本技术涉及半导体激光器领域，提供一种低成本小型化半导体激光器光纤耦合模块，包括：一个COS热沉；n个单管激光器，封装在COS热沉上，n个单管激光器用于输出n束泵浦光，n≥2；一个快轴准直镜，沿竖向倾斜摆放，用于对n束泵浦光进行快轴准直，...

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种高速光子‑光子共振面发射激光器，包括衬底，在衬底上依次制备有N型DBR层、有源层和P型DBR层，在N型DBR层和有源层之间和/或者P型DBR层与有源层之间制备有电流限制层，其特征在于，P型DB...

本发明涉及激光器控制系统技术领域，具体提供一种Littman结构外腔激光器的控制系统，采用恒流源供电方式，包括微处理控制模块、2个功率MOSFET驱动模块、压控电流源模块、DC‑DC电压转换电路和3个TEC温度控制模块，通过2个功率MO...

本发明涉及光纤激光器技术领域，具体提供一种半导体激光器光纤耦合模块及光纤激光器，耦合模块通过将平面热沉进行倾斜设置，并设置两排激光单元阵列，每排激光单元阵列包括多个激光单元，两排激光单元阵列中的激光单元相错放置，以提供不同高度差的泵浦光...

本发明涉及半导体激光器领域，提供一种面发射激光器及其阵列，面发射激光器包括衬底，在衬底上依次制备有N型DBR层、有源层、电流限制层和P型DBR层，P型DBR层包括一个主腔P型DBR区和至少一个副腔P型DBR区，主腔P型DBR区、有源层与...

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种高掺杂的光子‑光子共振面发射激光器，包括从下到上的衬底、N型高掺杂层、N型DBR层、有源层、电流限制层和P型DBR层，P型DBR层包括主腔P型DBR区和至少一个副腔P型DBR区，主腔P型DBR...

本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种线型光束输出半导体激光器，它从下至上依次包括衬底、缓冲层、多个半导体序列层和盖层，相邻两个半导体序列层之间通过隧道结层连接，每个半导体序列层均包括从下至上的下包层、下波导层、有源层、上波导层和上包...

本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种多光束半导体激光器及其制备方法，激光器包括从下至上的N面金属电极、衬底、外延层、电绝缘层和P面金属电极；在外延层的表面向下刻蚀形成模式过滤结构，模式过滤结构的位置对应于特定阶数侧向模式的波峰处，以...

本发明涉及激光器技术领域，具体提供一种基模液晶可调谐VCSEL，在衬底上刻蚀有模式控制结构，模式控制结构呈现为多级向下的台阶状凹陷，使不同台阶位置的谐振腔光学长度不同，通过改变每级台阶状凹陷的深度，可调整谐振腔的光学长度，通过改变每级台...

本发明涉及半导体激光器领域，提供一种腔内接触的高速光子‑光子共振面发射激光器，包括N型衬底，在N型衬底上依次制备有N型接触层、N型DBR层、有源层、P型接触层和P型DBR层，在P型接触层和有源层之间和/或者N型接触层与有源层之间制备有电...

本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及光子‑光子共振面发射激光器，包括N型衬底，在N型衬底上依次制备有N型高掺杂层、N型DBR层、有源层、电流限制层和P型DBR层，P型DBR层包括一个主腔P型DBR层和至少一个副腔P型DBR层，主腔P...

本技术涉及光学滤波器芯片技术领域，尤其涉及一种宽调谐快速扫频滤波器芯片。包括衬底、分布布拉格反射镜、电极、相位匹配层、相变材料层；在所述衬底上紧密堆叠第一分布布拉格反射镜、第一电极；所述相变材料层的上下表面分别设置有所述相位匹配层，其中...

本发明涉及光电子器件技术领域，特别涉及一种宽调谐滤波波导及其制备方法，滤波波导包括绝缘衬底，在绝缘衬底的顶部依次制备底部电极层和透明介质层，在透明介质层上制备光波导槽，在透明介质上垂直于光波导槽的方向制备有间隔排列的折射率调节层，通过折...

本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种单模低发散角垂直腔面发射激光器

本发明涉及半导体激光器领域，提供一种低成本小型化半导体激光器光纤耦合模块，包括：一个

本发明涉及激光器技术领域，具体提供一种宽调谐范围的可调谐

本发明涉及半导体激光器领域，提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中的垂直腔面发射激光器包括

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种基模低发散角垂直腔面发射激光器

本发明涉及光学滤波器芯片技术领域，尤其涉及一种宽调谐快速扫频滤波器芯片。包括衬底、分布布拉格反射镜、电极、相位匹配层、相变材料层；在所述衬底上紧密堆叠第一分布布拉格反射镜、第一电极；所述相变材料层的上下表面分别设置有所述相位匹配层，其中...

本实用新型提供一种半导体芯片封装测试夹具，包括夹具底座，夹具底座包括铝合金底板和连接梁，连接梁固定连接在铝合金底板的上表面，在铝合金底板和连接梁上分别开设有用于实现与测试设备定位的圆形定位孔和腰形定位孔；连接梁将铝合金底板分成两个工作区...