本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该方法包括提供一衬底；在衬底的第一表面形成发光结构；在衬底的第二表面形成图形化的分布式布拉格反射层，分布式布拉格反射层对目标波长范围的光的反射率大于90％，目标波长范...

本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该芯片包括：外延叠层、第一电极和第三电极；外延叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，外延叠层中具有从第二半导体层的表面延伸至第一半导体层的凹槽；第一电极位于...

本公开提供了一种改善保护层的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的外延层和保护层，所述保护层包括层叠在所述外延层上的第一子层，所述第一子层包括依次层叠的多个氧化铝层，从所述保护层远离所述外延层的一侧至...

本公开提供了一种表面缺陷分类方法及装置、设备及存储介质，所述方法包括：获取外延片表面的光致发光参数，所述光致发光参数包括多个测试位置处，所述外延片在光的照射下发出的光的主波长；获取第一矩阵，所述第一矩阵中的每个元素用于存储与元素位置对应...

本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括衬底、反射层、复合电流阻挡结构、第一电极和第二电极，复合电流阻挡结构位于第二半导体层的远离衬底的表面；第二电极位于复合电流阻挡结构上并与第二半导体...

本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括：依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，以及PV钝化层、第一电极、第二电极、第一电极焊盘和第二电极焊盘；所述第一电极位于所述第一半导体层表面，所述第二电极位于所述第二半导...