一种半导体激光器及其制备方法技术

本公开提供了一种半导体激光器，包括：依次生长在衬底上的第一限制层、有源层、第二限制层及波导层，其中，波导层上表面部分刻蚀形成主振荡结构，另一部分刻蚀形成功率放大结构，其中，主振荡结构与功率放大结构之间设置电隔离区，主振荡结构用于产生种子源，功率放大结构用于将种子源进行功率放大后输出；其中，主振荡结构包括至少一组光子晶体结构，和/或功率放大结构包括至少一组光子晶体结构；光子晶体结构用于将多模的种子源转换为单模的种子源。本公开还提供了一种半导体激光器的制备方法。备方法。备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体激光器
，具体涉及一种半导体激光器及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体激光器由于具有结构灵活、插入损耗小、电光转换效率高、驱动简成、使用寿命长等一系列优点，已经广泛应用于光通信、光子集成、光泵浦、激光切割、激光显示、激光雷达等领域。近年来随着人们对通信容量、传输速率、信息整合等需求的日益增长，对系统光源性能也提出了更高的要求。对人眼安全、具有高功率、高转换效率、高调制特性、可靠性高的通信波段光源的需求变得越来越急迫。而直接调制半导体激光器由于不需要涉及复杂的计算和一系列先进格式调制，成为光通信系统、激光雷达系统的常用光源。为减少放大器的使用、提高系统性能与设计的灵活性，且为了有更远的探测距离和更精确的探测精度，需要实现大功率激光器的调制，然而由于激光器功率的利用率和带宽利用率不可同时兼得，直到随着光纤激光放大器技术的日益成熟，大功率的激光调制输出才得以实现，但同时也增加了系统的复杂性。目前商用的直接调制半导体激光器中，最常见的是分布反馈型激光器(distributed fe本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：依次生长在衬底(20)上的第一限制层(30)、有源层(40)、第二限制层(50)及波导层(60)，其中，所述波导层(60)上表面部分刻蚀形成主振荡结构(61)，另一部分刻蚀形成功率放大结构(62)，其中，所述主振荡结构(61)与所述功率放大结构(62)之间设置电隔离区，所述主振荡结构(61)用于产生种子源，所述功率放大结构(62)用于将所述种子源进行功率放大后输出；其中，所述主振荡结构(61)包括至少一组光子晶体结构(63)，和/或所述功率放大结构(62)包括至少一组光子晶体结构(63)；所述光子晶体结构(63)用于将多模的种子源转换为单模的种子源。2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述主振荡结构(61)为脊型波导结构或倒锥形波导结构。3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述功率放大结构(62)为锥形波导结构或双蝶形波导结构。4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述主振荡结构(61)与所述功率放大结构(62)邻近的一端宽度相等。5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述光子晶体结构(63)的刻蚀间距为1μm～15μm，周期为2μm～30μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑婉华，李晶，王海玲，渠红伟，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：