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本实用新型公开了一种半导体激光器，从下至上依次包括：N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导层、有源区、第一P型波导层、刻蚀阻挡层、电流注入调控层、第二P型波导、P型包层、盖层和P面电极，所述电流注入调控层包括至少一个增益区及一个非增益区...
该专利属于吉光半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉光半导体科技有限公司授权不得商用。

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