8.8μm透过的长波红外滤光片及制备方法，属于光学薄膜技术领域。该滤光片包括锗基底、基底一侧长波通膜系和另一侧短波通膜系，长波通膜系结构为：（0.5lh0.5l）^10（0.57l1.14h0.57l）^6，中心波...

本发明涉及1.55～1.75μm通过短波红外滤光片及制备方法，属于表面技术领域。该滤光片包括硅基底、基底两侧的长、短波通膜系；长波通膜系结构为（0.5hl0.5h）^10，中心波长1250nm；短波通膜系结构为（0.5lh0.5l）^1...

本发明涉及可见近红外谱段反射和红外多谱段透过分色片及制备方法，属于表面技术领域。该分色片包括硒化锌基底及基底一侧膜系；膜系结构为（0.3h0.6l0.3h）^10（0.38h0.76l0.38h）^10（0.5hl0.5h）^12，中心...

本发明涉及一种高轨星用材料带电效应地面模拟试验装置及方法，属于测量领域。所述装置包括屏蔽室、真空室、电子加速器、屏蔽壳、等离子体源、样品台、绝缘垫、真空抽气系统、三维传动机构、示波器、脉冲电流探针、非接触电位计、摄像头，以及可调电源。所...

本发明公开了一种采用光电法产生入射电子源的电子倍增器测试装置，属于电子倍增器增益电流测试领域。所述装置包括：第一工作台、第一移动导轨、紫外灯架、紫外灯、滤光片架、滤光片、透紫玻璃窗、绝缘台、固定台、光阴极架、光阴极、第二工作台、第二移动...

本发明公开了一种真空高低温下谐波减速器精度测试装置，属于空间驱动机构测试领域。所述装置包括：驱动电机、驱动电机支架、输入端角度传感器、第一传感器支架、第一磁流体密封轴、真空室、被测试件、被测试件支架、第二磁流体密封轴、第二传感器支架、输...

本发明公开了一种谐波减速器真空高低温效率测试装置，属于空间驱动机构测试领域。所述装置包括：驱动电机、驱动电机支架、输入端力矩传感器、第一传感器支架、真空室、第一磁流体密封轴、被测试件、被测试件支架、第二磁流体密封轴、输出端力矩传感器、第...

本发明公开了一种获得红外带通滤光片低温光谱位置漂移量的方法，属于低温测试领域。所述方法包括红外带通滤光片的控温、红外透射光谱的测试、光谱位置漂移量的计算三个步骤。所述方法基于常温至液氮温度下的透射光谱，液氮温度下的测试具有简单直接的优点...

本发明涉及一种用于低温罩地面加注液氮时的防霜隔热装置及方法，属于低温液体加注领域。所述装置包括氮气钢瓶、氮气减压阀、稳压阀、气路转换开关、测温仪、气缸、热电偶、防霜罩、低温罩、电子秤、加注阀、液氮供应容器、氦气调压阀、氦气钢瓶；其中防霜...

本发明公开了一种二次电子发射薄膜的制备方法，具体为一种以不锈钢为基片采用磁控溅射技术沉积二次电子发射薄膜的制备方法，属于功能薄膜制备领域。所述方法包括清洁真空室、清洗基底、装基片、真空室抽真空、等离子体清洗靶材和二次电子发射薄膜沉积六个...

本发明涉及一种射频磁控共溅射制备二次电子发射功能薄膜的方法，属于功能薄膜制备领域。所述方法具体包括清洁真空室、清洗基片、装基片、真空室抽真空、等离子体清洗靶材和二次电子发射薄膜沉积六个步骤。采用所述方法制备的二次电子发射薄膜不但具有高的...

本发明公开了一种提高长波红外光学薄膜与锗基片附着力的方法，属于光学薄膜领域。所述方法包括基片的清洗、离子束轰击活化基片、过渡层的镀制、长波红外光学薄膜的镀制几个步骤。所述方法整个过程工艺稳定，重复性好，操作简便，可操作性强。采用所述方法...

本发明涉及一种双向槽道并联式端框制冷装置，属于低温制冷领域。所述装置包括四层框体和夹片，每层框体均在一面上刻有镜像对称的“匚”字形冷却剂槽道，其中第一层框体刻有槽道的一面朝下，第二、三、四层框体刻有槽道的一面朝上；所述夹片位于第一层和第...