本发明实施例公开了一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，涉及液晶显示技术领域，用于提高有机薄膜晶体管阵列基板的制备效率。本发明中，通过一次构图工艺在绝缘基板上形成像素电极的图形层、以及位于像素电极的图形层之上的源电极与数据线的图形层和...

本发明公开了一种有机薄膜晶体管器件及其制作方法，该方法包括：在衬底上制备栅电极；制备覆盖衬底和栅电极的绝缘层；在绝缘层上制备与栅电极位置重叠的光刻胶图案；在光刻胶图案两侧的绝缘层上制备源电极、漏电极；剥离光刻胶图案；制备有机半导体层。采...

本发明涉及显示技术领域，提供了一种阵列基板和其制造方法以及显示装置。该阵列基板包括：在基板的一面上依次设置的有源层、第一绝缘层、栅极、栅极绝缘层、像素电极和源漏极；其中，所述第一绝缘层仅仅设置在所述有源层的图案上，所述像素电极与漏极直接...

本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底；栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括互不相邻的第一过渡区和第二过渡区以及所述第一过渡区和第二过渡区之间的沟道区；以及所述第一过渡区和所述第...

本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法，包括基板、依次在所述基板上制备的栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极、漏极和钝化层，其特征在于，所述有源层是由微晶硅构成，所述有源层包括有源层下部和有源层上部，其中，所述有源层下部是由...

本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构及其制造方法，用以减少掩膜次数，简化工艺流程，节约成本。该方法为：在基板上依次溅镀像素电极薄膜和钝化绝缘层薄膜，采用第一掩膜板进行掩膜曝光后再进行刻蚀，形成像素电极、钝化绝缘层和漏极过孔，然...

本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管，所述刻蚀阻挡层为金属层；所述薄膜晶体管还包括沟道保护层，所述沟道保护层为通过氧化处理后由所述金属层转变形成的非导电的氧化层。本发明还公开了一种氧化物薄膜晶体管制备方法，包括：由两层金属组成电极；对远离沟...

本发明公开了一种有机发光二极管显示装置、制作方法及显示系统，用以实现有机发光二极管显示装置的普通非透明显示和透明显示的兼容，能够实现普通的非透明显示效果和透明显示效果之间的切换。该显示装置包括：透明有机发光二极管OLED显示面板和光阀器...

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示设备，涉及电子工艺技术，通过改善蚀刻阻挡层的设计，使蚀刻阻挡层的面积大于或等于活化层的面积，并在源电极层、漏电极层与活化层的连接处设置有通孔，进而避免源电极层、漏电极层或活化层在与蚀刻阻挡层搭界...

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括：衬底板和分别位于衬底板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。由于阵列基板同时具有增强型的第一薄膜晶体管和耗尽型的第二薄膜晶体管，...

本发明提供一种TFT阵列基板，其包括：基板(1)和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极(2)、半导体层(5)、源电极(8)和漏电极(9)，所述半导体层(5)相邻的图层采用复合层结构，所述复合层结构包括由能够避免半导体层(5)失氧的绝缘材...

本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，涉及TFT-LCD技术领域。该方法包括步骤：S1.在玻璃基板上形成栅电极信号线以及栅电极，沉积栅电极绝缘层、有源层、及金属层，去除要形成数据线以及源漏电极处之外的金属层；S2.对要形成数据...

本发明公开了一种阵列基板制作方法，涉及显示技术领域，包括以下步骤：S1：在基板上形成包括半导体层、栅绝缘层、栅极和栅线的图形；S2：在步骤S1之后的基板上，未被所述栅绝缘层覆盖的半导体层图形上形成金属扩散层，其它区域形成阻挡层；S3：在...

本发明提供TFT阵列基板的制造方法、TFT阵列基板和液晶显示器，该方法包括：在基板上形成栅电极；在栅电极上形成栅电极绝缘层；在栅电极绝缘层上形成有源层；形成半导体掺杂层；以及形成源电极及漏电极，其特征在于，在形成半导体掺杂层之前在有源层...

本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板构造及其制造方法，用于节省生产流程，降低了生产成本，该方法为：在生成TFT-LCD阵列基板时，先构造源漏电极，再构造栅电极，即源漏电极和栅电极的位置，与传统生产工艺相比正好相反，这样，即通过3次掩膜...

本发明提供了薄膜晶体管的制造方法，其包括下列步骤：提供衬底，形成有源层，形成栅极金属层以及形成源漏金属层，该方法还包括在氧化气氛中加热所述有源层来形成第一栅极绝缘层。本发明还提供了一种薄膜晶体管以及包括该薄膜晶体管的显示器件。本发明的方...

本发明公开了一种静电释放(ESD)电路的沟道及其设计方法，通过一次构图工艺形成所述ESD电路区域的沟道和像素区域的沟道，所述ESD电路区域的每一个子沟道宽度，与像素区域的沟道宽度相同，即在制作掩膜板时，保证ESD电路区域的沟道的宽度与像...

本发明公开了一种TFT的制造方法，用于改善TFT的漏电流，提高LDD掺杂精度，且制造方法简单，适用于大规模生产。所述方法为：对TFT除沟道区外的所有区域进行LDD掺杂；使TFT栅极金属的源极电极一侧及漏极电极一侧均形成金属膜；以所述金属...

本发明公开了一种薄膜场效应晶体管器件及其制备方法，该方法包括：对SOI衬底的绝缘薄膜层上面的单晶硅薄膜层进行光刻和刻蚀，以刻蚀后的单晶硅薄膜层作为沟道；在制备出单晶硅沟道的SOI衬底的上面制备栅极绝缘层；制备栅极，以及制备漏电极和源电极...

本发明公开了一种扫描背光的方法，用于实现通过左右两侧灯条进行背光扫描，提高显示效果。所述方法用于控制液晶显示屏的背光源单元，该背光源单元包括左右两侧灯组，根据液晶显示屏中的像素的控制信号确定开启和关闭左右两侧灯组的时间；在扫描过程中，间...