在介电开口中具有嵌入式间隔物的隔离温度传感器封装件制造技术

本申请题为“在介电开口中具有嵌入式间隔物的隔离温度传感器封装件”。一种电子器件包括衬底、介电间隔物、半导体管芯和封装结构。该衬底具有介电层、管芯焊盘、第一和第二引线、导电通孔和导电迹线，该介电层具有延伸到侧面中的开口，该管芯焊盘耦合到第一引线，第二引线耦合到导电通孔，并且导电迹线耦合到通孔。介电间隔物安装在开口中的管芯焊盘上方，并且半导体管芯安装在介电间隔物上方，半导体管芯包括温度传感器，并且电连接件将半导体管芯耦合到导电迹线。封装结构在介电层的侧面上、半导体管芯上和导电迹线上延伸，封装结构围绕介电间隔物延伸并延伸至开口中的管芯焊盘。间隔物延伸并延伸至开口中的管芯焊盘。间隔物延伸并延伸至开口中的管芯焊盘。

【技术实现步骤摘要】
在介电开口中具有嵌入式间隔物的隔离温度传感器封装件

技术介绍

[0001]电子温度传感器可用于要感测的温度位于高压电路中或附近的高压系统中。过大的电场会使基于半导体的电子温度传感器损坏或退化。

技术实现思路

[0002]在一个方面，一种电子器件包括衬底、介电间隔物、半导体管芯和封装结构。该衬底具有介电层、管芯焊盘、第一和第二引线、导电通孔和导电迹线，该介电层具有延伸到侧面中的开口，该管芯焊盘耦合到第一引线，该第二引线耦合到导电通路，并且导电迹线耦合到通孔。介电间隔物安装在开口中的管芯焊盘上方，并且该半导体管芯安装在介电间隔物上方，该半导体管芯包括温度传感器，并且电连接件将半导体管芯耦合到导电迹线。该封装结构在介电层的侧面上、半导体管芯上和导电迹线上延伸，该封装结构围绕介电间隔物延伸并延伸至开口中的管芯焊盘。
[0003]在另一方面，一种方法包括将介电间隔物安装在衬底的介电层中的开口中的管芯焊盘上方，将半导体管芯安装在介电间隔物上方，形成将半导体管芯耦合到衬底的介电层的侧面上的导电迹线的电连接件，以及执行模制工艺以形成在介电层的侧面上、半导体管芯上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件，包括：衬底，其具有介电层、管芯焊盘、第一引线、第二引线、导电通孔和导电迹线，所述介电层具有侧面和延伸到所述侧面中的开口，所述管芯焊盘耦合到所述第一引线，所述第二引线耦合到所述导电通孔，所述导电迹线耦合到所述导电通孔，并且所述导电迹线在所述介电层的所述侧面上延伸；在所述开口中的所述管芯焊盘上方的介电间隔物；在所述介电间隔物上方的半导体管芯，所述半导体管芯包括温度传感器；将所述半导体管芯耦合到所述导电迹线的电连接件；以及在所述介电层的所述侧面上、所述半导体管芯上和所述导电迹线上延伸的封装结构，所述封装结构围绕所述介电间隔物延伸并延伸至所述开口中的所述管芯焊盘。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述介电层是层压层。3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述介电层是模制层。4.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述介电间隔物具有大于10W/mK的热导率。5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述介电间隔物包括氧化铝、氮化铝或氮氧化铝。6.根据权利要求1所述的电子器件，其进一步包括：第一管芯附接膜，其将所述半导体管芯粘附到所述介电间隔物；以及第二管芯附接膜，其将所述介电间隔物粘附到所述管芯焊盘。7.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述介电间隔物具有50μm至500μm的厚度。8.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述电连接件是键合线。9.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述衬底是引线框架、部分蚀刻的引线框架、预模制的引线框架和模制的互连衬底中的一种。10.一种方法，其包括：将介电间隔物安装在衬底的介电层中的开口中的管芯焊盘上方；将半导体管芯安装在所述介电间隔物上方；形成将所述半导体管芯耦合到所述衬底的所述介电层的侧面上的导电迹线的电连接件；以及执行模制工艺以形成在所述介电层的所述侧面上、所述半导体管芯上和所述导电迹线上延伸的封装结构，所述封装结构围绕所述介电间隔物延伸并延伸至所述开口中的所述管芯焊盘。11.根据权利要求10所述的方法，其中将所述半导体管芯安装在所述介电间隔物上方包括：在所述介电间隔物上形成管芯附接膜；以及将所述半导体管芯安装在所述介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：