江苏新广联科技股份有限公司专利

江苏新广联科技股份有限公司专利技术

江苏新广联科技股份有限公司共有140项专利

基于氮化镓材料的人体血糖测试芯片制造技术

本实用新型涉及一种基于氮化镓材料的人体血糖测试芯片，包括衬底，其特征是：在所述衬底的上表面生长形成U型氮化镓层，U型氮化镓层上表面生长形成铝镓氮层，铝镓氮层上表面生长U型氮化镓披覆层；所述U型氮化镓披覆层上设有源极和漏极，源极和漏极与U...

最后更新日期：2014-08-27 19:29 访问量：152
改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘制造技术

本实用新型涉及一种石墨盘，尤其是一种改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘，属于MOCVD用石墨盘的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述改善内圈波长均匀性及拉近各圈波长均值的石墨盘，包括盘体及设置于所述盘体内若干均匀分布的...

最后更新日期：2014-08-27 15:46 访问量：161
基于二维电子气的氢气传感器芯片制造技术

本实用新型涉及一种基于二维电子气的氢气传感器芯片，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面设置分隔的左芯片和右芯片，左芯片和右芯片分别包括设置在衬底上表面的GaN层，在GaN层上表面设置AlGaN层，在GaN层和AlGaN层之间形成二维电子...

最后更新日期：2014-08-27 14:53 访问量：189
用于光盘紫外固化的光源结构制造技术

本发明涉及一种用于光盘紫外固化的光源结构，其特征是：包括安装在水冷散热器的散热片上的光源，光源由多个大小相同的扇形LED紫外面光源模块组合而成圆环状，每个LED紫外面光源模块具有独立的电路输入口。所述圆环状光源的直径大于光盘的直径。所述...

最后更新日期：2014-08-08 06:06 访问量：152
减少GaN基垂直结构LED漏电的器件工艺制造技术

本发明提供一种减少GaN基垂直结构LED漏电的器件工艺，包括光刻外延晶圆，形成LED器件第一台面和第二台面；在LED器件侧壁形成钝化层；蒸镀p型反射欧姆电极及p型键合电极；在LED器件间的沟槽中制作侧壁缓冲保护结构；将导电基板与外延晶圆...

最后更新日期：2014-07-01 18:17 访问量：139
免封装型UVLED芯片制造技术

本发明涉及一种免封装型UVLED芯片，包括衬底，在衬底的正面依次设置N-GaN层、发光层、P-GaN层和反射层；其特征是：在所述反射层、P-GaN层和发光层中设置通孔，通孔由反射层延伸至发光层的底部，通孔与N-GaN层连通；在所述通孔中...

最后更新日期：2014-05-23 19:04 访问量：231
免封装UVLED固化光源模组制造技术

本发明涉及一种免封装UVLED固化光源模组，包括硅基板，其特征是：在所述硅基板的正面设置反射互联层，反射互联层的上表面设置若干组正负共晶层，每组正负共晶层均由P共晶电极和N共晶电极组成，在每组正负共晶层上设置LED芯片，LED芯片表面覆...

最后更新日期：2014-05-15 20:06 访问量：175
LED封装结构制造技术

本实用新型涉及一种LED封装结构，包括碗杯状支架，其特征是：在所述支架的碗杯底部设置反射固晶胶层，在反射固晶胶层上表面设置固晶胶，在固晶胶上粘接LED芯片；在所述反射固晶胶层中均匀分布若干硫酸钡颗粒。所述硫酸钡颗粒的直径为0.3～5μm...

最后更新日期：2014-05-11 05:00 访问量：128
可提高发光效率的外延PGaN层生长结构制造技术

本发明涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结...

最后更新日期：2014-05-07 15:18 访问量：639
GaN基UV探测传感器制造技术

本发明涉及一种GaN基UV探测传感器，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面依次设置U-GaN层、AlGaN层和N型GaN层，在N型GaN层上表面分别设置欧姆电极和肖特基电极。所述欧姆电极为Ti/Al/Ti/Au金属层。所述肖特基电极的材...

最后更新日期：2014-05-02 07:34 访问量：129
基于氮化镓材料的人体血糖测试芯片制造技术

本发明涉及一种基于氮化镓材料的人体血糖测试芯片，包括衬底，其特征是：在所述衬底的上表面生长形成U型氮化镓层，U型氮化镓层上表面生长形成铝镓氮层，铝镓氮层上表面生长U型氮化镓披覆层；所述U型氮化镓披覆层上设有源极和漏极，源极和漏极与U型氮...

最后更新日期：2014-05-02 01:09 访问量：272
表面贴装型食人鱼LED灯制造技术

本发明涉及一种表面贴装型食人鱼LED灯，包括支架，支架的上表面设置固晶盘，固晶盘上固定晶片，晶片分别和支架上部的打线盘通过导线连接，支架的上部、导线和晶片均由灌封胶包裹；所述支架的下部为两个支架管脚，支架管脚伸出灌封胶；其特征是：两个支...

最后更新日期：2014-05-01 22:05 访问量：135
图形化蓝宝石报废片再利用方法技术

本发明涉及一种图形化蓝宝石报废片再利用方法，属于蓝宝石衬底加工的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种图形化蓝宝石报废片再利用方法，所述图形化蓝宝石报废片再利用方法包括如下步骤：a、对报废的图形化蓝宝石衬底进行清洗，以去除图形化蓝宝石...

最后更新日期：2014-04-28 14:11 访问量：134
提高发光效率的LED芯片结构制造技术

本实用新型涉及一种提高发光效率的LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置N型氮化镓层，其特征是：在所述N型氮化镓层上表面设置量子阱，在量子阱上表面设置P型氮化镓层，在P型氮化镓层上表面设置第一金属膜，在第一金属膜上表面设置P电极，在P型氮化...

最后更新日期：2014-04-06 12:33 访问量：111
LED封装结构制造技术

本发明涉及一种LED封装结构，包括碗杯状支架，其特征是：在所述支架的碗杯底部设置反射固晶胶层，在反射固晶胶层上表面设置固晶胶，在固晶胶上粘接LED芯片；在所述反射固晶胶层中均匀分布若干硫酸钡颗粒。所述硫酸钡颗粒的直径为0.3～5μm，硫...

最后更新日期：2014-02-27 06:44 访问量：101
用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构制造技术

本实用新型涉及一种用于GaN基半导体LED芯片的绝缘结构，包括衬底，在衬底上设置多个发光单元，其特征是：所述发光单元之间由刻蚀形成的绝缘带分隔，在发光单元的表面和绝缘带的表面设置SiO2绝缘层；所述发光单元的P型金属电极和N型金属电极的...

最后更新日期：2014-02-15 12:48 访问量：91
基于二维电子气的氢气传感器芯片制造技术

本发明涉及一种基于二维电子气的氢气传感器芯片，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面设置分隔的左芯片和右芯片，左芯片和右芯片分别包括设置在衬底上表面的GaN层，在GaN层上表面设置AlGaN层，在GaN层和AlGaN层之间形成二维电子气；...

最后更新日期：2014-02-14 11:58 访问量：84
提高发光效率的LED芯片结构制造技术

本发明涉及一种提高发光效率的LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置N型氮化镓层，其特征是：在所述N型氮化镓层上表面设置量子阱，在量子阱上表面设置P型氮化镓层，在P型氮化镓层上表面设置第一金属膜，在第一金属膜上表面设置P电极，在P型氮化镓层...

最后更新日期：2014-01-23 03:20 访问量：110
基于二维电子气的可调式恒流管制造技术

本发明涉及一种基于二维电子气的可调式恒流管，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面设置GaN层，在GaN层上表面设置AlGaN层，在GaN层和AlGaN层之间形成二维电子气；在所述AlGaN层上表面分别设置漏极金属层、栅极金属层和源极金属...

最后更新日期：2014-01-23 03:18 访问量：154
LED球泡灯构件制造技术

本实用新型提供一种LED球泡灯构件，包括灯罩、散热器兼结构主体、LED光源板、灯头；所述散热器包括散热基座、散热叶片和中空管；所述灯罩的边缘与散热基座连接；LED光源板固定在散热基座上表面；中空管位于散热基座下方并与散热基座连接，中空管...

最后更新日期：2014-01-16 08:47 访问量：74

首页 << 1 2 3 4 5 6 7 >> 尾页

科研机构数量排行前10