一种半导体激光器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体激光器，从下至上依次包括：N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导层、有源区、第一P型波导层、刻蚀阻挡层、电流注入调控层、第二P型波导、P型包层、盖层和P面电极，所述电流注入调控层包括至少一个增益区及一个非增益区，通过选择性刻蚀电流注入调控层与二次外延生长，可实现载流子的完全控制，仅使增益区的电流注入到有源区，非增益区会形成p

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器


[0001]本技术属于半导体激光器
，涉及一种半导体激光器。

技术介绍

[0002]半导体激光器具有波长范围广、体积小、效率高、成本低、寿命长等优点，自其问世便成为信息领域的核心光源，并随着其功率提高还在泵浦、材料加工、传感、生物医疗、国防等许多领域具有非常重要的应用。与激光能量相关的应用通常要求激光具有一定能量密度，即要求高功率的同时兼具高的光束质量，以获得高的亮度。然而半导体激光器受自身结构特点限制，面临发散角大、光束质量差、亮度低的难题，限制了其直接应用。
[0003]传统的宽区半导体激光器虽然具有高功率、高效率的优点，但其侧向模式易受局域增益和折射率变化的影响，如刻蚀台面或沟槽产生的内建折射率、侧向载流子泄漏与集聚、热透镜效应、纵向非均匀效应、光丝效应及应力等，工作在复杂的多侧模模式，远场宽度随电流增大迅速展宽，光束质量非常差，导致输出激光亮度很低。
[0004]针对这些效应，大量的方法被提出，来控制半导体激光器的侧向模式，如反热透镜效应、台面边缘质子注入、锥形波导、倾斜波导、外腔结构、侧向谐振反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，从下至上依次包括：N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导层、有源区、第一P型波导层、刻蚀阻挡层、电流注入调控层、第二P型波导层、P型包层、盖层、P面电极，其中，所述电流注入调控层为N型高掺杂材料；所述电流注入调控层包括至少一个增益区及一个非增益区，所述非增益区位于每一个所述增益区的四周；所述的增益区为通过刻蚀掉电流注入区域对应的所述电流注入调控层形成的。2.根据权利要求1所述一种半导体激光器，其特征在于，所述增益区的形状包括圆、椭圆或多边形。3.根据权利要求1所述一种半导体激光器，其特征在于，每一个所述增益区的尺寸和间隔不同。4.根据权利要求2所述一种半导体激光器，其特征在于，所述增益区的形状为矩形。5.根据权利要求4所述一种半导体激光器，其特征在于，所述矩形增益区的宽度由所述电流注入调控层的中心向两侧递减。6.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪丽杰，佟存柱，刘亚楠，彭航宇，
申请(专利权)人：吉光半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：