本发明提供了光伏边框技术领域的一种基于不饱和树脂的拉挤光伏边框生产方法，包括：步骤

本发明公开了一种密封组件和晶体生长设备，密封组件包括第一密封件和第二密封件，第一密封件适于密封连接于开孔的周壁，且第一密封件限定出插配腔和连通腔，连通腔的顶部敞开设置，连通腔的底部与开孔连通，插配腔为环形且环绕连通腔设置，插配腔的顶部敞...

本发明公开了一种顶盖组件、晶体生长设备及晶体生长方法，晶体生长设备具有盛放腔，顶盖组件盖设于盛放腔的顶部，且包括顶盖、搅动结构和籽晶安装结构，顶盖具有间隔设置的多个安装部，多个安装部包括第一安装部和第二安装部，搅动结构安装于第一安装部，...

本发明公开一种铁电单晶体薄片的制备方法及铁电单晶体薄片，涉及压电材料技术领域，本发明的制备方法包括：步骤一：将铁电单晶体切割成厚度为100μm以上的第一晶片；步骤二：将切割后的所述第一晶片放入第一溶液中清洗；所述第一溶液不与所述第一晶片...

本发明公开一种铁电单晶体复合薄片的制备方法及复合薄片，涉及压电材料技术领域，制备方法包括以下步骤：将铁电单晶体切割为第一晶块；将第一晶块放入第一溶液中清洗；将第一晶块放入模具中，模具为顶部开口的柱状体，模具内形成有容纳空间，将第一晶块间...

本发明公开一种判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法和检测装置，涉及晶体生长技术领域，判断方法包括：对<100>生长晶向的铸造单晶硅锭进行切割，切割方向垂直于铸造单晶硅锭的凝固方向，切割得到单晶样品；对单晶样品进...

本发明公开了一种晶体的切割方法和压电晶片，切割方法包括以下步骤：S1、将待切割晶体置于模具的灌胶空间内，灌胶空间的顶部形成有与灌胶空间连通的灌胶口；S2、向灌胶空间内灌胶，以使胶体填充在待切割晶体和灌胶空间的壁面之间，且胶体没过待切割晶...

本发明公开一种晶体生长装置和方法、KDP类晶体，晶体生长装置包括保温箱、第一水槽、第二水槽、生长室；保温箱限定出容纳腔；第一水槽、第二水槽和生长室设置在容纳腔中，第一水槽全部或部分包围在生长室的侧面；第二水槽设置在生长室的底部；第一水槽...

本发明公开一种晶体生长装置和晶体生长方法、TGS类晶体，晶体生长装置包括水槽、生长室、籽晶杆和籽晶；水槽为环形槽体，水槽全部或部分包围住生长室的侧部和底部；水槽的侧面和/或水槽的上端面设置进水口和出水口；生长室的上端面和/或水槽的上端面...

本发明公开了一种铸锭单晶硅块的质量判定方法和铸锭单晶硅块，其步骤包括：（1）将铸锭单晶硅块的头部统一去除30