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嘉兴学院专利技术
嘉兴学院共有3158项专利
一种永磁式磁悬浮减振弹簧制造技术
一种永磁式磁悬浮减振弹簧,包括,壳体,包括,底板、外壳及端盖;底板、端盖中央开设一通孔,且通孔处设轴承;定子,其为永磁体,环状结构,设于壳体内,并固定于外壳内壁;动子,其为永磁体,环状结构,设于定子内侧;动子外表面与定子内壁之间有间隙,...
带空气阻尼腔的永磁式磁悬浮减振弹簧制造技术
带空气阻尼腔的永磁式磁悬浮减振弹簧,包括壳体,其包含底板、外壳及端盖;底板、端盖中央开设通孔,且通孔处设轴承;定子,永磁体,环状结构,设于壳体内,并固定于外壳内壁;动子,永磁体,环状结构,设于定子内侧;动子外表面与定子内壁之间有间隙,间...
带电磁制动的永磁式磁悬浮减振弹簧制造技术
带电磁制动的永磁式磁悬浮减振弹簧,包括壳体,壳体的底板、端盖中央开设通孔,通孔处设轴承;定子,永磁体,环状结构,设于壳体内;动子,永磁体,环状结构,设于定子内侧;动子外表面与定子内壁之间有间隙,间隙中放置铁磁材料粉末;二垫片,分别设于定...
带空气阻尼腔的可控式永磁磁悬浮减振弹簧制造技术
带空气阻尼腔的可控式永磁磁悬浮减振弹簧,包括,基座,柱体结构,其中央开设一腔体作为阻尼空气腔;支撑轴,其一端插设于阻尼空气腔;罩壳,固定于基座;动子,设于支撑轴上;其上设导杆,基座上开有孔道;位移传感器,设于基座上孔道端口并对应导杆;定...
一种永磁式磁悬浮减振弹簧制造技术
一种永磁式磁悬浮减振弹簧,包括壳体,包括底板、外壳及端盖;底板、端盖中央开设一通孔,且通孔处设轴承;定子,其为永磁体,环状结构,设于壳体内,并固定于外壳内壁;动子,其为永磁体,环状结构,设于定子内侧;动子外表面与定子内壁之间有间隙,间隙...
防漏电电机联接轴制造技术
一种防漏电电机联接轴,为一个圆柱体,圆柱体的中心有一个轴向的通孔(1),此通孔的直径与电机轴的直径相一致,通孔的侧壁上有一条键槽(2)。上述圆柱体是由多层无碱玻璃纤维布(3)相复合而成,无碱玻璃纤维布之间填充着有机硅胶层(4)。无碱玻璃...
建筑用多功能无纺材料制造技术
建筑用多功能无纺材料,其包括基体、底层改性层;其中,基体材料组成质量百分比为:涤纶纤维30~70%、聚丙烯纤维30~50%、0<负离子纤维≤10%、0<静电纤维≤10%;底层改性层包含阻燃剂。本发明具阻燃、抗静电、隔热、吸声和环境友好性...
一种沙漠治理装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种沙漠治理装置,包括,支柱,固定块,分别安装于支柱上;转动架,其为框架结构,一侧设一滚动轴,该滚动轴的两端分别安装于所述的固定块内,转动架以滚动轴转动开合;滚轴,两端固定于支柱上部;滑轮,安装于滚轴上,由滚轴带动滑轮转...
一种用于大面积高含水率土体脱水的电渗方法和设备技术
一种用于大面积高含水率土体脱水的电渗方法和设备,其操作步骤如下:(1)恒流启动:采用稳流输出方式,即输出电流恒定,输出电压变化;(2)恒压保持:当输出电压达到设定值时转为稳压输出,即输出电压恒定,输出电流变化,保持较长时间的稳定工况;(...
医用纱布不使用化学螯合剂的复合酶煮漂工艺制造技术
一种医用纱布不使用化学螯合剂的复合酶煮漂工艺,包括酶煮练工序和漂白工序。其中酶煮练工序中用复合酶对纱布进行煮练,漂白工序用双氧水进行漂白,酶煮练工序中不使用化学螯合剂,酶煮练后用重量百分比浓度3~5%的NaOH溶液进行洗涤,然后再用双氧...
一种使用臭氧水漂白纱布的方法技术
一种使用臭氧水漂白纱布的方法,在配料桶中将臭氧通入弱酸性的水溶液中并加入表面活性剂配制成臭氧水;将经酶煮练、碱洗和水洗后的纱布放在漂白锅内,加入臭氧水进行漂白;漂白结束后,放去臭氧水,对纱布进行水洗和热水洗。漂白过程中将配料桶中的部分臭...
一种具有抗菌作用的含银甲壳胺纤维及制备方法技术
本发明涉及一种具有抗菌作用的含银甲壳胺纤维及制备方法。本发明公开的具有抗菌作用的含银甲壳胺纤维由重量百分比配方为甲壳胺粉末90.0-99.9%和不溶于水的银化合物微小颗粒0.1-10%制成。本发明纤维抗菌效果明显,作为医用敷料使用能有效...
一种可控垂直浸渍液相外延膜生长装置制造方法及图纸
一种可控垂直浸渍液相外延膜生长装置,包括,炉体,其具有一个一端开口的腔体结构,其开口处设炉盖,炉盖上开有通孔;第一发热体,设置于炉体腔体结构内侧;炉管,设于炉体腔体结构内,其底部放置耐火砖;坩埚,设于耐火砖上;籽晶杆,通过炉体炉盖伸入炉...
一种电阻加热垂直多坩埚晶体下降法生长系统技术方案
本实用新型涉及一种晶体生长装置,尤其是一种采用垂直多坩埚下降法生长晶体的装置。这种电阻加热垂直多坩埚下降晶体生长系统,包括晶体炉、坩埚、晶体台和温度控制装置。晶体炉炉体从外到内包括外壳、保温棉、保温砖层、耐火层、摩根砖、工字砖层和支撑架...
一种程控晶体生长装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种全自动控制晶体生长装置。其炉膛内温度监测、控制和温场变化数据记录均全部可以编程实时控制。这种晶体生长装置,包括晶体炉、坩埚和晶体台及温度控制装置。其中温度控制装置包括单片机、可控硅、温度检测探头和变压器;单片机通过信号...
晶体生长原料处理系统技术方案
本实用新型公开了一种晶体生长原料处理系统,它包括由炉壳、保温砖炉壁、置于炉壁内的发热体、炉膛和炉门组成的加热炉,与加热炉电连接的温控装置,置于炉膛内的带密封盖的化料坩埚,以及坩埚支撑架,化料坩埚底部下部设置的与化料坩埚一体的下料管,下料...
晶体生长系统中的可旋转多坩埚支撑装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种晶体生长系统中的可旋转多坩埚支撑装置,它包括电源,升降电机,与升降电机连接的引下装置,与引下装置连接的升降台,以及位于升降台上的坩埚导向管支架和导向管支架上的坩埚导向管,其特征在于:每个导向管支架的下端设置有旋转轴,...
一种电阻加热垂直多坩埚晶体下降法生长系统技术方案
本发明涉及一种晶体生长装置,尤其是一种采用垂直多坩埚下降法生长晶体的装置。这种电阻加热垂直多坩埚下降晶体生长系统,包括晶体炉、坩埚、晶体台和温度控制装置。晶体炉炉体从外到内包括外壳、保温棉、保温砖层、耐火层、摩根砖、工字砖层和支撑架,其...
晶体生长原料处理方法技术
本发明公开了一种晶体生长原料的处理方法,特点是将原料按照比例称量,充分混合,加压5~20KPa成需要的形状,在800~1100℃温度下烧结;将烧结后的原料在有保护气的氛围下的化料坩埚中化料,然后在密闭环境中将熔化后的原料转入生长坩埚。本...
掺杂钨酸铅晶体的制备方法技术
本发明公开了一种掺杂钨酸铅晶体的制备方法,包括如下步骤:(1)将纯度为99.99%的PbO、WO↓[3]和掺杂剂固态粉末在150℃-200℃干燥,然后,PbO和WO↓[3]按照化学计量比称量,掺杂剂的摩尔浓度为0.01%-0.1%,称量...
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