一种Micro LED发光阵列及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种Micro LED发光阵列及其制备方法，在Micro LED发光阵列中，包括：表面配置有驱动电路的驱动基板、阵列排布于驱动基板上的发光单元、形成于各发光单元中第二半导体层表面的反射结构、通过刻蚀形成于发光单元之间的N型沟槽、导电连接至N型沟槽中第一半导体层的N型金属层，及沿P型通孔导电连接至反射结构的P型金属层、发光单元通过所述N型金属层和P型金属层焊接于驱动基板表面与之匹配的驱动电路上。该发光阵列中主要以N型金属层于N型沟槽内部与第一半导体层侧壁进行欧姆接触，减少了对发光区域的刻蚀，相对增大了有效发光面积，能够有效地缩小发光单元之间的间隔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是一种micro led发光阵列及其制备方法。

技术介绍

1、由于micro-led具有寿命长、亮度高、效率高等性能优势，使其能够适用于车灯、投影、增强现实（augmented reality，ar）显示系统等应用领域。

2、在micro-led结构中，led发光材料通常为包括n型半导体层、有源层和p型半导体层的堆叠结构。制备过程中，需要刻穿预设位置的p型半导体层和对应位置的有源层材料，暴露出n型半导体层；之后分别于n型半导体层和p型半导体层表面制作欧姆接触材料，最终形成led芯片。现有技术中，由于在形成n型沟槽的区域，第二半导体层和对应位置的发光层材料被去除，无法形成pn结，导致该区域无法发光。随着芯片尺寸的缩小，例如缩小至50µm×50µm或者以下，该结构下暴露的n型材料的表面积占总表面积比随之升高，导致单位面积半导体材料的有效发光面积随之减小。因此，如何提高micro-led的有效发光面积成为一种需求。

技术实现思路

1、为了克服以上不足，本专利技术提供了一种mic本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro LED发光阵列，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的Micro LED发光阵列，其特征在于，所述通过刻蚀形成于发光单元之间的N型沟槽中，所述N型沟槽中第一半导体层被完全刻穿。

3.如权利要求1或2所述的Micro LED发光阵列，其特征在于，所述N型沟槽中，第一半导体层的侧壁具备倾斜角度。

4.如权利要求1或2所述的Micro LED发光阵列，其特征在于，所述N型沟槽中，沿第一半导体层表面的开口宽度为1µm-10µm。

5.如权利要求1或2所述的Micro LED发光阵列，其特征在于，所述N型金属层导电连接至Mic...

【技术特征摘要】

1.一种micro led发光阵列，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的micro led发光阵列，其特征在于，所述通过刻蚀形成于发光单元之间的n型沟槽中，所述n型沟槽中第一半导体层被完全刻穿。

3.如权利要求1或2所述的micro led发光阵列，其特征在于，所述n型沟槽中，第一半导体层的侧壁具备倾斜角度。

4.如权利要求1或2所述的micro led发光阵列，其特征在于，所述n型沟槽中，沿第一半导体层表面的开口宽度为1µm-10µm。

5.如权利要求1或2所述的micro led发光阵列，其特征在于，所述n型金属层导电连接至micro led发光阵列中各n型沟槽中的第一半导体层。

6.如权利要求1或2所述的micro led发光阵列，其特征在于，所述反射结构包括：

7.如权利要求1或2所述的micro led发光阵列，其特征在于，所述n型金属层包括一形成于第一半导体层表面的n型欧姆接触层、形成于所述n型欧姆接触层表面的阻挡层及形成于所述阻挡层表面的焊接金属层。

8.如权利要求1所述的micro led发光阵列，其特征在于，所述焊接于驱动基...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖奕彬，金力，杨杰，
申请(专利权)人：晶能光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：