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康宁股份有限公司专利技术
康宁股份有限公司共有4888项专利
在基片上制造结晶材料的方法和多层结构技术
一种形成结晶层或多晶层的方法包括提供一基片以及在该基片上形成图形。该方法还包括提供成核材料以及在该成核材料上形成结晶层。位于基片上的结晶材料可以是单晶的或多晶的。
改进的薄化法制造的玻璃绝缘体上的半导体制造技术
制造玻璃上半导体(SiOG)结构的方法和设备,其包括:对给体半导体晶片的注入表面进行离子注入过程,在该给体半导体晶片中产生脱落层;采用电解使脱落层的注入表面与玻璃基片结合;将脱落层与给体半导体晶片分离,因而露出至少一个裂开的表面;和对至...
使用离子喷淋制造SOI结构制造技术
公开使用离子喷淋用于将离子注入施主基片,制造SOI和SOG结构的方法。离子喷淋提供了有利的,有效的低成本的离子注入,同时使对脱落膜的损害最小。
使用辐照退火制造绝缘体上半导体结构的方法技术
用于绝缘体上半导体(SOI)结构的系统和方法及其产品,包括对至少一个未整饰的表面进行激光退火工艺。制造SOI结构还可包括对施主半导体晶片的注入表面进行离子注入工艺以在施主半导体晶片中产生脱落层;将该脱落层的注入表面与绝缘体衬底接合;将脱...
使用高纯度离子喷淋制造SOI结构制造技术
公开使用纯化的离子喷淋用于将离子注入施主基片,制造SOI和SOG结构的方法。纯化的离子喷淋提供了有利的,有效的,低成本而高效率的离子注入,同时使对脱落膜是损害最小。
薄膜光伏结构及其制造制造技术
本发明涉及一种新颖的光伏结构,包括接合到优选地是基本单晶施主半导体晶片的剥离层上的绝缘体结构、以及至少一个光伏器件层,如导电层,还涉及制造光伏器件的系统和方法,包括在施主半导体晶片上构造剥离层、并将所述剥离层转移到绝缘体基板。
具有与外套隔离的光学部件的光学器件制造技术
一种光学器件(10)包括光波导部件(11)、用于光波导部件的外套(20),以及连接部分(32)。其中连接部分(32)使光波导部件(11)与外套(20)相连,同时基本上使光波导部件与因环境条件变化导致外套(20)尺寸改变而施加在连接部分上...
用倾斜壁基座进行的被动对齐制造技术
提供一种装置(10),它包括具有多个焊接隆起部(20)和多个形成在预定部位的凹部(18)的第一芯片(12)。一第二芯片(14)设置有多个焊接垫片(26)和凸起(24)。多个焊接结合剂(30)连接在第一和第二芯片之间。凹部和凸起中的至少一...
硅薄膜晶体管及其制造方法以及显示屏技术
第一方面,本发明提供了一种硅薄膜晶体管,它包括基材;直接沉积在所述基材上的多孔二氧化硅SiO↓[2]阻隔层;已经变成多晶体的硅薄膜层,它直接沉积在所述阻隔层上。本发明也提供了一种制造该晶体管的方法,包括该晶体管的显示屏和至少该显示屏的方法。
玻璃基绝缘体上覆半导体结构及其制造方法技术
提供一种绝缘体上覆半导体(SOI)结构(包括大面积SOI结构),它包括一个或多个含有基本上为单晶的半导体材料(例如掺杂硅)层(15)组成的区域,所述区域附着在由氧化物玻璃或氧化物玻璃陶瓷组成的支承基片(20)上。所述氧化物玻璃或氧化物玻...
用玻璃料密封的玻璃外壳及其制造方法技术
本文中使用OLED显示器作为例子描述了一种密封的玻璃外壳(100)和制造该密封的玻璃外壳(100)的方法(200)。基本上,通过提供(步骤202)第一基板(102)和第二基板(107),并将玻璃料(106)沉积(步骤208)在第二基板(...
使用自组装单层的硅结晶法制造技术
包括衬底的显示器件,在所述衬底上设置有晶体或多晶半导体材料层,其中所述衬底具有低于所述层的形成温度的应变点。所述晶体或多晶材料是通过以下方法构建,所述方法包括在衬底上提供自组装单层(SAM)、在SAM上沉积材料层和使所述层基本结晶。
有阻挡层和应变消除功能的OLED结构制造技术
本发明涉及一种OLED结构,该结构包含:基本柔性的基片;和至少一层放置在该基片和OLED结构之间的阻挡层。所述阻挡层基本上防止了污染物渗透有机材料层或OLED结构。阻挡层包含加入了特定组分或除去了特定组分以改善其挠性的玻璃层。OLED结...
具有应变消除层、减反射层和阻挡层的有机发光的器件/二极管结构制造技术
本发明提供一种有机发光的器件/二极管结构,该结构包括至少一个基本挠性的基片;至少一层位于所述基片和所述有机发光的器件/二极管结构之间的阻挡层;以及至少一层位于所述有机发光的器件/二极管结构和显示器表面之间的减反射(AR)层。该阻挡层可包...
长波长VCSEL的隧道结制造技术
具有最小受体氢钝化的隧道结器件(102)包括碳掺杂的第一半导体材料的p-型隧道结层(106)。该第一半导体材料包括铝、镓、砷、和锑。第二半导体材料的n-型隧道结层(104)包括铟、镓、砷、以及铝和磷之一。p-型和n-型隧道结层之间的结形...
应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法技术
本发明涉及具有应变半导体层的绝缘体上半导体结构。根据本发明的一个实施例,一种绝缘体上半导体结构具有包括半导体材料、附连到包括玻璃或玻璃陶瓷的第二层的第一层,且将半导体和玻璃或玻璃陶瓷的CTE选择成使第一层受到拉伸应变的作用。本发明还涉及...
用来消除OLED器件中的干涉条纹的方法和设备技术
揭示了一种用来减少发光器件中牛顿环的出现的技术。发光器件(10)包括位于与覆盖基板(20)的内表面(40)相邻接的位置的散射层(50)。通过使光散射而减少或消除了相长干涉的机会,从而减少或消除了牛顿环的形成。
包含高应变玻璃或玻璃陶瓷的绝缘体上半导体结构制造技术
本发明涉及具有应变的半导体层的绝缘体上半导体结构。根据本发明的一个实施方式,绝缘体上半导体结构具有包含半导体材料的第一层,该第一层与包含玻璃或玻璃-陶瓷的第二层相结合,所述玻璃或玻璃-陶瓷的应变点等于或高于大约800℃。
用于封装有机发光二极管(OLED)显示器的参数的优化制造技术
本发明描述了一种密封式玻璃封装物,以及制造该密封式玻璃封装物的方法。在一种实施方式中,该密封式玻璃封装物适用于保护对周围环境敏感的薄膜器件。这种玻璃封装物的一些例子是有机发光二极管(OLED)显示器、传感器和其它光学器件。本发明以OLE...
气密封的玻璃封装及制造方法技术
本申请中使用OLED显示器作为例子描述了密封玻璃封装以及制造该密封玻璃封装的方法。在一个实施方式中,该密封玻璃封装通过提供第一基板和第二基板来制造。所述第二基板含有至少一种过渡金属或稀土金属,如铁、铜、钒、锰、钴、镍、铬、钕和/或铈。将...
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