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昆山维信诺显示技术有限公司专利技术
昆山维信诺显示技术有限公司共有258项专利
苯并噻吩类衍生物及其在有机电致发光领域中的应用制造技术
本发明涉及一类如式(I)所示的化合物,其中:R1、R2独立地选自C4~C30的取代或非取代的芳胺基团、C4~C40的取代或非取代的咔唑基团、C4~C40的取代或非取代的苯并噻吩基团、C4~C40的取代或者非取代苯并呋喃基团的其中之一;L...
萘并二噻吩类衍生物有机电致发光材料及其应用制造技术
本发明提供了一种新型化合物,其结构用式(I)、(II)、(III)和(IV)表示。其中Ar1Ar6选自C1~C20脂肪族烷基、C4~C30的芳环、C4~C30的芳杂环、C4~C30的稠合杂环芳烃、C4~C30的芳氨基或三芳氨基、或C4~...
一种6-三甲苯基-6H-6-硼杂苯并[cd]芘衍生物及其应用制造技术
本发明涉及一类如式(1)所示的化合物,其中:n为1或者2;R1--R5彼此相同或者不同,并且各自独立地选自H原子或C1-C20的脂肪族直链或支链烃基或芳香族基团;Ar为芳香基团;A为N原子或者CH;L为单键或者选自C4-C10的芳环或芳...
苯并二噻吩类衍生物有机电致发光材料及其应用制造技术
本发明提供了一种新型化合物,其结构用式(I)、(II)、(III)和(IV)表示。其中Ar1~Ar6选自C1~C20脂肪族烷基、C4~C30的芳环、C4~C30的芳杂环、C4~C30的稠合杂环芳烃、C4~C30的芳氨基或三芳氨基、或C4...
一种6,6-二甲基-6H-苯并[cd]芘衍生物及其应用制造技术
本发明涉及一种6,6-二甲基-6H-苯并[cd]芘衍生物,一类如式(1)所示的化合物,其中:n为1或者2;R1-R5是Ar上的不同位置的五个取代基,彼此相同或者不同,并且各自独立地选自H原子、C1-C20的脂肪族直链或支链烃基、C1-C...
一种6H-萘并[2,1,8,7-klmn]吖衍生物及其应用制造技术
本发明涉及一类如式(1)所示的化合物,其中:n为1或者2;Ar1和Ar2彼此独立地为芳基或杂芳基;R1-R5为Ar2上的不同位置的五个取代基,彼此相同或者不同,并且各自独立地选自H原子、C1-C20的脂肪族直链或支链烃基、芳香族基团;A...
一种喹啉[7,8-h]喹啉类化合物及其应用制造技术
本发明涉及一类如式(1)所示的化合物,其中:n为1或者2;R1-R5是Ar上的不同位置的五个取代基,彼此相同或者不同,并且各自独立地选自H原子、C1-C20的脂肪族直链或支链烃基、芳香族基团;Ar为芳香基团;A为N原子或者CH;L为单键...
光取出部件及应用其的有机电致发光器件及制备方法技术
本发明提供一种光取出部件及其制备方法,所述光取出部件包括高折射率透明基片和成型在所述高折射率透明基片表面的光取出层。高折射率透明基片的折射率固定,可以有效消除有机层至基片的全反射,光取出层可以通过改变全反射光路,提高光取出率,结构简单、...
具有高光取出率的有机电致发光显示器件及其制备方法技术
本发明提供一种具有高光取出率的有机电致发光显示器件及其制备方法,该有机电致发光器件包括透明基板、第一透明电极、有机功能层、第二电极,以及在每个像素单元区域内的透明基板和第一透明电极间对应每个像素单元的区域设置的散射层。所述散射层只分布于...
一种OLED照明装置制造方法及图纸
本发明公开了一种OLED照明装置,包括导电基板和封装片,所述导电基板与封装片之间设有OLED器件,所述OLED器件上引出有辅助电极,所述封装片上对应所述辅助电极的位置设有开孔,所述开孔中穿设有探针,所述探针一端与所述辅助电极电性连接,另...
电子传输层、含该电子传输层的有机电致发光器件及制备制造技术
本发明公开了一种电子传输层,含有式1有机电子传输材料和式2有机电子传输材料,其中式1有机电子传输材料为具有式1结构的化合物中的一种或其两种以上任意组合,式2有机电子传输材料为具有式2结构的化合物中的一种或其两种以上任意组合,式1,式1中...
一种顶发射有机电致发光器件及其制造方法技术
本发明公开了一种顶发射有机电致发光器件,所述顶发射有机电致发光器件的阴极层上镀覆有覆盖层,其中,所述覆盖层为在波长450nm-650nm范围内折射率大于1.8,能隙Eg大于3.0eV的有机材料。本发明还公开了顶发射有机电致发光器件的制备...
有机发光二极管显示器件制造技术
本发明公开了一种有机发光二极管显示器件,包括阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述阴极外侧设有增透层,所述增透层由折射率大于或等于2.4的材料制成。本发明的有机发光二极管显示器件,通过在半透明的金属层上制备一层...
一种含有嘧啶或吡嗪或三嗪基团的苯并蒽衍生物及应用制造技术
本发明提供了一种新型化合物,其结构用式(I)表示。其中R1至R5分别独立选自C1~C20的脂肪族烷基或C6~C20的芳香族基团;Ar选自C4~C30的芳环、C4~C30的含N杂环、C4~C30的稠合杂环芳烃、C4~C30的芳氨基或C4~...
一种含有嘧啶或吡嗪或三嗪基团的苯并茚并芴衍生物及应用制造技术
本发明提供了一种新型化合物,其结构用式(I)表示。其中R1至R5分别独立选自C1~C20的脂肪族烷基或C6~C20的芳香族基团;Ar选自C4~C30的芳环、C4~C30的含N杂环、C4~C30的稠合杂环芳烃、C4~C30的芳氨基或C4~...
一种含有嘧啶或吡嗪或三嗪基团的茚并芴类衍生物及应用制造技术
本发明提供了一种新型化合物,其结构用式(I)表示。其中R1至R5分别独立选自C1~C20的脂肪族烷基或C6~C20的芳香族基团;Ar选自C4~C30的芳环、C4~C30的含N杂环、C4~C30的稠合杂环芳烃、C4~C30的芳氨基或C4~...
一种1,12-亚氨基苯并[c]菲类化合物、中间体及制备方法和应用技术
本发明公开了一种1,12-亚氨基苯并[c]菲类化合物,具有如式(Ⅰ)所示的结构式,其中,Ar1,Ar2,Ar3分别独立地选自C6-C50芳香基、取代C6-C50芳香基或C1-C20烷基。该化合物可用作有机电致发光器件的荧光发光层和磷光发...
电子传输层、含该层的有机电致发光器件及其制备制造技术
本发明公开了一种电子传输层,所述电子传输层为共混材料层,含有有机电子传输材料及有机金属配合物,其中,所述有机电子传输材料为具有式1结构的化合物中的一种或其两种以上任意组合,式1;式1中,Ar选自碳原子数为6至30的亚稠环芳烃,或选自碳原...
氧化锌锡薄膜及制备方法、薄膜晶体管及制备方法技术
本发明公开了一种涉及薄膜晶体管领域的氧化锌锡薄膜的制备方法,首先采用2-乙基己酸亚锡作为锡的前驱体材料制备前驱体溶液,然后,将前驱体溶液在无定形材料形成的涂布面上涂布成薄膜;最后进行热处理,热处理程序采用20至80℃/min的升温速率得...
一种6,6-双取代-6-H-苯并[cd]芘衍生物、中间体及制备方法和应用技术
本发明涉及一类如式(1)所示的化合物,其中:当R5、R6同时为H时,R7、R8分别独立地选自C5-C30的含氮杂环、取代氮杂环或者稠含氮杂环芳烃,且R1、R2分别独立地选自具有C1-C30的直链或支链烃基,C6-C30的取代或未取代的苯...
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