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IQM芬兰有限公司专利技术
IQM芬兰有限公司共有36项专利
超导衬底穿孔制造技术
本发明涉及一种形成超导衬底穿孔的方法及一种包含运用所述方法形成的超导衬底穿孔的产品。所述方法允许形成衬底穿孔,所述衬底穿孔提供所述衬底的相对面之间的超导互连。所述方法包含在所述衬底中蚀刻一个或多个开口,经蚀刻开口从所述衬底的第一侧部分地...
用于竖直互连的电镀制造技术
本发明涉一种用于使用电镀来形成倒装芯片凸块的方法和产品以及其中用所述方法形成所述倒装芯片凸块的倒装芯片封装。所述方法允许以与可用于量子处理单元中的已经形成的敏感电子组件,例如约瑟夫森结兼容的方式形成倒装芯片凸块。装芯片凸块。装芯片凸块。
可调谐耗散电路以及在低温下进行频率移位的方法技术
本发明提出了一种可调谐耗散电路,用于在低温冷却的环境中使得射频信号或微波信号的频率移位。一个或多个耦合器(604,605,703)在传播路径(301,606)与可调谐谐振元件(401)以及可控耗散器元件(402,501,502)之间进行...
超导装置制造方法及图纸
本公开内容描述了一种超导装置,该超导装置包括延伸通过超导基层的沟槽和腔。沟槽穿过腔。超导装置还包括第一结层、绝缘层以及第二结层,第一结层从超导基层的第一区域延伸至腔,绝缘层在第一结层表面上,第二结层从超导基层的第二区域延伸至腔。第二结层...
量子处理单元制造技术
本发明总体上涉及量子计算领域,并且特别地涉及一种量子处理单元,所述量子处理单元包括基于相位偏置的线性和非线性感应能量元件的至少一个超导量子比特。跨线性和非线性感应能量元件的超导相位差例如通过外部磁场来偏置,使得线性和非线性感应能量元件的...
三维超导量子比特以及用于制造其的方法技术
一种三维超导量子比特包括:结构基部,其包括一种或多种绝缘材料;和在所述结构基部的表面上的超导图案。所述超导图案形成三维超导量子比特的至少电容部分和电感部分。所述结构基部的所述表面的第一表面限定第一平面,并且所述结构基部的所述表面的第二表...
量子比特读出制造技术
目的是提供一种用于量子比特读出的装置和一种量子计算系统。根据一个实施例,一种用于量子比特读出的装置(100)包括:至少一个量子比特(101);可控能量弛豫结构(102),其包括至少一个结,其中可控能量弛豫结构(102)耦合到至少一个量子...
约瑟夫逊结制造方法技术
本发明提供了约瑟夫逊结制造方法。本发明涉及约瑟夫逊结的制造。这样的约瑟夫逊结可能适合于在量子比特方面使用。使用毯式沉积形成高质量的可能的单晶电极和介电层;随后通过以下操作来形成多个约瑟夫逊结之一的结构:使用多光子光刻以在抗蚀剂中创建开口...
具有耦合扩展的可调谐耦合器制造技术
提供一种可调谐耦合器,用于与至少第一量子比特(801,1501)形成能够控制的耦合。它包括第一恒定耦合元件(803,1506)和可调谐耦合元件(804,1509)。所述第一恒定耦合元件(803,1506)在远离所述可调谐耦合元件(804...
量子处理单元和量子计算机制造技术
本实用新型总体上涉及量子计算领域,并且特别地涉及一种量子处理单元和量子计算机,所述量子处理单元包括基于相位偏置的线性和非线性感应能量元件的至少一个超导量子比特。跨线性和非线性感应能量元件的超导相位差例如通过外部磁场来偏置,使得线性和非线...
包括多个芯片的量子计算电路以及用于制造其的方法技术
量子计算电路包括第一芯片和第二芯片,第一芯片其上具有至少一个量子比特,第二芯片其上除了量子比特之外的至少具有其他量子电路元件。所述第一芯片和所述第二芯片以倒装芯片配置堆叠在一起,并且通过凸点结合附接到彼此,所述凸点结合包括结合凸点。所述...
量子比特泄漏错误减少制造技术
本发明提供一种用于减少量子计算系统中的量子比特泄漏错误的装置。根据一种实施例,用于减少量子比特泄漏错误的装置包括:能够选择性地彼此耦合的第一量子比特和第二量子比特。该装置还可包括第一能量耗散结构,其能够选择性地与第一量子比特耦合,其中第...
用于重置量子比特的方法和装置制造方法及图纸
为了重置量子比特,存在一个或多个量子电路致冷器,每个量子电路致冷器包括隧穿结和用于接收控制信号的控制输入。响应于控制信号发生光子辅助单电子隧穿过相应的隧穿结。量子比特与量子电路致冷器之间的电容耦合元件或电感耦合元件将每个量子比特耦合到量...
用于低温移频器的可调谐耗散电路制造技术
本实用新型提出了一种可调谐耗散电路,用于在低温冷却的环境中使得射频信号或微波信号的频率移位。一个或多个耦合器(604,605,703)在传播路径(301,606)与可调谐谐振元件(401)以及可控耗散器元件(402,501,502)之间...
量子比特的选择性频率移位制造技术
本发明提供一种量子计算系统和装置,用于在量子计算系统中选择性地移位量子比特谐振频率。根据一种实施例,用于在量子计算系统中选择性地移位量子比特谐振频率的装置包括:多个量子比特,其至少包括第一量子比特和第二量子比特;多个耦合控制谐振器,其至...
三维超导量子比特和量子计算电路制造技术
一种三维超导量子比特包括:结构基部,其包括一种或多种绝缘材料;和在所述结构基部的表面上的超导图案。所述超导图案形成三维超导量子比特的至少电容部分和电感部分。所述结构基部的所述表面的第一表面限定第一平面,并且所述结构基部的所述表面的第二表...
可调谐耦合器及其量子计算电路制造技术
提供一种可调谐耦合器,用于与至少第一量子比特(801,1501)形成能够控制的耦合。它包括第一恒定耦合元件(803,1506)和可调谐耦合元件(804,1509)。所述第一恒定耦合元件(803,1506)在远离所述可调谐耦合元件(804...
用于量子比特读出的装置和量子计算系统制造方法及图纸
目的是提供一种用于量子比特读出的装置和一种量子计算系统。根据一个实施例,一种用于量子比特读出的装置(100)包括:至少一个量子比特(101);可控能量弛豫结构(102),其包括至少一个结,其中可控能量弛豫结构(102)耦合到至少一个量子...
低温集成电路、集成模块以及产生和检测信号的装置制造方法及图纸
低温集成电路或集成模块(1201)包括行波参数放大器或约瑟夫逊参数放大器(1001)。振荡器(1004)配置为产生振荡驱动信号,并且将所述振荡驱动信号耦合到所述放大器中。信号输入(1203)将输入信号耦合到所述放大器中。偏置输入(120...
低温条件下处理和测量敏感样品的样品池制造技术
一种样品池,其提供用于保持将被置于低温冷却环境中的样品。样品池包括气密的、可打开和可关闭的外壳(101)。在所述外壳内是用于接收样品的样品基座(102)。制冷附件(103)设置用于将样品池附接到低温冷却环境的制冷体。样品池包括在样品基座...
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