本发明公开了一种电子显微镜自动对焦方法及装置，首先在镜头对焦的初始位置和初始位置前后另外两个位置分别采集图像，计算所采集图像各自对应的评价值，根据评价值对三个位置进行修正，再根据离焦分析法计算出粗调正焦位置；然后在粗调正焦位置和粗调正焦...

本发明公开了一种横向穿通型

本发明公开了一种高压缩率的图像压缩及解压缩方法，包括压缩过程和解压缩过程。本方法利用边缘同侧的相似性进行压缩和解压缩，在压缩时存储边缘信息和采样值，在解压缩时，对不含边缘的图像块进行一般的线性插值，对含有边缘的图像块则对边缘两侧分别根据...

本发明公开了一种深紫外发光二极管结构，针对AlGaN基深紫外发光二极管效率低的空穴注入和严重的电子泄露问题，基于铝镓合金相图对结构的p

本发明公开了一种集成双向TVS的CMOS器件及其制备方法，在CMOS工艺中集成双向TVS器件，可以不增加漏区离子注入横向长度，即漏区离子注入横向长度等于源区离子注入横向长度，当收到瞬态高能量冲击时，通过集成双向TVS器件结构由高阻抗变为...

本发明公开了一种兼容3D降噪的图像宽动态方法，针对影像的宽动态和3D降噪要求和实时显示的需要，考虑到宽动态多帧融合的信息冗余，采用长短帧间隔曝光和融合算法相结合总体思路，首先通过长短帧间隔曝光策略获取图像；然后将获取的图像映射为与前一帧...

本发明公开了一种兼顾图像降噪的彩色图像压缩方法、装置及电子设备，属于图像压缩领域，其中，方法包括：在YUV模型下对目标图像进行分割及划分，得到多个图像块的边缘像素点与平坦区域像素点，对边缘像素点与平坦区域像素点进行特征标定，结合二阶残差...

本发明公开了一种基于单帧曝光的彩色图像高动态成像的方法，本方法首先将彩色图像转化为YUV图像，通过Y通道调整图像整体的初始曝光度，接着通过YUV的Y通道权重关系判断此帧图像是处于特殊光照环境或者正常光照环境，不同环境使用不同的映射函数集...

本发明公开了一种适用于单调场景下的图像白平衡方法，包括：根据空间分割法判断待处理图像的整体颜色情况是否属于大面积的单色情况；通过空间距离法筛选出整幅图像像素相似度在90%以上的像素，然后分别计算筛选出像素的R、G、B三通道均值；根据所述...

本发明公开了一种高噪声图像边缘检测方法，首先对图像进行预处理；然后分别对R、G、B三个通道的图像进行处理，得到三张由方差引导的边缘图像；再分别对RG、GB、BR双通道图像进行处理，得到三张由协方差引导的边缘图像；最后将三张由方差引导的边...

本发明公开了一种Bayer域图像有损压缩方法，利用图像像素差分与图像区域特性的强烈关联性，通过对图像分块、逐块计算预测差分并分析差分特性，将图像差分值区分为边缘、角点区域与平坦区域，采取不同的编码模式进行差异化压缩编码。在具体编码模式中...

本发明公开了一种基于行曝光的单帧四曝光WDR处理方法，设置四种曝光模式，每种曝光模式分别对应有曝光时长信息和插值映射函数，采用行曝光获取单帧RAW格式图片，若物体在拍摄过程中发生了移动，则只需对每行像素位置进行平移与上一行像素对齐即可得...

本发明公开了一种单帧图片降噪并消除图片伪彩的方法，包括：步骤1：对单帧图片进行边缘检测；步骤2：对步骤1所得图片进行处理，得到学习步长矩阵；步骤3：对单帧图片的每个通道分别进行滤波，结合学习步长矩阵，得到单通道滤波修正值；步骤4：选取单...

本发明公开了一种车载影像的图像亮度自适应调节方法，先将图像均匀分割，根据分割后各区域的平均亮度值，将平均亮度值接近的相邻区域进行整合，根据整合后各区域的平均亮度值划分为高亮度区域或低亮度区域，分别对高亮度区域和低亮度区域的图像亮度进行自...

本发明公开了一种并行多尺度特征融合的卷积神经网络去噪方法，通过卷积神经网络对局部特征进行多尺度提取，在高层得到语义化程度比较高的特征之后，在此基础上对不同尺度下提取到的局部特征采取注意力机制引导的策略，然后和网络中的浅层特征融合，融合后...

本发明公开了一种用于半双工通信中快速恢复偏置电压的接收机，低噪音放大器、混频器、延迟电路、衰减电路、隔直电容、中频放大器、低通滤波器以及模数转换器依次连接，混频器的输出端还连接整流电路的输入端，整流电路的输出端连接调节电路的输入端，调节...

本发明公开了一种辅助驾驶摄像头坏点校正优化方法，包括坏点标定以及坏点校正。坏点标定包括：准备亮度值为0的极暗场景，亮度值为1的极亮场景以及亮度值位位于0~1之间的若干光线均匀的场景；在各单色场景下，由摄像头分别抓取得到Bayer格式的图...

本发明公开了一种SONOS存储器制作方法及存储器，由于选择管栅氧化层和ONO存储层底部的隧穿氧化层都是同种物质的氧化物，只是两者的厚度不一样，选择管栅氧化层比ONO存储层底部的隧穿氧化层厚，所以可以分别进行两次氧化物淀积，再进行热退火处...

本发明公开了一种相变存储器及其制作方法，器件包括衬底、衬底表面设有沟槽结构，在衬底表面设有隧穿层，隧穿层表面设有俘获层，俘获层为相变材料纳米晶粒化结构，俘获层上形成阻挡层，阻挡层将相变材料纳米晶粒化结构包裹住并相互隔开，阻挡层表面设有半...

本发明公开了一种含有场板的DMOS晶体管及其制作方法，通过在栅电极和源区之间增加U型场板并通过淀积金属形成场板电极，起到了调节场板电极的电位，避免了在大电压下，载流子通过氧化层质量缺陷隧穿进入栅电极，导致栅源导通。同时U型场板结构还可以...