一种MEMS芯片封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS芯片封装结构及其封装方法，封装结构包括：置于底层的封装管壳、固接于封装管壳腔体中的T型硅基板以及设于T型硅基板顶面的ASIC电路芯片和MEMS芯片，T型硅基板底面的中轴线上设有下凸台，下凸台用于将T型硅基板固接在封装管壳的顶面上；T型硅基板顶面设有用于固接ASIC电路芯片的第一粘片区和用于固接MEMS芯片的第二粘片区；第一粘片区和第二粘片区的外侧均环绕有多孔阵列结构，多孔阵列结构中的阵列孔贯穿T型硅基板。本发明专利技术实现了MEMS芯片与封装管壳以及ASIC电路芯片之间的温度和应力双重隔离。片之间的温度和应力双重隔离。片之间的温度和应力双重隔离。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS芯片封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及一种MEMS芯片封装结构及其封装方法，属于电子电路


技术介绍

[0002]传统基于硅基板的平面两片式MEMS芯片封装结构剖视图，由封装管壳、硅基板、ASIC电路芯片、MEMS芯片和粘接胶组成，硅基板通过粘接胶面粘于封装管壳上，ASIC电路芯片和MEMS芯片分别粘接于硅基板上表面的两侧。采用这种封装方式有两个很大的弊端：（1）由于封装管壳、硅基板、粘接胶、MEMS芯片为不同材料，粘接胶固化是在高温下进行的，其恢复至常温时由于各种材料的热膨胀系数差异产生热失配，导致芯片中产生残余应力。MEMS器件尺寸微小，测量精度要求高，对封装引起的残余应力更为敏感，经过温度变化或者长期贮存之后，器件内部残余应力会随温度和时间发生变化，性能也随之变化，从而产生器件的温度稳定性和长期稳定性问题。（2）硅基板采用的单晶硅材料的热导率高，ASIC电路芯片持续工作时会产生大量的热量，热量将通过硅基板直接传到MEMS芯片上，从而导致MEMS芯片温度上升，同时产生机械热应力。这两个弊端都抑制器件分辨率、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MEMS芯片封装结构，其特征在于，包括：置于底层的封装管壳、固接于封装管壳腔体中的T型硅基板以及设于T型硅基板顶面的ASIC电路芯片和MEMS芯片，所述T型硅基板底面的中轴线上设有下凸台，所述下凸台用于将所述T型硅基板固接在所述封装管壳的顶面上；所述T型硅基板顶面设有用于固接ASIC电路芯片的第一粘片区和用于固接MEMS芯片的第二粘片区；所述第一粘片区和第二粘片区的外侧均环绕有多孔阵列结构，所述多孔阵列结构中的阵列孔贯穿所述T型硅基板；所述ASIC电路芯片和MEMS芯片通过金丝引线键合连接，实现器件内部电信号互联；所述ASIC电路芯片和所述封装管壳的内腔通过金丝引线键合连接，实现器件内部与外部信号互联。2.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述下凸台设于T型硅基板底面的中轴线上，包括2个上下对称分布的用于粘胶的浅腔体。3.根据权利要求2所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述浅腔体包括粘胶区和溢胶区，所述粘胶区与溢胶区连通，所述粘胶区的腔体深度大于所述溢胶区的腔体深度，以使粘胶区多余的粘接胶流入所述溢胶区。4.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述第一粘片区和第二粘片区对称设于所述T型硅基板的中轴线的两侧。5.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述多孔阵列结构的形状为多边形或环形。6.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构，其特征在于，所述多孔阵列结构中的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：商兴莲，凤瑞，周六辉，李厚旭，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：