一种芯片抗磁封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片抗磁封装结构及其制作方法，包括基板、裸芯及半封闭软磁遮罩；所述基板包括沿第一方向的侧边排布的金属接触点，所述裸芯包括沿所述第一方向的侧边排布的焊垫，且所述金属接触点与所述焊垫电连接；所述半封闭软磁遮罩倒扣于所述基板的上表面，与所述基板围成开口朝向所述第一方向的开放式腔体，所述裸芯位于所述开放式腔体中。本发明专利技术将焊盘和金属接触点的排布做单边化处理，以此最大程度地降低打线的空间要求，减少其复杂程度，形成的遮罩金属连续性更好，抗磁性大大提升，且降低其生产成本。且降低其生产成本。且降低其生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片抗磁封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及芯片封装领域，特别是涉及一种芯片抗磁封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]MRAM是新型非易失存储芯片，具有高速读写、高读写次数和低功耗的优点。MRAM同时具有磁场敏感的特性，其本身对低于一定强度的磁场具有一定免疫，但远不能满足环境要求。因此需要对施加在芯片本体的水平磁场和垂直磁场同时进行抗磁防护，现有技术中的抗磁防护通常为塑封产品的外围。
[0003]然而，由于芯片种类五花八门，其打线的位置也各不相同，导致塑封在其外侧的导磁体形状不规则，如对先制备成型的导磁结构，然后再在打线位置做开孔处理，导致导磁结构的生产成本大幅上升，且漏磁增大；或者先绝缘，绝缘后再使用流体填入，而这又凭空增加了绝缘处理的步骤，且流体填入抗磁效率低。
[0004]因此，如何降低外部磁场对芯片的干扰，提升磁屏蔽效果的同时，降低生产成本，是本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种芯片抗磁封装结构及其制作方法，以解决现有技术中芯片易受磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片抗磁封装结构，其特征在于，包括基板、裸芯及半封闭软磁遮罩；所述基板包括沿第一方向的侧边排布的金属接触点，所述裸芯包括沿所述第一方向的侧边排布的焊垫，且所述金属接触点与所述焊垫电连接；所述半封闭软磁遮罩倒扣于所述基板的上表面，与所述基板围成开口朝向所述第一方向的开放式腔体，所述裸芯位于所述开放式腔体中。2.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述半封闭软磁遮罩为四面铲形软磁结构。3.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述基板还包括位于所述基板上表面的抗磁薄膜；所述金属接触点与所述抗磁薄膜绝缘设置。4.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述基板上的GND端金属接触点与所述半封闭软磁遮罩连接，形成导磁通路。5.如权利要求4所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，当所述半封闭软磁遮罩为四面铲形软磁结构时，所述GND端金属接触点包括三个磁引出端；三个所述磁引出端分别与所述四面铲形软磁结构的三个侧面接触设置。6.如权利要求1所述的芯片抗磁封装结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘欢，赵京升，鲁鹏棋，宋光明，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：