【技术实现步骤摘要】
用于低温移频器的可调谐耗散电路
[0001]本技术通常涉及电路QED,即电路中的量子电动力学。特别地,本技术涉及可控地改变在打算用于低温电子器件中的电路中传播的射频或微波信号的频率。
技术介绍
[0002]在低温电子器件中,出于许多目的,需要精确调谐的射频或微波信号,包括但不限于控制电路元件的操作和读取量子处理电路中的量子位状态。属性“低温”是指电子器件的所需操作温度。它例如可以与所涉及的超导体材料的临界温度有关,或者取决于与所涉及的量子电子部件的量子能等级相比的热能等级。准确地改变频率可以涉及例如在中心频率附近执行频率调制或例如在依赖频率复用的系统中提供频率切换。
[0003]在期望的频率上产生振荡信号的传统方法是使用混频器,但是它们固有缺点是汇产生不想要的边带信号。在低温电子器件中,最重要的电路位于低温冷却的环境中这一事实会带来额外的困难。在周围的室温环境和低温冷却的环境之间传递微波信号比使用低频或DC信号更为复杂,因此如果仅在低温冷却的环境内就可以创建和处理所需的处于微调频率的微波信号,则其将是更加有利的。r/>
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可调谐耗散电路,用于在低温冷却的环境中使得射频信号或微波信号的频率移位,其特征在于:可调谐耗散电路包括:一个或多个耦合器(604,605,703),用于对所述射频信号或微波信号的传播路径(301,606)进行相应的一个或多个耦合;可调谐谐振元件(401),其通过所述一个或多个耦合器(604,605,703)中的至少一个耦合到所述传播路径(301,606);可控耗散器元件(402,501,502),其通过所述一个或多个耦合器(604,605,703)中的至少一个耦合到所述传播路径(301,606);
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到所述可调谐谐振元件(401)的第一控制输入(403),用于利用耦合到所述第一控制输入(403)的第一控制信号来改变所述可调谐谐振元件(401)的谐振频率;
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到所述可控耗散器元件(402,501,502)的第二控制输入(404,503),用于利用耦合到所述第二控制输入(404,503)的第二控制信号来改变所述可调谐耗散电路的阻尼率。2.根据权利要求1所述的可调谐耗散电路,其特征在于:可调谐谐振元件(401)和可控耗散器元件(402,501,502)是相同的电路元件(302),通过所述一个或多个耦合器(604,605,703)中的至少一个耦合到所述传播路径(301,606)。3.根据权利要求1所述的可调谐耗散电路,其特征在于:可调谐谐振元件(401)和可控耗散器元件(402)构成串联,其中所述一个或多个耦合器中的一个耦合器(604)将可调谐谐振元件(401)耦合到所述传播路径(301,606),并且所述一个或多个耦合器中的另一个耦合器(605)将可控耗散器元件(402)耦合到所述可调谐谐振元件(401)。4.根据权利要求1所述的可调谐耗散电路,其特征在于:可控耗散器元件包括恒定耗散器(501)...
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