【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子装置，以及一种微半导体结构共晶接合的电子装置及其制造方法。
技术介绍
1、传统发光二极管(边长大于150微米以上)在制造光电装置的过程中，是以磊晶(epitaxy)、黄光、镀金属、蚀刻等工艺制作发光二极管之后，经切割得到一颗一颗的发光二极管晶粒，并利用引线接合或共晶接合使发光二极管的电极与电路衬底电连接。但是，对于微发光二极管而言，由于尺寸相当小(例如只有25微米或更小)，无法以传统的引线接合或共晶接合的设备进行电极的电连接。
2、因此，对微米尺寸或更小的微发光二极管或微半导体结构进行电连接，业界亟需有对应的方式。
技术实现思路
1、本专利技术为提供一种电子装置及其制造方法，可广泛应用于不同微半导体结构的电子装置。
2、本专利技术为提供一种电子装置及其制造方法，可解决因微米尺寸或更小的微半导体结构的电连接需求。
3、本专利技术提供一种电子装置包括：目标衬底、阵列式微半导体结构、阵列式接合件、以及接合层。阵列式微半导体结构设在目标衬底...
【技术保护点】
1.一种电子装置，所述电子装置包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述导电垫片和所述至少一个导电电极在通过施压装置对所述至少一个微半导体结构施压时彼此共晶键合，并且其中，所述施压装置的尺寸小于所述接合层的尺寸。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述施压装置的尺寸小于所述接合层的尺寸。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合件是通过铟金合金系统的共晶键合形成的。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合件是通过铟镍合金系统的共晶键合形成的。
6.根据权利要求1所述的电子装置...
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，所述电子装置包括：
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述导电垫片和所述至少一个导电电极在通过施压装置对所述至少一个微半导体结构施压时彼此共晶键合，并且其中，所述施压装置的尺寸小于所述接合层的尺寸。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述施压装置的尺寸小于所述接合层的尺寸。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合件是通过铟金合金系统的共晶键合形成的。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合件是通过铟镍合金系统的共晶键合形成的。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合层的高分子材料包括环氧树脂材料或亚克力材料。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合层的高分子材料具有170℃-220℃的固化温度。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合层的高分子材料具有大于240℃的玻璃转移温度。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述接合件包括连接至对应的微半导体结构的第一端、连接至所述衬底的第二端、以及连接至所述第一端和所述第二端的周部，并且
10.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述衬底的材料包括聚合物、塑料、树脂、聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸伸乙基酯、金属、金属箔、玻璃、石英、玻璃纤维、可挠性玻璃、半导体、蓝宝石、金属-玻璃纤维复合板或金属-陶瓷复合板。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述导电垫片的一个单位包括一对导电垫片，并且所述微半导体结构是双电极结构。
12.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述微半导体结构的尺寸是25微米或更小。
13.一种电子装置的制造方法，所述电子装置的制造方法包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的电子装置的制造方法，其中，所述高分子材料不导电。
15.根据权利要求13所述的电子装置的制造方法，其中，所述高分子材料定义有黏滞度-温度变化特征，其中，所述高分子材料在第一温度具有第一黏滞性，在第二温度具有第二黏滞性，在第三温度具有第三黏滞性，在第四温度具有第四黏滞性，并且在第五温度具有第五黏滞性，其中，所述第一温度至所述第五温度依次增加，其中，所述第一温度为常温，并且所述第五温度为玻璃转移温度，其中，所述第三黏滞性和所述第五黏滞性是极限值，其中，所述第三黏滞性为极小值并且所述第五黏滞性为极大值，并且其中，所述第二黏滞性邻近所述第三黏滞性。
16.根据权利要求15所述的电子装置的制造方法，其中，所述第一金属和所述第二金属具有共晶温度，并且所述共晶温度介于所述第三温度和所述第四温度之间。
17.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法，所述电子装置的制造方法还包括以下步骤：
18.根据权利要求15所述的电子装置的制造方法，其中，所述...
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