本实用新型提供一种半导体芯片封装测试夹具，包括夹具底座，夹具底座包括铝合金底板和连接梁，连接梁固定连接在铝合金底板的上表面，在铝合金底板和连接梁上分别开设有用于实现与测试设备定位的圆形定位孔和腰形定位孔；连接梁将铝合金底板分成两个工作区...

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体提供一种基模低发散角垂直腔面发射激光器及其制备方法。包括：衬底、外延叠层、绝缘层、电传播层、接触层、介质膜DBR层、P型接触电极、N型接触电极；外延叠层位于衬底上表面；接触层位于外延叠层上表面的中心区...

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，具体提供一种局域空心光束垂直腔面发射激光器。激光器包括由下至上依次紧密堆叠的N型接触电极、衬底、N型DBR层、中部间隔结构和上部光学谐振结构；中部间隔结构包括多量子阱有源区、电流限制层、模式扩展层，模...

本实用新型提供了一种紧凑型半导体激光器光纤耦合模块，包括：第一半导体激光器组件、第二半导体激光器组件、偏振合束组件、聚焦镜、光纤；第一半导体激光器组件包括多个第一激光器单元；第二半导体激光器组件包括多个第二激光器单元；所述第一激光器单元...

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体提供一种局域空心光束垂直腔面发射激光器及其制备方法。激光器包括由下至上依次紧密堆叠的N型接触电极、衬底、N型DBR层、中部间隔结构和上部光学谐振结构；中部间隔结构包括多量子阱有源区、电流限制层、模式扩...

本实用新型公开了一种半导体激光器，从下至上依次包括：N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导层、有源区、第一P型波导层、刻蚀阻挡层、电流注入调控层、第二P型波导、P型包层、盖层和P面电极，所述电流注入调控层包括至少一个增益区及一个非增...

本实用新型公开了一种多有源区级联布拉格反射波导边发射半导体激光器，从下至上依次包括衬底、缓冲层、N型包层、N型波导层、级联多有源区、P型波导层、P型包层和盖层，所述波导层采用高、低折射率层周期排列组成的布拉格反射波导结构，所述级联多有源...

本实用新型涉及半导体激光器控制领域，具体涉及一种半导体激光器控制系统可以提供3路压控电压源模块输出，4路压控电流源模块输出，有多种电压、电流输出组合，通过上位机控制可驱动不同种类的激光器，设计中的压控电压源、压控电流源相对独立，可实现对...

本发明涉及半导体激光器控制领域，具体涉及一种半导体激光器控制系统可以提供3路压控电压源模块输出，4路压控电流源模块输出，有多种电压、电流输出组合，通过上位机控制可驱动不同种类的激光器，设计中的压控电压源、压控电流源相对独立，可实现对每一...

本发明涉及半导体激光器领域，具体提供一种面发射激光器及其制备方法，包括自上而下依次堆叠的第一型电极、光学谐振结构、第二型电极以及第二型衬底，光学谐振结构具有第一反射镜、第二反射镜以及位于第一反射镜和第二反射镜之间的有源区和光栅结构层，光...

本发明提供一种宽调谐快速扫频半导体激光器芯片，包括由光学刻蚀槽分割成的两个无源腔体区和位于两个无源腔体区之间的激光区和相位调节区，两个无源腔体区、激光区和相位调节区从下至上依次为衬底层、下P型半导体层、下i型半导体层、有源层、上i型半导...

本发明公开一种快速调谐的小型Littman结构外腔激光器，包括在光路上依次设置：增益芯片、第一准直镜、温度相位补偿器件、闪耀光栅、微会聚透镜、至少一个可变角度反射器、第二准直镜、振动相位补偿器件、光隔离器，还包括微位移驱动器，微位移驱动...

本实用新型公开了一种具有多个氧化层垂直腔面发射激光器，包括：从下至上依次设置N面电极、衬底、N型DBR、有源区、至少两个氧化层、P型DBR和P面电极，每个所述氧化层氧化末端均为光滑凹形曲面，每个所述光滑凹形曲面都位于一个光滑凹形曲面上。...

本实用新型实施例中提供一种激光扫描系统，包括激光器、准直单元、激光模式切换组件、微机电结构反射元件、成像系统以及光电探测器，通过激光模式切换组件和反射元件对高斯光束进行光束整形处理和特异性角度控制，使其可以精准地定位在需要成像和监测的机...

本发明实施例中提供一种激光扫描系统，包括激光器、准直单元、激光模式切换组件、微机电结构反射元件、成像系统以及光电探测器，通过激光模式切换组件和反射元件对高斯光束进行光束整形处理和特异性角度控制，使其可以精准地定位在需要成像和监测的机械臂...

本发明提供的一种目标物动作监测方法、装置以及计算机设备，由激光模式控制模块产生高斯光束，该模块分为线状激光、单点激光和多点激光三种模式。通过依次切换三种不同激光模式可以完成对目标物的扫描和定位，采用多种激光模式相互切换配合，通过激光模式...

本实用新型提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿...

本发明提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿层，...