具有改进的导电短柱覆盖度的半导体装置封装制造方法及图纸

一种半导体装置封装包含多层衬底，所述多层衬底包含底部层和顶部层。一个或多个裸片安装在所述衬底的所述顶部层上且电耦合到所述顶部层。电磁干扰(EMI)屏蔽件囊封所述衬底和半导体裸片。第一多个导电短柱定位在所述衬底的所述顶部层的边缘周围。所述导电短柱中的每一个包含具有第一厚度且与所述EMI屏蔽件接触的边缘部分。第二多个导电短柱定位在所述衬底的所述底部层的边缘周围。所述第二多个导电短柱中的每一个包含具有小于所述第一厚度的第二厚度且与所述EMI屏蔽件接触的边缘部分。二厚度且与所述EMI屏蔽件接触的边缘部分。二厚度且与所述EMI屏蔽件接触的边缘部分。

【技术实现步骤摘要】
具有改进的导电短柱覆盖度的半导体装置封装

技术介绍

[0001]具有电磁干扰(EMI)保护的嵌入式裸片封装可包含一起封装在衬底上的一个或多个半导体裸片。裸片和衬底由EMI屏蔽件囊封和覆盖。用于此类封装的组装过程通常包含将力施加到衬底的底部的操作。此类力会导致组装封装中的导电材料不受EMI屏蔽件保护，这不利地影响封装的EMI特性。

技术实现思路

[0002]本公开描述一种具有经修改的导电短柱的嵌入式裸片封装，所述经修改的导电短柱提供封装的增强型EMI特性。
[0003]在一个实施中，一种半导体装置封装包含：衬底，其具有多个层，所述多个层包含底部层和顶部层；一个或多个裸片，其通过多个接合线安装在衬底的顶部层上且耦合到所述顶部层；EMI屏蔽件，其囊封衬底和一个或多个半导体裸片；第一多个导电短柱，其定位在衬底的顶部层的边缘周围，其中第一多个导电短柱中的每一个包含具有第一厚度且与EMI屏蔽件接触的边缘部分；以及第二多个导电短柱，其定位在衬底的底部层的边缘周围，其中第二多个导电短柱中的每一个包含具有小于第一厚度的第二厚度且与EMI屏蔽件接触的边缘部分。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置封装，其包括：衬底，其具有多个层，所述多个层包含底部层和顶部层；一个或多个裸片，其安装在所述衬底的所述顶部层上且电耦合到所述顶部层；电磁干扰(EMI)屏蔽件，其囊封所述衬底和所述一个或多个半导体裸片；第一多个导电短柱，其定位在所述衬底的所述顶部层的边缘周围，其中所述第一多个导电短柱中的每一个包含具有第一厚度且与所述EMI屏蔽件接触的边缘部分；以及第二多个导电短柱，其定位在所述衬底的所述底部层的边缘周围，其中所述第二多个导电短柱中的每一个包含具有小于所述第一厚度的第二厚度且与所述EMI屏蔽件接触的边缘部分。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二多个导电短柱中的每一个进一步包含具有大于所述第二厚度的厚度的中心部分。3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一多个导电短柱中的每一个进一步包含具有与所述第二多个导电短柱中的每一个的所述中心部分的所述厚度相等的厚度的中心部分。4.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中对于所述第二多个导电短柱中的每一个，所述边缘部分与所述中心部分一体地形成且定位在所述中心部分与所述EMI屏蔽件之间。5.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中对于所述第二多个导电短柱中的每一个，所述边缘部分在包括阶梯的接合点处与所述中心部分接合。6.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第二多个导电短柱中的每一个的底部表面包含在所述边缘部分与所述中心部分的接合点处的阶梯。7.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中：所述衬底包含平面底部表面；且从所述衬底的所述底部表面到所述第二多个导电短柱中的每一个的所述中心部分的距离小于从所述衬底的所述底部表面到所述第二多个导电短柱的所述边缘部分的距离。8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述EMI屏蔽件完全覆盖所述第一和第二多个导电短柱中的每一个。9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二厚度被设置成使得所述第二多个导电短柱在EMI屏蔽件组装操作期间不与带状粘合层接触。10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中：所述衬底进一步包含至少一个中间...

【专利技术属性】
技术研发人员：董少鹏，邱进添，姜卫挺，张会容，杨正雄，谭华，J，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：