专利查询
首页
专利评估
登录
注册
京东方科技集团股份有限公司专利技术
京东方科技集团股份有限公司共有49149项专利
阵列基板及其制造方法技术
本发明涉及阵列基板制造技术领域,提供了一种阵列基板及其制造方法,所述阵列基板的制造方法包括:在基板上形成栅电极和公共电极图形;形成栅绝缘层、有源层、源漏电极层和第一钝化层图形,所述第一钝化层具有连接孔和TFT沟道窗口,所述TFT沟道窗口...
一种TFT阵列基板的制造方法技术
本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法,包括如下步骤:通过构图工艺在基板上分别形成包括金属氧化物半导体层、透明像素电极、源电极、漏电极、刻蚀阻挡层、栅电极、栅极扫描线、栅极绝缘层、数据扫描线以及接触过孔的图形,其中,所述金属氧化物半导体...
一种TFT阵列基板的制造方法技术
本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法,其包括以下步骤:通过构图工艺在基板上分别形成包括栅电极、栅极扫描线、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、透明像素电极、源电极、漏电极、刻蚀阻挡层、数据线、保护层以及接触过孔的图形,所述金属氧化物半导体...
一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置制造方法及图纸
本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置,涉及显示技术领域,提高了TFT半导体有源层的载流子迁移率。该TFT阵列基板制造方法,包括:在基板上形成石墨烯层,通过第一次构图工艺处理及氢化处理,得到由石墨烯构成的半导体有源层;在石墨...
一种多晶硅TFT阵列基板的制造方法技术
本发明涉及液晶显示器制备领域,提供了一种多晶硅TFT阵列基板的制造方法,通过一道HTM或GTM掩膜工艺,完成了栅电极、多晶硅半导体和像素电极部分的构图处理。较现有技术中,先进行一次构图工艺处理得到多晶硅半导体部分,再进行一次构图工艺处理...
基板托盘及柔性电子器件制造方法技术
本发明公开了一种基板托盘,包括托盘基板,托盘基板上具有凹槽区和位于凹槽区外围的平面状的边缘区,凹槽区设置有多个凹槽。本发明还公开了一种柔性电子器件制造方法,将柔性基板放置在基板托盘上凹槽区上方;将附带柔性基板的基板托盘放入腔室内做抽真空...
一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示器件技术
本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示器件,涉及显示技术制造领域,相对现有mask工艺而言可减少mask工艺次数,降低制造成本,提高产品良品率,该方法包括,在基板上通过构图工艺形成栅极;在所述栅极和所述基板上形成栅绝...
一种金属氧化物表面处理方法和薄膜晶体管的制备方法技术
本发明提供一种金属氧化物表面处理方法和薄膜晶体管的制备方法,其中,所述金属氧化物表面处理方法包括:利用等离子体对待处理的器件进行表面处理;所述等离子体包括F基气体和O2的混合气体,所述待处理的器件为金属氧化物或镀有金属氧化物的制品。本发...
过孔的刻蚀方法、阵列基板、液晶面板及显示设备技术
本发明公开了一种过孔的刻蚀方法、阵列基板、液晶面板及显示设备,涉及液晶显示技术领域,解决了现有像素电极过孔的制造成本高,及过孔形貌不佳导致的薄膜晶体管液晶显示器良率降低等问题。本发明实施例将有机绝缘层的曝光、显影工艺与热磷酸的湿法刻蚀工...
一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜技术
本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法,该方法首先在基板上形成缓冲层和非晶硅层,随后对非晶硅层进行第一次激光退火处理,使非晶硅层转变为多晶硅生长底层,随后对多晶硅生长底层进行蚀刻处理,使第一次激光退火处理过程得到的多晶硅生长底层表面趋于...
基板温度管控系统及方法技术方案
本发明公开了一种基板温度管控系统及方法,涉及TFT-LCD制备技术领域。该系统包括:传送装置,用于传送待处理基板;检测装置,用于检测所述待处理基板的表面温度分布状况,并将检测到的温度分布数据发送至控制装置;调节装置,在所述控制装置的控制...
电子纸按钮及制造方法技术
本发明公开了一种电子纸按钮,涉及电泳型电子纸技术领域,包括:按钮、位于按钮上方的电泳显示功能膜,按钮表面附有与按钮上的公共电极不接触的底电极,电泳显示功能膜的电泳显示材料表面附有一层图案化导电层作为与底电极相对的对电极,对电极位于底电极...
一种移位寄存器、驱动电路及显示装置制造方法及图纸
本发明提供的一种移位寄存器,在将自身接收的启动电压延迟后输出同时,输出被延迟的启动电压的反向电压。该移位寄存器包括:电压移位模块,在第二启动电压信号的控制下,从第二输出端口输出与启动电压同向的电压;电压反向模块,在电压移位模块输出的电压...
移位寄存器单元、移位寄存器、显示面板及显示器制造技术
本发明公开了一种移位寄存器单元、移位寄存器、显示面板及显示器,属于显示器驱动技术,该移位寄存器单元包括:12个晶体管M1、M2,......,M12;1个电容C1;4个信号输入端INPUT、RESET、CLK、CLKB;一个信号输出端O...
一种栅极驱动电路及显示器制造技术
本发明提供一种栅极驱动电路及显示器,该栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器,所述移位寄存器包括:信号输出电路、信号输入电路、反向电路和逻辑电路,信号输出电路接收来自外部电路的正向时钟信号,信号输出电路包括时钟晶体管和电平晶体管,时钟晶体...
一种区域调光显示图像的方法、装置及系统制造方法及图纸
本发明提供一种区域调光显示图像的方法、装置及系统,其中,所述方法包括:接收一帧图像的图像信号;解析所述图像信号,获取与所述图像的亮光区域和插黑区域对应的背光控制信号;根据所述背光控制信号控制所述背光源对所述亮光区域输出亮光和对所述插黑区...
显示设备及其驱动方法技术
本发明公开了一种显示设备及其驱动方法,涉及2D/3D显示技术领域。该设备包括:显示面板,每个像素电极包括至少一个主像素电极以及至少一个辅助像素电极,相邻两行像素电极之间设置有一条栅线,每个像素电极被分成的各部分之间设置有一条栅线,相邻两...
侧光式LED背光源的动态控制方法技术
本发明公开了一种用于液晶屏的侧光式LED背光源的动态控制方法,所述侧光式LED背光源包括多组LED,所述方法包括:获取视频信号中当前帧原始图像的灰度数据;根据所述当前帧原始图像的灰度数据与各组LED对背光的贡献率的数据得到所述各组LED...
液晶背光源驱动电路制造技术
本发明公开了一种液晶背光源驱动电路,涉及液晶显示器领域。包括升压结构,所述升压机构包括电容C12、电容C13、电感L2、二极管D2以及金氧半场效晶体管Mosfet、电容C11、电容C14、二极管D3和二极管D4,其中,二极管D3的一端连...
AMOLED驱动电路、方法和AMOLED显示装置制造方法及图纸
本发明公开了一种AMOLED驱动电路、方法和AMOLED显示装置。该AMOLED驱动电路,其特征在于,包括:发光器件、第一开关管、调压模块、驱动管和电容。该AMOLED驱动电路中的驱动管在调压模块的控制下驱动发光器件,驱动管提供的驱动电...
首页
<<
2404
2405
2406
2407
2408
2409
2410
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133943
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81097
三星电子株式会社
68153
中兴通讯股份有限公司
67281
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51641
最新更新发明人
巨野鸿兴达塑业有限公司
17
皇家飞利浦有限公司
11143
湖南省交通规划勘察设计院有限公司
695
江西中天智能装备股份有限公司
225
北京中科同志科技股份有限公司
63
沈阳农业大学
3452
厦门大学
15691
上海复旦复华药业有限公司
54
广东工业大学
30694
南网数字运营软件科技广东有限公司
110