单片全彩外延片、LED芯片及其出光控制方法技术

本发明专利技术提供了一种单片全彩外延片、LED芯片及其出光控制方法，其中，单片全彩外延片，包括：生长衬底及形成于所述生长衬底表面的半导体多层结构，所述半导体多层结构包括通过一次外延工艺依次形成于所述生长衬底表面的n型GaN层、第一InGaN基多量子阱层、第二InGaN基多量子阱层及p型GaN层，所述第一InGaN基多量子阱层为靠近所述n型GaN层一侧的蓝光量子阱层、所述第二InGaN基多量子阱层为靠近p型GaN层一侧的红光量子阱层。其能够通过单片全彩外延片实现RGB全彩显示。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是一种单片全彩外延片、led芯片及其出光控制方法。

技术介绍

1、目前，白光led芯片的制作方法一般包括以下几种：1）利用蓝光等短波激发荧光，各光色混合后形成白光。该种方式应用最为广泛，但是存在荧光粉转换效率低、封装工艺复杂等问题。2）采用红光led、绿光led和蓝光led封装制备得到显示模组，该种方法需要制作3种led，存在成本较高的问题。3）通过芯片工艺把红光led、绿光led和蓝光led三色led垂直堆叠在一起得到白光产品。本质上和方案2类似，优点是单个白光产品像素更小，缺点是技术难度更大，较难实现。

2、相较于上述3种方案，若在外延制程中直接制作全彩外延片，可以大大简化芯片制程，但是该种方法对外延的材料和结构设计要求提出了更高的要求。在现有的一种单片外延全彩技术中，使用ingan（铟镓氮）红光材料，通过不同的电流密度实现rgb三色发光。但是ingan的红光量子阱无法通过加大电流密度的方式实现蓝光发光（发光波长小于480nm），只能得到色域较低的全彩显示效果。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种单片全彩外延片，其特征在于，包括：生长衬底及形成于所述生长衬底表面的半导体多层结构，所述半导体多层结构包括通过一次外延工艺依次形成于所述生长衬底表面的n型GaN层、第一InGaN基多量子阱层、第二InGaN基多量子阱层及p型GaN层，所述第一InGaN基多量子阱层为靠近所述n型GaN层一侧的蓝光量子阱层、所述第二InGaN基多量子阱层为靠近p型GaN层一侧的红光量子阱层。

2.如权利要求1所述的单片全彩外延片，其特征在于，所述第一InGaN基多量子阱层的MQW个数为3~6；所述第二InGaN基多量子阱层的MQW个数为2~3。

3.如权利要求1或2所述的单片...

【技术特征摘要】

1.一种单片全彩外延片，其特征在于，包括：生长衬底及形成于所述生长衬底表面的半导体多层结构，所述半导体多层结构包括通过一次外延工艺依次形成于所述生长衬底表面的n型gan层、第一ingan基多量子阱层、第二ingan基多量子阱层及p型gan层，所述第一ingan基多量子阱层为靠近所述n型gan层一侧的蓝光量子阱层、所述第二ingan基多量子阱层为靠近p型gan层一侧的红光量子阱层。

2.如权利要求1所述的单片全彩外延片，其特征在于，所述第一ingan基多量子阱层的mqw个数为3~6；所述第二ingan基多量子阱层的mqw个数为2~3。

3.如权利要求1或2所述的单片全彩外延片，其特征在于，所述n型gan层和第一ingan基多量子阱层之间还...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂逵，练发东，张涛，
申请(专利权)人：晶能光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：