一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法技术

本发明专利技术提供了一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法，半导体器件包括：半导体衬底、半导体层、绝缘介质层、锗锑碲薄膜层、第一电极和第二电极。方法包括：电磁辐射波到达锗锑碲薄膜层的超表面结构；通过由凹槽、圆柱体和电磁辐射反射基体组成超表面结构的锗锑碲薄膜层实现肖特基二极管的抗电磁辐射的反射；横向孔和纵向孔内填充有锰锌铁氧体材料，当经过电磁辐射反射基体反射后的第一电磁辐射波到达锰锌铁氧体材料表面，形成第二电磁辐射波，第二电磁辐射波与第一电磁辐射波彼此反相，从而抵消第一电磁辐射波和第二电磁辐射波。本发明专利技术提高了电磁辐射的反射率，有助于减小电磁辐射的能量，减轻电磁辐射对肖特基二极管的性能影响。管的性能影响。管的性能影响。

【技术实现步骤摘要】
一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法


[0001]本专利技术涉及电子器件
，特别涉及一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。在半导体器件的使用中，会产生电磁辐射，另外,外部环境的电磁辐射也会对半导体器件的正常工作造成影响,电磁辐射不仅会影响电子器件的性能及寿命，而且会对人体产生伤害，因此，在半导体器件上需要增加一些抗电磁辐射的结构，减轻电磁辐射带来的影响。
[0003]现有技术一，CN202010920285.6阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括衬底基板、薄膜晶体管阵列层以及至少一抗辐射层，薄膜晶体管阵列层包括氧化物半导体层，抗辐射层包括相对设置的入光侧和出光侧，出光侧靠近氧化物半导体层设置，入光侧配置成用于使高能量光波经由入光侧进入抗辐射层，抗辐射层配置成用于将高能量光波转换为可见光，出光侧配置成用于使可见光经由出光侧进入氧化物半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗电磁辐射的半导体器件，其特征在于，包括：绝缘介质层和锗锑碲薄膜层；绝缘介质层的上端设置为锗锑碲薄膜层；锗锑碲薄膜层的上表面和下表面设置有电磁辐射反射基体，锗锑碲薄膜基本的反射表面上开有若干等间距矩阵排列的凹槽，凹槽内插接有圆柱体，电磁辐射反射基体采用波浪形。2.如权利要求1所述的抗电磁辐射的半导体器件，其特征在于，锗锑碲薄膜层的两端分别设置有肖特基二极管的第一电极和肖特基二极管的第二电极；肖特基势垒层设置在锗锑碲薄膜层上端，肖特基势垒层覆盖锗锑碲薄膜层及第一电极和第二电极的一部分。3.如权利要求2所述的抗电磁辐射的半导体器件，其特征在于，半导体衬底底部的上端设置有半导体层，半导体层的上端为绝缘介质层。4.如权利要求1所述的抗电磁辐射的半导体器件，其特征在于，锗锑碲薄膜层内氮单元掺杂含量为12％～15％。5.如权利要求1所述的抗电磁辐射的半导体器件，其特征在于，波浪形的包含波峰和波谷，波高为圆柱体高度的2/3。6.如权利要求1所述的抗电磁辐射的半导体器件，其特征在于，凹槽包括：横向孔和纵向孔；横向孔和纵向孔设置在凹槽的表面，横向孔和纵向孔内填充有锰锌铁氧体材料。7.如权利要求6所述的抗电磁辐射的半导体器件，其特征在于，锰锌铁氧体材料以Fe2O3、MnO和ZnO的质量总量为100％计，F...

【专利技术属性】
技术研发人员：林和，洪学天，王尧林，牛崇实，陈宏，
申请(专利权)人：晋芯先进技术研究院山西有限公司，
类型：发明
国别省市：