本发明说明一种包括至少一个MOS场效应晶体管和二极管的半导体器件，其中，二极管是沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)并且带有MOS场效应晶体管和沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)的布置被设计为单片集成结构。在此，MOS场效应晶体管和沟槽结...