本发明涉及一种MoxB1‑xS2薄膜材料及其制备方法和用途。制备高掺杂失配杂原子的MoxB1‑xS2薄膜材料的方法包括：提供一蓝宝石基底，作为生长基底；选取Mo源溶液和失配原子B源溶液，将两者混合获得金属元素源溶液；将所述金属元素源溶液...