莱博德光学有限责任公司专利技术

莱博德光学有限责任公司共有21项专利

  • 测试玻璃更换
    一种真空镀膜系统中用于光学测量膜特性的测试玻璃更换器,其具有能够移动的基片座(2),用于将至少一个基片引入通过至少一个镀膜材料流的路径,具有用于至少一个测试玻璃元件的底座(6),其刚性地连接至旋转轴(4)并且能够相对于基片座(2)围绕旋...
  • 本发明涉及用于在塑料基底(20)的表面(21)上制造减反射层的设备(1)。设备包括第一溅射装置(3),用于将基底层(22)施加至塑料基底(20)的表面(21);等离子体源(4),用于对涂布的基底表面(21)进行等离子体蚀刻;以及第二溅射...
  • 本发明涉及一种用于涂布基材(20)表面(21)的装置(1)。该装置包括加工室(2),加工室带有用来产生涂层粒子(19)的粒子源(3),涂层粒子在操作过程中—除了所希望的对基材表面的涂布外—还沉积在加工室(2)的内壁(5)上,并且沉积在设...
  • 本发明涉及一种用于处理平面基板的反应器,其具有真空室(11)、处理腔(9),设置第一电极(5)和对电极(7)以用于产生离子体和形成该处理腔的两对置的壁,以及将气态材料引入(19,23,25)处理腔和从处理腔排出的装置,其中该基板(3)可...
  • 本发明涉及用于热处理基板(20)的热处理内腔(3),其具有包围热处理内腔(3)的内部空间(24)的腔壁(10),具有用于在热处理期间支承基板(20)的支承装置(8)及具有用于将能量引入热处理内腔(3)的内部空间(24)中的能量源(11)...
  • 本发明涉及一种闸门装置,其用于在一个第一接受器和一个第二接受器之间的壁中设置的闸门开口,所述闸门装置具有一个设置在第一接受器的内腔中的闭锁机构和一个配属于该闭锁机构的配对板,其中在配对板的一个区域中设置一个第一磁体机构并且在闭锁机构的一...
  • 本发明涉及用于平面基材(10)的热处理的处理室(20,21,21′)。处理室(20,21,21′)包括用于在热处理过程中输送和存放基材(10)的输送装置(25,25′)和用于对流加热或对流冷却该基材(10)的气体供给机构(30,30′)...
  • 一种利用清洁气体清洁在等离子处理室内部区域中配置的至少一个组件的方法,所述清洁气体包括氟气,其中所述处理室具有至少一个电极和对应电极来生成等离子体用于等离子体处理,特别是用于对表面积大于1m2的平面基底进行CVD-或者PECVD-处理,...
  • 在用于产生等离子体射束的方法中,该等离子体射束被这样从一个由电场和磁场产生的等离子体中这样引出,使得一个高频电压被施加到一个引出电极和一个具有激励面的激励电极的高频电极装置上并且该等离子体相对引出电极在时间平均中位于一个较高的、被等离子...
  • 本发明涉及用于在真空涂覆设备(3)的涂覆室(1)内选择性涂覆和光学检测试验玻片(24,24″)的试验玻片更换系统(10)。在该涂覆室内,借助活动的转台(2)使基片(7)位于涂覆材料流所经过的路径上。该试验玻片更换系统(10)具有试验玻片...
  • 本发明涉及光学镀层(3,3’),所述镀层在可见光区至近紫外光区(即,直到220nm的波长)的光谱范围内具有高折射率和良好的光学特性(即,低吸收和散射)以及低的内应力。根据本发明的镀层(3,31)由含有铪或锆的氧化物HfxSiyOz或Zr...
  • 本发明涉及制造在介电基片(12)上的层系统的方法,其中用涂镀步骤(110)将金属层(14)施加于基片(12)上,并随后用另一涂镀步骤(140)将另一层(24)以预定的厚度施加于基片上,其中所述金属层(14)具有>10MOhm的方块电阻以...
  • 本发明涉及一种用于处理平面基板的反应器,其具有真空室(11)、处理腔(9),设置第一电极(5)和对电极(7)以用于产生离子体和形成该处理腔的两对置的壁,以及将气态材料引入(19,23,25)处理腔和从处理腔排出的装置,其中该基板(3)可...
  • 在包括第一处理辊和至少一个处理源的第一处理室和包括第二处理辊和至少一个处理源的第二处理室内真空处理尤其是真空涂覆带状基材的正面的至少一个区域的处理设备中规定,具有在第一和第二处理室之间设置的移送室,它与两个处理室相连并且可在压力方面与其...
  • 在按本发明的工艺系统中,通过至少两个相互隔开布置的激励器构成了具有所属的缝隙区域的激励器对,其中在该缝隙区域中设有支承转子的有源磁性支承,其中该工艺系统具有用于在输送线路(T)上输送基片(23)的装置,其中该装置具有一个支承模块和一个驱...
  • 本发明涉及一种闸门装置,其用于在一个第一接受器和一个第二接受器之间的壁中设置的闸门开口,所述闸门装置具有一个设置在第一接受器的内腔中的闭锁机构和一个配属于该闭锁机构的配对板,其中在配对板的一个区域中设置一个第一磁体机构并且在闭锁机构的一...
  • 本发明涉及高频等离子体射束源(1),带有:等离子体室(3);电气装置(8、9),将电压施加在该高频等离子体射束源(1)上,以激发和维持该等离子体;从等离子体空间(3)引出等离子体射束(I)的装置(4);以及用引出网格(4)与真空室(7)...
  • 在用于在一个真空室中借助于一种可运动的中间电极机构(1)将材料进行雾化的装置,该中间电极机构包括至少一个可以在一个平面中进行运动的平坦的、可切换为阴极的中间电极(2),该装置具有一个静止的中间电极环境(16)、一个配设于该中间电极机构的...
  • 本发明涉及建立一个用于连续研究例如基因材料的有效工作的分析设备。优选使用的方法是荧光方法或发光方法。因此必需有较好的信噪比,即检测器避开激光并且辐射光尽可能集中在检测器上。本发明为此预先规定用于有待研究的样品的载体,其具有一个光学有效层...
  • 本发明提供一种带状基底镀覆装置,该基底能在运动方向(X)上相对蒸发器组运动,蒸发器组具有多个可被加热的蒸发舟(9,9’,10,10’),所述多个蒸发舟相互紧邻地布置在蒸发器组中,蒸发舟的纵轴线相对运动方向(X)成一个角度(α,α’;β,...