半导体发光器件和光学组件制造技术

一种半导体发光器件，包括在顶面上具有单端传输线的微带衬底，其中单端传输线从第一端部延伸到第二端部，微带衬底在底面上具有接地平面，并且接地平面与导电图案相对并结合。单端传输线包括第一部分和第二部分，其中第二部分从第一部分延伸并包括第二端部。第二部分的特性阻抗低于第一部分。包括导线、光调制器和终端电阻器的负载电路电连接在第二端部和导电图案之间。负载电路的特性阻抗等于或低于第二部分。二部分。二部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件和光学组件


[0001]本公开涉及半导体发光器件和光学组件。

技术介绍

[0002]用于光通信的光调制器可以响应于高频电信号的输入而产生光信号。通常，传输线上的高频电信号质量变差，相应地，光信号也变差。在某些情况下可以使用短结合线来减少高频特性的恶化。
[0003]高频电信号源和传输线可以是单端驱动器中的50Ω端接系统。在许多情况下，光调制器的特性阻抗不是50Ω。这导致特性阻抗与光调制器不匹配，从而产生高频电信号的反射，降低高频电信号的质量，并降低光信号的质量。例如，电/光响应的3dB带宽可以变窄。

技术实现思路

[0004]这里描述的一些实施方式减少了由特性阻抗不匹配而引起的影响。
[0005]在一些实施方式中，半导体发光器件包括:底座，其上表面具有导电图案；光学调制器，其上表面具有上电极，其下表面具有下电极，其中下电极可以与导电图案相对并结合到导电图案；与光调制器并联的终端电阻器；微带衬底，其顶面上具有单端传输线，其中，单端传输线从第一端部延伸到第二端部，其中微带衬底在底面上具有接地平面，并且其中接地平面可以与导电图案相对并结合到导电图案；以及具有一对端部的导线，其中所述一对端部中的一个端部可以结合到光调制器的上电极，并且所述一对端部中的另一个端部可以结合到单端传输线的第二端部。单端传输线包括第一部分和第二部分，其中第二部分从第一部分延伸并包括第二端部。第二部分的特性阻抗可以低于第一部分。包括导线、光调制器和终端电阻器的负载电路可以电连接在第二端部和导电图案之间。负载电路的特性阻抗可以等于或低于第二部分。
[0006]在一些实施方式中，单端传输线的第一部分和第二部分的不同特性阻抗抑制了由特性阻抗与光调制器的不匹配引起的影响。
[0007]在一些实施方式中，光学组件包括半导体发光器件和电连接器，其中电连接器可以电连接到单端传输线的第一端部。
附图说明
[0008]图1是这里描述的示例光学组件的内部配置图。
[0009]图2是示例性底座和安装在其上的示例性部件的平面图。
[0010]图3是图2中结构的III
‑
III截面图。
[0011]图4是光信号对高频电信号的响应特性图(光/电响应特性)。
[0012]图5是示例微带衬底的平面图。
[0013]图6是示例微带衬底的平面图。
[0014]图7是示例光学组件的内部配置图。
[0015]图8是示例微带衬底的平面图。
[0016]图9是示例微带衬底的平面图。
[0017]图10是示例微带衬底的平面图。
[0018]图11是示例微带衬底的平面图。
具体实施方式
[0019]下面参考附图具体描述一些实施方式。在附图中，相同的构件由相同的附图标记表示，并且具有相同或等同的功能，并且省略其重复描述。图形的大小不一定与放大倍数一致。
[0020]图1是示例光学组件的内部配置图。光学组件100可以包含半导体发光器件102，其可以密封在盒状封装104内。光学信号可以通过透镜106和光学连接器108输出到光学组件100的外部。
[0021]光学组件100可以在封装104的与光学连接器108相反的一侧上具有电连接器110。电连接器110可以适于电连接在光学组件100的内部和外部之间，并且，未示出的柔性基板可以连接到光学组件100的外部(封装104的外部)以供电。
[0022]光学组件100可以在封装104的一侧具有高频连接器112。高频连接器112可以电连接光学组件100的内部和外部。它可以是GPPO连接器。高频连接器112可以被配置成接收高频电信号(例如，56Gbps)。
[0023]半导体发光器件102可以具有底座10。底座10可以具有这样的结构，其中陶瓷基板表面被金属化。底座10可以在上表面上具有导电图案12。导电图案12可以处于参考电势(例如，地电势)。
[0024]图2是示例性的底座10和安装在其上的示例性部件的平面图。图3是图2中结构沿III
‑
III的截面图。底座10的整个背面可以金属化。导电图案12和背面的金属膜14可以通过未示出的通孔电连接。底座10的侧表面可以被金属化，从而连接背面的金属膜14和导电图案12。在此，图2的下侧表面可以被金属化。在一些实施方式中，可以省略侧面金属化。
[0025]半导体发光器件102可以具有微带衬底16。微带衬底16可以具有在陶瓷基板的两侧设置电图案的结构。
[0026]微带衬底16可以在底面具有接地平面18。接地平面18可以与底座10的导电图案12相对并结合，从而具有参考电位。焊料或导电粘合剂(未示出)可用于结合。
[0027]微带衬底16可以在顶面上具有单端传输线20。单端传输线20可以从第一端部23延伸到第二端部24。第一端部23和第二端部24可以沿着单端传输线20的长度方向位于微带衬底16的相应端部。在一些实施方式中，单端传输线20可能没有完全到达陶瓷基板的两端。
[0028]单端传输线20可以包括外部连接部分22、第一部分28和第二部分30。微带衬底16可以在顶面上具有一对接地导体26，该对接地导体26可以将单端传输线20的外部连接部分22夹在中间。该对接地导体26可以通过未示出的通孔连接到接地平面18。单端传输线20的一部分、所述一对接地导体26和接地平面18可以包括接地共面线。或者，可以采用没有一对接地导体26的微带线。第一端部23可以在外部连接部分22的区域中。这里，上述接地共面线(grounded coplanar line)可以具有50Ω的线宽，这可以是与外部电信号的驱动系统相同的特性阻抗。这里，单端传输线20在外部连接部分22的区域处的线宽可以与单端传输线20
在第一部分28的区域处的线宽相同(示出)，或者线宽可以不同。然而，在一些实施方式中，单端传输线20在外部连接部分22和第一部分28之间的连接点处的线宽是匹配的。外部连接部分22处的单端传输线20的第一端部23和所述一对接地导体26可以电连接到高频连接器112(如图1所示)，其中，导线W1用于连接。具体地，导线W1可以是GSG线，信号线可以连接到单端传输线20的第一端部23，而一对接地线可以分别连接到所述一对接地导体26。
[0029]单端传输线20可以包括第一部分28。第一部分28可以具有均匀的宽度，并且可以线性延伸。换句话说，第一部分28可以是与导线W1不连接的区域，并且可以以均匀的宽度线性伸长。利用第一部分28下方的接地平面18，可以构成微带线(microstrip line)。第一部分28可以设置为50Ω，这可以是构成上述接地共面线的外部连接部分22的相同特性阻抗。第一部分28可以不包括第一端部23。或者，在没有外部连接部分22的情况下，可以连接高频连接器112和第一部分28。在这种情况下，可连接导线W1的区域可以是外部连接部分22；单端传输线20从该区域以均匀宽度线性延伸的区域可以是第一部分2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件，包括:底座，底座的上表面具有导电图案；光调制器，其上电极在光调制器的顶面，下电极在光调制器的底面,其中下电极与所述导电图案相对并结合到所述导电图案；终端电阻器，其与光调制器并联；微带衬底，微带衬底的顶面具有单端传输线，其中单端传输线从微带衬底的第一端部延伸到第二端部，其中微带衬底在微带衬底的底面具有接地平面，接地平面与导电图案相对并结合到导电图案；和导线，其有一对端部，所述一对端部中的一个端部结合到所述光调制器的上电极，并且所述一对端部中的另一个端部结合到所述单端传输线的第二端部，其中:单端传输线包括第一部分和第二部分，其中，第二部分从第一部分延伸并且包括所述第二端部，并且其中，第二部分的特性阻抗低于第一部分，负载电路，其包括所述导线、光调制器和终端电阻器，所述负载电路电连接在第二端部和导电图案之间，并且，所述负载电路的特性阻抗等于或低于第二部分。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中:单端传输线包括连接到第一部分的外部连接部分，并且外部连接部分包括第一端部，并且微带衬底具有在微带衬底的顶面的一对接地导体，其中，所述一对接地导体将单端传输线的外部连接部分夹在中间，并且其中，微带衬底部分构成接地共面线。3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括半导体激光器，其中，光调制器和半导体激光器二者单片集成在光半导体器件中。4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光调制器的顶面在高度上等于所述微带衬底的顶面。5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一部分以均匀的宽度线性延伸。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二部分具有比所述第一部分宽的宽部。7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述宽部具有逐渐增加的宽度。8.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中所述宽部包括所述第二端部。9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一端部和所述第二端部位于沿着所述单端传输线的长度方向的所述微带衬底的相应端部，并且在垂直于所述长度方向的宽度方向上彼此移位。10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：足立光一朗，
申请(专利权)人：朗美通日本株式会社，
类型：发明
国别省市：