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本发明提供了一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法，半导体器件包括：半导体衬底、半导体层、绝缘介质层、锗锑碲薄膜层、第一电极和第二电极。方法包括：电磁辐射波到达锗锑碲薄膜层的超表面结构；通过由凹槽、圆柱体和电磁辐射反射基体组成超表面结...
该专利属于晋芯先进技术研究院（山西）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晋芯先进技术研究院（山西）有限公司授权不得商用。

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