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本发明说明一种包括至少一个MOS场效应晶体管和二极管的半导体器件，其中，二极管是沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)并且带有MOS场效应晶体管和沟槽结势垒肖特基二极管(TJBS)的布置被设计为单片集成结构。在此，MOS场效应晶体管和沟槽结势垒...
该专利属于渠宁;A.格尔拉希所有，仅供学习研究参考，未经过渠宁;A.格尔拉希授权不得商用。

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