【技术实现步骤摘要】
包括具有防粘滞突起的掩埋腔的MEMS结构及其制造方法
[0001]本公开涉及微机械或微机电结构、其制造方法以及MEMS换能器，具体地，该结构包括具有在其中延伸的一个或多个防粘滞凸块的掩埋腔。
技术介绍
[0002]众所周知，集成压力传感器可以采用微制造技术。这些传感器通常包括被悬置在半导体主体中具有的腔之上的薄膜或隔膜。彼此连接的压阻元件形成在膜内，并且连接在惠斯通电桥中。当受到压力时，膜发生变形，导致压阻元件的电阻的变化，并且因此导致惠斯通电桥的不平衡。备选地，电容式传感器是可用的，其中膜提供电容器的第一板，而第二板由固定参考提供。在使用中，膜的偏转生成电容器的电容的变化，该电容的变化可以被检测，并且与施加在膜上的压力相关联。
[0003]在微机械器件中在特定条件发生的显著缺陷为固定元件的可移动结构和与其相邻的固定元件的不可逆粘滞或者和衬底的不可逆粘滞。很明显，该现象可能会以不可预测的方式带来严重后果，甚至使得受影响的MEMS系统无法工作。具体地，在膜的情况下，膜与该膜悬置在其上的衬底的粘滞使其不可用。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：半导体主体；腔，被掩埋在所述半导体主体中，所述腔由第一壁、与所述第一壁相对的第二壁以及在所述第一壁与所述第二壁之间耦合的第三壁和第四壁内部地界定；以及膜，延伸包括所述腔的所述第一壁，所述膜具有被完全包含在所述腔中的第一防粘滞凸块和第二防粘滞凸块，所述第一防粘滞凸块从所述第一壁中的一个壁突出，并且所述第二防粘滞凸块从所述第二壁突出，所述第一防粘滞凸块和所述第二防粘滞凸块被居中安置在所述腔中。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第二防粘滞凸块与所述第一防粘滞凸块对准，并且面向所述第一防粘滞凸块。3.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一防粘滞凸块和所述第二防粘滞凸块朝向彼此突出。4.根据权利要求3所述的结构，其中所述半导体主体、所述膜、所述第一防粘滞凸块以及所述第二防粘滞凸块是单晶硅的。5.根据权利要求4所述的结构，其中所述第一防粘滞凸块和所述第二防粘滞凸块具有在0.01μm至1μm的范围内的沿第一方向的厚度。6.根据权利要求1所述的结构，其中所述半导体主体包括：第一管芯，具有容纳所述第一防粘滞凸块的第一凹部；以及第二管芯，具有第二凹部，其中所述第一管芯和所述第二管芯通过耦合区域彼此耦合，所述第一凹部和所述二凹部一起形成包含所述第一防粘滞凸块的所述腔。7.根据权利要求6所述的结构，其中所述第二管芯在所述第二凹部中容纳所述第二防粘滞凸块。8.一种用于制造结构的方法，所述方法包括：在所述半导体主体的第一表面区域处形成第一柱状部分，所述第一柱状部分具有第一底面积值并且通过第一沟槽彼此分离；在所述半导体主体与所述第一表面区域邻接的第二表面区域处形成至少一个第二柱状部分，所述第二柱状部分具有与所述第一底面积值不同的第二底面积值；在所述第一柱状部分和所述第二柱状部分以及所述第一沟槽之上外延生长半导体材料的膜层；以及进行使所述第一柱状部分和所述第二柱状部分的半导体材料迁移的退火，从而同时形成：掩埋腔，位于所述膜层下方的所述半导体主体中，由第一壁、与所述第一壁相对的第二壁以及在所述第一壁与所述第二壁之间耦合的第三壁和第四壁内部地界定；以及至少一个第一防粘滞凸块，被完全地包含在所述腔中，从所述第一壁和所述第二壁中的一个壁突出。9....
【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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