面发射激光器及其阵列制造技术

本发明专利技术涉及半导体激光器领域，提供一种面发射激光器及其阵列，面发射激光器包括衬底，在衬底上依次制备有N型DBR层、有源层、电流限制层和P型DBR层，P型DBR层包括一个主腔P型DBR区和至少一个副腔P型DBR区，主腔P型DBR区、有源层与N型DBR层构成主谐振腔，副腔P型DBR区、有源层与N型DBR层构成副谐振腔，主谐振腔与副谐振腔之间通过离子注入进行电隔离，在主腔P型DBR区上制备有高阶模式过滤层，用于对高阶模式进行损耗，实现基横模的稳定输出。本发明专利技术在光子‑光子共振VCSEL的基础上，对应于高阶模式激射的位置制备高阶模式过滤层，对高阶模式进行损耗，以滤除多横模，实现基横模的稳定输出，从而降低噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，特别涉及一种面发射激光器及其阵列。

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser，简称vcsel)具有低阈值、低功耗、小发散角等优点，是光纤通信、光互连领域的核心光源。近年来，随着信息化社会的发展，提高数据速率变得尤为重要。传统的vcsel结构由于热和寄生等因素的限制，带宽无法一直突破。所以，很多创新型的vcsel结构被相继提出，光子-光子共振结构vcsel是已经被验证有效的高速面发射激光器结构之一，由于其横向尺寸较大，通常是多横模激射，导致光谱线宽和远场发散角增大。多横模的存在，增大了噪声，减小了光的相干特性，阻碍了光子-光子共振结构vcsel的应用领域的拓展。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服已有技术的缺陷，提出一种面发射激光器及其阵列，通过在p型dbr层上制备高阶模式过滤层，以滤除多横模，降低噪声。

2、为实现上述目的，本专利技术采用以下具体技术方案：

3、本专利技术提供的面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种面发射激光器，包括衬底，在所述衬底上依次制备有N型DBR层、有源层和P型DBR层，在所述N型DBR层和所述有源层之间和/或者所述P型DBR层与所述有源层之间制备有电流限制层，其特征在于，所述P型DBR层包括一个主腔P型DBR区和至少一个副腔P型DBR区，所述主腔P型DBR区、所述有源层与所述N型DBR层构成主谐振腔，所述副腔P型DBR区、所述有源层与所述N型DBR层构成副谐振腔，所述主谐振腔与所述副谐振腔之间通过离子注入进行电隔离，在所述主腔P型DBR区上制备有高阶模式过滤层，用于对高阶模式进行损耗，实现基横模的稳定输出。

2.根据权利要求1所述的面发射激光器，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种面发射激光器，包括衬底，在所述衬底上依次制备有n型dbr层、有源层和p型dbr层，在所述n型dbr层和所述有源层之间和/或者所述p型dbr层与所述有源层之间制备有电流限制层，其特征在于，所述p型dbr层包括一个主腔p型dbr区和至少一个副腔p型dbr区，所述主腔p型dbr区、所述有源层与所述n型dbr层构成主谐振腔，所述副腔p型dbr区、所述有源层与所述n型dbr层构成副谐振腔，所述主谐振腔与所述副谐振腔之间通过离子注入进行电隔离，在所述主腔p型dbr区上制备有高阶模式过滤层，用于对高阶模式进行损耗，实现基横模的稳定输出。

2.根据权利要求1所述的面发射激光器，其特征在于，所述高阶模式过滤层的厚度为激光器输出波长的1/4。

3.根据权利要求2所述的面发射激光器，其特征在于，所述高阶模式过滤层为在所述主腔p型dbr区上刻蚀的光栅或环形结构。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的面发射激光器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：佟海霞，佟存柱，
申请(专利权)人：吉光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：