本发明提供了一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法，半导体器件包括：半导体衬底、半导体层、绝缘介质层、锗锑碲薄膜层、第一电极和第二电极。方法包括：电磁辐射波到达锗锑碲薄膜层的超表面结构；通过由凹槽、圆柱体和电磁辐射反射基体组成超表...

本发明公开了一种半导体场效应集成电路的制备系统及方法，包括：P型半导体衬底、第一区域、第二区域、绝缘板；所述半导体衬底上左侧设有第一区域，所述第一区域内部形成第一注入区；所述半导体衬底上右侧设有第二区域，所述第二区域内部形成第二注入区，...

本发明公开了一种集成电路欧姆接触区的生产系统及生产方法，其中生产系统包括：包括：依次设置的半导体薄膜、钝化层、半导体掺杂层、欧姆接触区和金属电极；所述欧姆接触区为重掺杂区，降低欧姆接触区的势垒高度，增大电子隧穿的几率；所述金属电极采用多...

本发明提供了一种半导体器件薄膜结构及制备方法，包括：砷化镓衬底层：在半导体器件薄膜结构的最底层，通过飞秒激光纵向微加工形成纵向凹槽区，并通过横向切割形成横向分割区，获得砷化镓衬底层；氮化镓生长层：在砷化镓衬底层表面，通过异质分子束外延法...