带有集成TJBS二极管的场效应晶体管制造技术

本发明专利技术说明一种包括至少一个MOS场效应晶体管和二极管的半导体器件，其中，二极管是沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)并且带有MOS场效应晶体管和沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)的布置被设计为单片集成结构。在此，MOS场效应晶体管和沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)的击穿电压如此选择，使得MOS场效应晶体管能够在击穿中运行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件、尤其是功率半导体器件、特别是带有集成沟槽结势垒肖特基(TJBSGrench Junction Barrier Schottky)) 二极管的功率MOS场效应晶体管。这种功率半导体器件例如能够应用在机动车中的发电机的同步整流器处。
技术介绍
几十年来，功率MOS场效应晶体管被用作快速开关用于在功率电子设备中应用。 除了平板型的、双重扩散的结构(DMOS)也可使用带有沟结构(TrenchMOS)的功率M0SFET。 不过，在带有非常快速的开关过程的应用情况下，其中电流也经由MOSFET的体二极管短时地流动，例如在同步整流器、DC-DC转换器等情况下，pn体二极管的导通和开关损耗产生不利的影响。作为可能的补救提出了例如带有其集成Pn体二极管和肖特基二极管的MOSFET 的并联电路。因此从专利文献US-5111253中已知DMOS与集成肖特基势垒二极管(SBD)的组合。在肖特基二极管情况下，较高的截止电流的缺点与较低的通向电压和较低的断开损耗的优点对立。除了原则上通过金属半导体结的势垒造成的截止电流，还出现通过所谓的势垒降低(BL(Barrier-Lowering本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：渠宁，A格尔拉希，
申请(专利权)人：渠宁，A格尔拉希，
类型：发明
国别省市：