【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是一种微显示装置、微显示阵列结构及其制备方法。
技术介绍
1、微显示芯片（micro led）是ar（增强现实）/vr（虚拟现实）等设备的核心芯片，相较于lcos（硅基液晶）和oled（有机发光二极管）等技术，micro led因其高分辨率、低功耗、高亮度、长寿命等优势，被视为最佳解决方案。为满足ar/vr中芯片小型化、高分辨率、高亮度等要求，si基gan（氮化镓）外延结构与coms晶圆级键合成为一种较为优选的技术方案。
2、为提高micro led的亮度，通常会在键合金属与gan结构之间形成反射金属结构，但是，在后续的加工工艺中，容易因金属离子迁移导致micro led漏电、相邻micro led连接后led产品失效等问题。
技术实现思路
1、为了克服以上不足，本专利技术提供了一种微显示装置、微显示阵列结构及其制备方法，有效解决因金属离子迁移导致micro led漏电等技术问题。
2、本专利技术提供的技术方案为：
3、一方面，本专利技术提供了一种微显示装置，包括：
4、驱动电路板，所述驱动电路板表面配置有用于驱动所述微显示装置的驱动电路；及
5、通过键合层键合于所述驱动电路板表面的微显示单元，所述微显示单元包括：
6、半导体发光结构，从下到上依次包括第一半导体层、发光层及第二半导体层；所述第二半导体层表面包括一电极区域；
7、形成于所述第一半导体层和键合层之间的反射金属结
8、形成于半导体发光结构四周的第一钝化结构，所述第一钝化结构通过于半导体发光结构的周边区域进行离子注入形成，至少绕中心区域半导体发光结构中的第二半导体层一圈设置；
9、自第一钝化结构侧壁刻蚀至键合层，于未被刻蚀的部分键合层表面形成的台面；
10、自第一钝化结构表面延伸至所述台面的表面的第一钝化层；及
11、至少由台面表面延伸至驱动电路板的第二钝化层，所述第一钝化层和第二钝化层至少在所述第二半导体层表面的电极区域形成有开口。
12、另一方面，本专利技术提供了一种微显示阵列结构，包括阵列排布在同一驱动电路板表面的多个微显示装置，且各微显示装置对应的驱动电路板为一整体结构，表面配置有用于驱动各微显示装置的驱动电路，还包括：
13、沉积于整个驱动电路板表面的透明电流扩展层，及
14、沉积于各微显示单元之间的连接金属层。
15、另一方面，本专利技术提供了一种微显示阵列结构制备方法，包括：
16、在生长衬底表面形成半导体发光结构及反射金属结构，半导体发光结构从下到上依次包括第二半导体层、发光层及第一半导体层；
17、通过键合层将半导体发光结构翻转键合于驱动电路板上，并去除生长衬底；所述驱动电路板上配置阵列驱动线路；
18、于驱动电路板表面，预先配置的微显示单元之间的半导体发光结构处注入离子，于各所述微显示单元中形成至少绕中心区域半导体发光结构中第二半导体层一圈的第一钝化结构；
19、沿各微显示单元的第一钝化结构的侧边刻蚀至键合层，在未被刻蚀的部分键合层表面形成台面；
20、于整个驱动电路板表面沉积第一钝化层；
21、沿各微显示单元台面的侧边刻蚀至驱动电路板；
22、于整个驱动电路板表面沉积第二钝化层；
23、于各微显示单元第二半导体层表面的电极区域上形成电极通孔；
24、于整个驱动电路板表面沉积透明电流扩展层；
25、于各微显示单元之间沉积连接金属层。
26、本专利技术提供的微显示装置、微显示阵列结构及其制备方法，通过在微显示单元四周形成第一钝化结构，及在第一钝化结构、反射金属结构及键合层侧壁分别形成第一钝化层和第二钝化层的方式抑制反射金属结构中的金属离子迁移。通过分段刻蚀设置多钝化层的方式进一步提升产品的良率及稳定性。
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1.一种微显示装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的微显示装置，其特征在于，所述第一钝化结构绕中心区域半导体发光结构一圈设置，通过对半导体发光结构四周第二半导体层表面开始注入离子至反射金属结构表面形成。
3.如权利要求1所述的微显示装置，其特征在于，所述第一钝化层中不含氧离子。
4.如权利要求1-3任意一项所述的微显示装置，其特征在于，所述第一钝化层和第二钝化层至少在所述第二半导体层表面的电极区域形成有开口中，所述第一钝化层和第二钝化层覆盖半导体发光结构表面除电极区域的其他区域。
5.一种微显示阵列结构，其特征在于，包括阵列排布在同一驱动电路板表面的多个如权利要求1-3任意一项所述的微显示装置，且各所述微显示装置对应的驱动电路板为一整体结构，表面配置有用于驱动各所述微显示装置的驱动电路，还包括：
6.一种微显示阵列结构制备方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的微显示阵列结构制备方法，其特征在于，所述于驱动电路板表面，预先配置的微显示单元之间的半导体发光结构处注入离子，于各所述微显示单元中形
8.如权利要求6所述的微显示阵列结构制备方法，其特征在于，所述第一钝化层中不含氧离子。
...【技术特征摘要】
1.一种微显示装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的微显示装置，其特征在于，所述第一钝化结构绕中心区域半导体发光结构一圈设置，通过对半导体发光结构四周第二半导体层表面开始注入离子至反射金属结构表面形成。
3.如权利要求1所述的微显示装置，其特征在于，所述第一钝化层中不含氧离子。
4.如权利要求1-3任意一项所述的微显示装置，其特征在于，所述第一钝化层和第二钝化层至少在所述第二半导体层表面的电极区域形成有开口中，所述第一钝化层和第二钝化层覆盖半导体发光结构表面除电极区域的其他区域。
5.一种微显示阵列结构，其特征在于，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，
申请(专利权)人：晶能光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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