本发明属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种光电共封光模块结构及其制造方法，一种光电共封光模块结构，包括氮化铝中介层和基板。氮化铝中介层具有绝缘性，氮化铝中介层包括上表面和下表面，上表面设置工程层，所述工程层与光电共封芯片和开关芯片形成面...

本发明提供了一种用于氮化铝陶瓷抛光的抛光液及其制备方法，其涉及抛光材料的技术领域。用于氮化铝陶瓷抛光的抛光液的制备方法包括：制备酸性的聚合物树脂作为芯材；以有机硅源为原料，通过水解缩合反应，在芯材的表面包覆二氧化硅壁材，获得用于pH调节...

本发明属于半导体制造技术领域，尤其涉及一种可用于先进封装的陶瓷基板加工方法，包括以下步骤：烧结,将氮化铝粉体与助剂搅拌混合造粒，经压模后，高温烧结形成氮化铝陶瓷；切割，将所述氮化铝陶瓷切割成薄片；倒角，对切割出的薄片进行倒角处理；双面研...

本发明属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种高散热半导体封装结构及其制造方法，封装结构包括芯片组件和高散热基板。芯片组件至少包括两个；高散热基板具有绝缘性，高散热基板包括上表面和下表面，上表面或下表面与芯片组件面接触，高散热基板具有多层基...

本发明属于研磨抛光技术领域，具体涉及一种氮化铝陶瓷抛光工艺。该抛光工艺包括以下步骤：将氮化铝陶瓷基板置于抛光垫上，加入抛光液进行抛光；所述抛光液由如下重量份组分制成：将15‑20份复合磨料、2‑4份氧化剂、8‑10份功能化合物和60‑7...

本技术属于氮化铝陶瓷基板生产技术领域，尤其涉及一种氮化铝陶瓷基板表面研磨装置，包括：底座，所述底座侧壁通过卡位件滑动连接有支撑板，所述支撑板侧壁固定连接有固定柱，所述固定柱上表面设有滑槽口，所述滑槽口贯穿固定柱，还包括：移动组件，所述移...

本技术属于氮化铝陶瓷基板加工技术领域，尤其涉及一种用于氮化铝陶瓷基板的倒边机，包括：输送机构，所述输送机构用于输送氮化铝陶瓷基板，所述输送机构两侧对称设有支撑架，左侧所述支撑架上设有驱动组件，还包括：倒边机构，所述倒边机构对称设于输送机...

本技术属于陶瓷基板烧结设备技术领域，尤其涉及一种氮化铝陶瓷基板烧结炉,包括：输送结构，所述输送结构为水平设置，用以输送待烧结的基板；烧结炉，所述烧结炉沿着输送结构设置，且部分输送结构设置于烧结炉中；输送台，所述输送台设置在输送结构上，且...

本发明提供了一种用于氮化铝陶瓷抛光的抛光液及其制备方法，其涉及抛光材料的技术领域。用于氮化铝陶瓷抛光的抛光液的制备方法包括：S100、采用包括硅源、异质掺杂剂和催化剂的原料，制备获得酸性硅溶胶；S200、对所述酸性硅溶胶进行聚合物枝接改...

本技术属于氮化铝陶瓷基板加工设备领域，尤其涉及一种氮化铝陶瓷基板加工用的切割装置；包括壳体，壳体内设置有激光头以及控制激光头移动的切割移动件，还包括支撑板，支撑板固定连接于壳体内壁，且支撑板上设置有导尘结构，固定组件，固定组件包括垫板，...

本技术属于氮化铝陶瓷基板生产领域，尤其涉及一种氮化铝陶瓷基板清洗机构；包括基板放置组件以及控制基板放置组件移动的提升装置，其特征在于，还包括箱体，箱体开口向上，箱体底部设置有清洗池，清洗池对浸入清洗药剂的基片进行超声波清洗，喷淋组件固定...

本技术属于氮化铝陶瓷基板加工设备技术领域，尤其涉及一种氮化铝陶瓷基板烘干装置，包括：箱体，所述箱体一侧设置有进料口，另一侧设置有出料口，且箱体内部设置有输送带，所述输送带为对称设置；烘干组件，所述烘干组件对称设置在氮化铝陶瓷基板上下两面...