本发明公开了一种具有自清洁功能的金刚石薄膜生产用废气处理设备，涉及废气处理技术领域，包括基座，所述基座的顶部固定安装有设备壳体，所述设备壳体的一侧固定连通有方腔管，且方腔管的一端固定连通有接通管头，还包括过滤组件和喷淋组件，所述过滤组件...

本发明适用于涂层制备技术领域，提供了一种基于PECVD的燃料电池金属极板碳基涂层制备装置，包括：控制器；真空泵，所述真空泵的驱动电机与控制器建立电性连接；射频电源，所述射频电源与控制器建立电性连接；涂层组件，所述涂层组件包括反应室、射频...

本发明涉及金刚石镀膜技术领域，具体为一种碳基类金刚石薄膜制备用镀膜装置，包括设备箱，设备箱的内侧固定安装有用于隔热以及稳定作用的稳定桶，稳定桶的上端固定安装有若干支撑架，支撑架的上端固定安装有安装环，安装环的上端设置有用于更好使样品镀膜...

本发明公开了一种提升类金刚石碳基膜层结合力等级的薄膜结构，包括：基体材料；沉积于基体材料表面的金属打底层；沉积于金属打底层表面的金属氮化物过渡层；沉积于金属氮化物过渡层表面的金属碳化物过渡层；沉积于金属碳化物过渡层表面的类金刚石碳基薄膜...

本实用新型适用于镀膜技术领域，提供了基于PVD镀膜的纳米多层AlCrN/CrN超厚膜材料，解决了镀膜过渡过程会在靶材表面生成大小和数量都不可控的液滴，这些大液滴会被喷溅到正在生长的膜层当中，并一起被沉积到产品表面，从而使得镀膜层出现缺陷...

本发明公开了适用于半导体行业的含硅含氧的高阶静电消散薄膜复合新材料及其制备方法。本发明采用了PVD弯管磁过滤电弧物理气相沉积技术，通过在现有的四面体类金刚石碳基薄膜材料基础上，额外掺杂硅和氧元素，制备了一种新型的类金刚石碳基薄膜材料，该...

本发明公开了面向半导体领域的高阶静电消散碳基多元复合薄膜材料及其制备方法，解决了传统薄膜材料如阳极氧化层和特氟龙喷涂层的电阻值过高、表面耐磨性较差、化学及耐温性能不够稳定等综合技术难点。此材料采用了先进的阳极层离子源和非平衡磁控溅射两种...