宽调谐范围的可调谐制造技术

本发明专利技术涉及激光器技术领域，具体提供一种宽调谐范围的可调谐

【技术实现步骤摘要】
宽调谐范围的可调谐MEMS
‑
VCSEL


[0001]本专利技术涉及激光器
，具体提供一种宽调谐范围的可调谐
MEMS
‑
VCSEL。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器，简称
(VCSEL)
，它具有低阈值电流
、
圆形光斑
、
高调制带宽
、
单纵模激射
、
易于实现高密度二维阵列
、
制作成本较低等诸多优点，在许多领域中都具有广泛得应用
。
通过将微机
‑
电系统
(MEMS)
技术与
VCSEL
激光器集成，
MEMS
结构与
VCSEL
间有空气隙，通过外部电极控制
MEMS
结构产生位移，使空气隙的厚度发生改变，空气隙厚度的改变导致
VCSEL
的谐振腔的共振长发生了变化
。
因此，通过连续的改变
MEMS
>的外部控制电压可实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种宽调谐范围的可调谐
MEMS
‑
VCSEL
，其特征在于，包括
VCSEL
单元和
MEMS
单元；
MEMS
单元包括：第一厚度控制层，其设置在
VCSEL
单元的电极上，并在内部形成第一空气层，所述第一厚度控制层用于控制所述第一空气层的厚度；
MEMS
悬臂，其设置在所述第一厚度控制层上，可通过施加电压使所述
MEMS
悬臂产生形变，改变谐振腔长，进而实现对输出波长的调谐；第一
MEMS
电极，其设置在出光口外侧的所述
MEMS
悬臂的上表面上，所述
MEMS
悬臂的上表面中央位置上设置有第二
DBR
，所述第二
DBR
为不同折射率半导体材料交替生长的周期结构，所述第二
DBR
的周期数小于所述第一
DBR
的周期数，所述第一
DBR
和所述第二
DBR
构成谐振腔；第二厚度控制层，其设置在所述第一
MEMS
电极的上表面边缘位置上，并在内部形成第二空气层，所述第二厚度控制层用于控制所述第二空气层的厚度；第二
MEMS
电极，其设置在出光口外侧的所述第二厚度控制层上
。2.
如权利要求1所述的宽调谐范围的可调谐
MEMS
‑
VCSEL
，其特征在于，
VCSEL
单元包括：第一
VCSEL
电极；衬底，其设置在所述第一
VCSEL
电极上；第一
DBR
，其设置在所述衬底上，为不...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小龙，于舒睿，蒋宁，佟存柱，
申请(专利权)人：吉光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：