一种半导体光放大器集成激光器，包括振荡具有包括在增益带中的波长的激光的半导体激光振荡器部分和放大从半导体激光振荡器部分输出的激光的半导体光放大器部分。半导体激光振荡器部分和半导体光放大器部分具有一个共用的p‑i‑n结构，该共用的p‑i‑...

本文描述的一些实施方式提供了一种边模抑制比(SMSR)产率优异的半导体激光器。半导体激光器包括：衬底；台面结构，其形成在所述衬底上以包括衍射光栅层和有源层，所述衍射光栅层包括相移部分；窗口结构，其布置在所述台面结构的在所述台面结构的纵向...

多个光信号布置在频率间隔为Δf的光频率网格上，波长复用光信号包括至少一个特定布置信号组，该特定布置信号组包括Q个S信号和R个P信号，其中Q是1或更大的整数，R是1或更大的整数。包括在特定布置信号组中的任何一对S信号之间的频率差不同于所有...

一种光学半导体器件，包括衬底、形成在衬底上并包括光学功能层的半导体多层、形成在半导体多层上的绝缘膜和形成在绝缘膜的一部分上的电极。绝缘膜覆盖除了半导体多层和电极彼此电连接的区域之外的半导体多层。绝缘膜的与电极重叠的区域的至少一部分比绝缘...

一种半导体光学设备，包括：下台面结构，所述下台面结构以条带形状延伸并且由包括活性层的一些层组成；掩埋层，所述掩埋层被配置为掩埋所述下台面结构的两侧并且由磷化铟制成；以及上台面结构，所述上台面结构以条带形状延伸并且由一些层组成，所述一些层...

一种半导体激光器，包括：多量子阱层，其在台面结构中；掩埋层，所述掩埋层包括半绝缘半导体，所述掩埋层与所述台面结构的两侧中的每一侧接触；第一包覆层，其具有第一导电类型，所述第一包覆层具有比所述多量子阱层更低的折射率；高折射率层，其被配置为...

一种半导体光接收元件，包括:半导体衬底；第一导电类型的高浓度层，形成在半导体衬底上；第一导电类型的低浓度层，形成在第一导电类型的高浓度层上并与第一导电类型的高浓度层接触；第二导电类型的低浓度层，被配置为与第一导电类型的低浓度层一起形成P...

为了提供具有优异长期可靠性的光学半导体器件，光学半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的台面结构；与台面结构的两侧接触设置的半导体掩埋层；以及包含金的电极，其设置在半导体掩埋层上方。台面结构包括第一导电类型半导体层、多量子阱层和第二导电类型...

一种半导体发光器件，包括在顶面上具有单端传输线的微带衬底，其中单端传输线从第一端部延伸到第二端部，微带衬底在底面上具有接地平面，并且接地平面与导电图案相对并结合。单端传输线包括第一部分和第二部分，其中第二部分从第一部分延伸并包括第二端部...

一种光学半导体设备，包括:具有突起的半导体基板，该突起形成以条纹形状沿第一方向延伸的台面条纹结构的下端部分；在突起上以条纹形状沿第一方向延伸的多量子阱层，其中多量子阱层形成台面条纹结构的中间部分；在中间部分上以条纹形状沿第一方向延伸的半...

一种差分电路板，包括具有第一和第二表面的电介质层、具有第一线宽的第一导体线、具有小于第一线宽的第二线宽的第二导体线，以及接地导体。电介质层具有在第一和第二表面之间具有第一厚度的第一部分和在第一和第二表面之间具有小于第一厚度的第二厚度的第...

一种光学半导体器件，包括:多量子阱层，包括彼此交替重叠的一些阱层和一些势垒层；光学约束层；以及插置在多量子阱层和光学约束层之间的引导层。每个势垒层是未掺杂层，最外层是势垒层中的一个。光学约束层的折射率大于最外层的折射率，带隙小于最外层的...

一种半导体光放大器集成激光器，包括振荡具有包括在增益带中的波长的激光的半导体激光振荡器部分和放大从半导体激光振荡器部分输出的激光的半导体光放大器部分。半导体激光振荡器部分和半导体光放大器部分具有一个共用的p‑i‑n结构，该共用的p‑i‑...

一种掩埋型半导体光学装置，包括：半导体基板；台面条带部分，包括在半导体基板上的多量子阱层；掩埋层，由第一部分和第二部分组成，第一部分覆盖台面条带部分的一侧，第二部分覆盖所述台面条带部分的另一侧，并且第一部分和第二部分覆盖半导体基板的表面...

一种电吸收光调制器包括：由多个层构成的多量子阱，多个层包括交替堆叠的多个量子阱层和多个势垒层，多个量子阱层和多个势垒层包括受体和供体；与多个层中的最上层接触的p型半导体层；以及与多个层中的最下层接触的n型半导体层，多量子阱的p型载流子浓...

一种调制掺杂半导体激光器包括：多量子阱，其由包括交替地堆叠的多个第一层和多个第二层的多个层构成，并且包括受体和供体；p型半导体层，其与多个层中的最上层接触；以及n型半导体层，其与多个层中的最下层接触，所述多个第一层包括所述受体，使得p型...

一种半导体光学器件，可包括半导体衬底；台面条纹结构，其在半导体衬底上沿第一方向以条状延伸，并且包括在顶层上的接触层；相邻层，其在所述半导体衬底上并在与所述第一方向正交的第二方向上与所述台面条纹结构相邻；覆盖至少一部分相邻层的钝化膜；钝化...

一种光学子组件，可包括多个光学半导体器件，该多个光学半导体器件排列成使得分别沿第一方向并行行进的多个光束从其发射或入射在其上。光学子组件还可包括其上安装有多个光学半导体器件的载体。多个光学半导体器件中的相邻光学半导体器件可以位于在与第一...

一种半导体光学元件，其被配置成发射或吸收光，并且包括：具有多量子阱层的下部结构；设置在下部结构上的上部台面结构；设置在上部台面结构上的电流注入结构，当从发射或吸收的光的光轴看时，与上部台面结构接触的电流注入结构的部分的宽度小于上部台面结...

一种掩埋型半导体光学装置，包括具有在第一方向上延伸的一对凹槽的半导体衬底。掩埋层的上表面具有第一区域，该第一区域与台面条带结构相邻，与所述一对凹槽中的相应一个重叠，倾斜成在第二方向上相对于台面条带结构升高，并且在该第一区域上没有形成钝化...