发光装置及其制造方法、投影仪以及显示器制造方法及图纸

本发明专利技术提供发光装置及其制造方法、投影仪以及显示器，能够使绝缘层的附着状况良好。发光装置具有：基板；层叠体，其设置于所述基板，具有多个柱状部；以及绝缘层，其覆盖所述多个柱状部，所述多个柱状部具有多个第一柱状部和多个第二柱状部，所述多个第一柱状部是设置于所述多个柱状部的最外侧的所述多个柱状部中的一部分柱状部，所述多个第二柱状部各自具有发光层，所述多个第一柱状部各自具有比所述多个第二柱状部中的最近的第二柱状部小的高度。个第二柱状部中的最近的第二柱状部小的高度。个第二柱状部中的最近的第二柱状部小的高度。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法、投影仪以及显示器


[0001]本专利技术涉及发光装置及其制造方法、投影仪以及显示器。

技术介绍

[0002]半导体激光器作为高亮度的下一代光源而受到期待。特别是，应用了纳米柱的半导体激光器由于纳米柱带来的光子晶体效应，期待能够以窄放射角实现高输出的发光。
[0003]例如在专利文献1中，记载了在SiC基板上具有多个依次层叠生长n型GaN层、发光层、p型GaN层而成的纳米柱的半导体发光元件。在专利文献1中，在纳米柱的末端形成p型电极后，挖入p型电极及纳米柱的一部分直至到达n型GaN层。
[0004]专利文献1：日本特开2010
‑
135858号公报
[0005]在上述那样的半导体发光元件中，例如，在形成与p型电极连接的布线的情况下，为了防止布线与纳米柱的接触，以覆盖纳米柱的方式形成绝缘层。然而，由于纳米柱与未设置纳米柱的n型GaN层的高低差大，因此有可能在形成有高低差的部分不带有绝缘层。

技术实现思路

[0006]本专利技术的发光装置的一个方式具备：基板；层叠体，其设置于所述基板，具有多个柱状部；以及绝缘层，其覆盖所述多个柱状部，所述多个柱状部具有多个第一柱状部和多个第二柱状部，所述多个第一柱状部是设置在所述多个柱状部的最外侧的所述多个柱状部中的一部分柱状部，所述多个第二柱状部各自具有发光层，所述多个第一柱状部各自具有比所述多个第二柱状部中的最近的第二柱状部小的高度。
[0007]本专利技术的发光装置的制造方法的一个方式具备如下工序：在基板上形成具有多个柱状部的层叠体；以及形成覆盖所述多个柱状部的绝缘层，在形成所述层叠体的工序中，形成具有多个第一柱状部和多个第二柱状部的所述多个柱状部，所述多个第一柱状部是形成于所述多个柱状部的最外侧的所述多个柱状部中的一部分柱状部，形成具有发光层的所述多个第二柱状部，所述多个第一柱状部各自具有比所述多个第二柱状部中的最近的第二柱状部小的高度。
[0008]本专利技术的投影仪的一个方式具有所述发光装置的一个方式。
[0009]本专利技术的显示器的一个方式具有所述发光装置的一个方式。
附图说明
[0010]图1是示意性地表示第一实施方式的发光装置的剖视图。
[0011]图2是示意性地表示第一实施方式的发光装置的俯视图。
[0012]图3是示意性地表示参考例的发光装置的剖视图。
[0013]图4是用于说明第一实施方式的发光装置的制造方法的流程图。
[0014]图5是示意性地表示第一本实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0015]图6是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0016]图7是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0017]图8是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0018]图9是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0019]图10是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0020]图11是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0021]图12是示意性地表示第一实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0022]图13是示意性地表示第二实施方式的发光装置的剖视图。
[0023]图14是示意性地表示第二实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0024]图15是示意性地表示第二实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0025]图16是示意性地表示第二实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0026]图17是示意性地表示第三实施方式的发光装置的剖视图。
[0027]图18是示意性地表示第三实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0028]图19是示意性地表示第四实施方式的发光装置的剖视图。
[0029]图20是示意性地表示第四实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0030]图21是示意性地表示第四实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0031]图22是示意性地表示第四实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0032]图23是示意性地表示第五实施方式的发光装置的剖视图。
[0033]图24是示意性地表示第五实施方式的发光装置的制造工序的剖视图。
[0034]图25是示意性地表示第六实施方式的投影仪的图。
[0035]图26为示意性地表示第七实施方式的显示器的俯视图。
[0036]图27为示意性地表示第七实施方式的显示器的剖视图。
[0037]标号说明
[0038]2：第一区域；4：第二区域；6：第三区域；8、8a、8b：列；10：基板；20：层叠体；22：缓冲层；24：掩模层；26：开口部；30：柱状部；30a、30a1、30a2：第一柱状部；30b、30b1、30b2：第二柱状部；30c：第三柱状部；30d：第四柱状部；32：第一半导体层；34：MQW层；36：第二半导体层；40：绝缘层；42：接触孔；50：第一电极；52：第二电极；60：第一布线；62：第二布线；70：连接盘；100：发光装置；130：高柱状部；132：低柱状部；140：硬掩模层；150：抗蚀剂层；200、300、400、500：发光装置；800：投影仪；802R：第一光学元件；802G：第二光学元件；802B：第三光学元件；804R：第一光调制装置；804G：第二光调制装置；804B：第三光调制装置；806：十字分色棱镜；808：投射装置；810：屏幕；900：显示器；910：电路基板；912：显示区域；914：数据线驱动电路；916：扫描线驱动电路；918：控制电路；920：透镜阵列；922：透镜；930：散热器；1000：发光装置；1020：层叠体；1030：柱状部；1030a：第一柱状部；1030b：第二柱状部；1040：绝缘层；1060：布线。
具体实施方式
[0039]以下，使用附图对本专利技术的优选实施方式进行详细说明。另外，以下说明的实施方式并不对权利要求书所记载的本专利技术的内容进行不当限定。此外，以下所说明的全部结构并不一定都是本专利技术的必要结构要件。
[0040]1.第一实施方式
[0041]1.1.发光装置
[0042]首先，参照附图对第一实施方式的发光装置进行说明。图1是示意性地表示第一实施方式的发光装置100的剖视图。图2是示意性地表示第一实施方式的发光装置100的俯视图。另外，图1是图2的I
‑
I线剖视图。另外，在图1以及图2中，作为相互正交的3个轴，示出了X轴、Y轴以及Z轴。
[0043]如图1和图2所示，发光装置100例如具有基板10、层叠体20、绝缘层40、第一电极50、第二电极52、第一布线60、第二布线62和连接盘70。发光装置100例如是半导体激光器。
[0044]基板10例如是Si基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其具备：基板；层叠体，其设置于所述基板，具有多个柱状部；以及绝缘层，其覆盖所述多个柱状部，所述多个柱状部具有多个第一柱状部和多个第二柱状部，所述多个第一柱状部是设置在所述多个柱状部的最外侧的所述多个柱状部中的一部分柱状部，所述多个第二柱状部各自具有发光层，所述多个第一柱状部各自具有比所述多个第二柱状部中的最近的第二柱状部小的高度。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置具有设置于所述绝缘层、用于向所述发光层注入电流的布线，从所述基板的垂线方向观察时，所述布线与所述多个第一柱状部重叠。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述多个柱状部具有第三柱状部和第四柱状部，所述第三柱状部与所述多个第一柱状部之一相邻，所述第四柱状部与所述第三柱状部相邻，所述多个第一柱状部之一、所述第三柱状部、所述第四柱状部按照所述多个第一柱状部之一、所述第三柱状部、所述第四柱状部的顺序在远离所述多个柱状部的最外侧的方向上排列，所述第四柱状部的高度小于所述多个第二柱状部各自...

【专利技术属性】
技术研发人员：高栁贤太郎，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：