本技术提供了MicroLED显示组件，包括：驱动底板，所述驱动底板上规则配置有相互独立的驱动电极，且各驱动电极表面形成有对应的第二键合层；基于任意一位置和/或角度键合于所述驱动底板上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括依次堆叠的第一...

本技术提供了一种垂直结构LED芯片，包括：支撑衬底，表面形成有发光区域和焊盘区域；发光区域表面设置有：半导体发光结构；反射结构，形成于支撑衬底和半导体发光结构之间；反射结构中包括一金属反射层及一介电反射层，金属反射层通过形成于支撑衬底表...

本发明提供了一种LED芯片及LED芯片中金属叠层结构确定方法，其中，金属叠层结构在金属叠层区域从下至上依次包括：下层金属层、介电材料层及上层金属层，上层金属层和下层金属层之间通过介电材料层相互绝缘，且在预设的同一垂直位置上，上层金属层和...

本发明提供了一种单片全彩外延片、LED芯片及其出光控制方法，其中，单片全彩外延片，包括：生长衬底及形成于所述生长衬底表面的半导体多层结构，所述半导体多层结构包括通过一次外延工艺依次形成于所述生长衬底表面的n型GaN层、第一InGaN基多...

本发明提供的一种封装支架及LED灯珠，其中，封装支架包括：导电基板，导电基板表面配置有用于固定UVB或UVC波段的LED芯片的导电线路；支架外墙，通过相接的方式设于所述导电基板四周，将导电基板表面的导电线路包围，形成开口部；且支架外墙中...

本发明提供了一种发光装置及其制备方法、发光阵列结构，发光装置包括：LED芯片，具有发光上面、第一发光侧面及与发光上面相对的电极表面，芯片电极还具有电极侧面；光转换层，形成于LED芯片的发光上面；粘结层，形成于LED芯片表面与光转换层之间...

本发明提供了一种微显示装置、微显示阵列结构及其制备方法，其中，微显示装置包括：驱动电路板及通过键合层键合于驱动电路板表面的微显示单元，包括：半导体发光结构，表面包括一电极区域；形成于第一半导体层和键合层之间的反射金属结构；形成于半导体发...

本发明提供了一种用于光固化的紫外LED外延结构及芯片、光固化装置，其中，紫外LED外延结构，包括：依次堆叠于生长衬底表面的n型半导体层、有源区发光层及p型半导体层，其中，所述有源区发光层具有多重量子阱结构，以产生宽波段紫外光光谱，所述紫...

本发明提供了一种新型反射结构、GaN基LED芯片及其制备方法，其中，新型反射结构包括：介电反射层，由介电材料形成有第一区域和第二区域，第一区域和第二区域于介电反射层的边缘处相接形成一台阶状结构；台阶状结构中，位于第一区域的介电反射层包括...

本发明提供了一种MicroLED显示组件及其制备方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，且半导体发光结构表面被划分为用于形成像素单元的像素区域和形成于像素单元之间的沟槽区域；于像素区域的各像素单元表面形成对应的第一键合层；提供驱动底板...

本发明提供了一种倒装结构LED芯片及其制备方法，其中，制备方法包括：制备外延片，外延片表面包括发光区域和电极区域；对外延片的电极区域进行刻蚀至n型GaN层；于外延片的发光区域表面形成反射金属结构；于外延片表面形成绝缘层；对电极区域中n型...

本发明提供了一种MicroLED像素单元形成方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层，且半导体发光结构表面被划分为像素区域和沟槽区域；在半导体发光结构的像素区...

本发明提供了一种MicroLED像素化方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层；通过邦定材料将半导体发光结构邦定至支撑基板表面，并去除生长衬底；根据预先配置的...

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，芯片包括：生长衬底；半导体多层结构，表面划分为发光区域和电极区域；于电极区域形成n型电极通孔；于发光区域表面形成介电反射层，介电反射层靠近n型电极通孔区域为台阶状结构，台阶...

本实用新型涉及一种用于售后市场车用LED灯驱动器，其包含一基板；一输入端保护电路是安装在该基板；一滤波电路是安装在该基板且电性连接该输入端保护电路；一位置灯优先权电路是安装在该基板且电性连接该滤波电路；一交换式电源控制电路是安装在该基板...