江阴市赛贝克半导体科技有限公司专利技术

江阴市赛贝克半导体科技有限公司共有15项专利

  • 本实用新型公开了一种用于圆片挂镀的电镀挂架,所述电镀挂架包括表面绝缘的横支架和表面绝缘的纵支架,所述横支架的端部与所述纵支架连接,所述横支架上排列有导电卡槽,所述导电卡槽包括弧形的导电部和导电部两端的塑料卡扣,所述导电卡槽通过外表面绝缘...
  • 本实用新型公开了一种半导体热电芯片冷热冲击测试装置,包括散热平台、PLC控制器、温度传感器和触控模块,所述散热平台具有承托面,所述承托面上设置有石墨片,所述温度传感器用于检测待测芯片的温度,所述PLC控制器具有一对或多对输出电极以及一路...
  • 本实用新型公开了一种半导体制冷片引线焊接装置,所述引线焊接装置包括固定装置、旋转装置、预热装置和控制器,所述固定装置包括两个相对设置的固定板,所述固定板的内侧设置有预热装置,所述固定板的内侧设置有固定卡槽,所述旋转装置设置于所述固定装置...
  • 本实用新型公开了一种基于乳酸燃料的生物燃料电池,所述生物燃料电池包括一对相对设置的叉指电极,其中一个叉指电极包括PI基底、底层铜膜、金膜、阳极岛和阳极颗粒,另一个叉指电极包括PI基底、底层铜膜、金膜、阴极岛和阴极颗粒,其中底层铜膜为岛桥...
  • 本实用新型公开了一种石英管真空封管装置,包括石英管在线旋转真空抽取系统、石英管支撑平台和火焰枪固定支架,石英管在线旋转真空抽取系统包括机体外壳、真空泵和调速电机,机体外壳上设有一个或多个石英管真空接头,石英管的开口端接在石英管真空接头上...
  • 本实用新型公开了一种用于晶体垂直区熔的纵向振动机构及生长炉,纵向振动机构包括承载平台、仓壁振动器和减振连接装置,所述承载平台用于固定一根或多根装有待区熔材料的料管,所述承载平台设有一个或多个料管定位孔,所述料管定位孔用于调节料管的竖直位...
  • 本实用新型公开了一种气压自动校准设备的温度压力调节系统,所述温度压力调节系统包括密闭的空腔、温度调节系统、压力调节系统、散热系统控制器,所述空腔由至少四个侧壁围成,所述温度调节系统包括设置在所述侧壁外壁的半导体制冷单元,所述半导体制冷单...
  • 本实用新型公开了一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板及热电器件,DBC陶瓷基板包括直接键合铜基板、多壁碳纳米管层和铜膜,所述直接键合铜基板包括铜条和陶瓷板,所述铜条固定在所述陶瓷板上,所述铜条表面设有多个孔洞,所述孔洞包括亚微米孔洞和/或纳米...
  • 本实用新型公开了一种柔性半导体热电器材,包括第一基板、第二基板和多个半导体晶粒,第一基板包括第一PI膜和多根第一金属条,第一金属条矩阵排列在第一PI膜上,第二基板包括第二PI膜和多根第二金属条,第二金属条矩阵排列在第二PI膜上,第二PI...
  • 本发明公开了一种带应力驰豫的DBC陶瓷基板、热电器件及其制备方法,DBC陶瓷基板包括直接键合铜基板、多壁碳纳米管和铜膜,所述直接键合铜基板包括铜条和陶瓷板,所述铜条固定在所述陶瓷板上,所述铜条表面设有多个孔洞,所述孔洞包括亚微米孔洞和/...
  • 本发明公开了一种气压自动校准设备的温度压力调节系统,所述温度压力调节系统包括密闭的空腔、温度调节系统、压力调节系统、散热系统控制器,所述空腔由至少四个侧壁围成,所述温度调节系统包括设置在所述侧壁外壁的半导体制冷单元,所述半导体制冷单元根...
  • 本实用新型公开了一种热电材料的合成装置,包括炉体、支撑架、石英管装管装置、加热装置、驱动装置、传动装置;所述炉体的炉壁上设有炉口,所述炉口上设有可开合的炉盖;所述加热装置具有水平设置的加热腔,所述加热装置固定在所述炉体内部,且其加热腔的...
  • 本实用新型公开了一种垂直区熔合成热电材料的装置,包括炉体、振动器、加热体提升装置、PLC控制装置、第一限位部和第二限位部;所述炉体内设有加热体、圆环反射弧装置和保温隔热层,所述加热体为环状结构,所述圆环反射弧装置设置在所述加热体外侧,所...
  • 本实用新型公开了一种半导体制冷片的制备装置,包括设有多个第一基片定位区的基片定位载盘、SMT激光钢网、定位摆放颗粒驱动机构、颗粒摆放定位钢片及设有与第一基片定位区一一对应的第二基片定位区的重合基片定位板,SMT激光钢网用于分别为排布在基...
  • 本发明公开了一种区熔‑定向凝固炉及半导体热电材料的合成方法,合成方法包括:区熔‑定向凝固竖直区熔方法;启动加热体加热材料到设定温度;启动变频振动器调制熔体质量传输和热传递;调节加热体提升装置的移动速度和调节温度梯度;退火处理。本发明利用...
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