【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)因具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，目前已经被广泛应用于背光、照明、景观等各个光源领域。
2、相关技术中，在衬底的正面形成多个发光结构后，在衬底的背面形成一整层的分布式布拉格反射(distributed bragg reflection，dbr)层，划片机照明光源从背面透过dbr层照射发光结构，电感耦合器件(charge coupled device，ccd)相机从正面接收划片机照明光源的光以识别发光结构图形，然后采用激光从背面划裂得到led芯片。
3、然而，划片机照明光源通常采用波长为850nm的光源，为了不影响led芯片的划裂，dbr层对划片机照明光源的波长附近的光的反射率需要保持在较低范围，使得划片机照明光源的光能够透过dbr层被对位ccd相机接收。由于led的发光波长范围与划片机照明光源波长附近的波长范围可能存在重叠的范围，因此dbr层对划片机照明光源波长附近的光的反射率低会导致led的发光效率降低。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，能提高led的发光效率。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种发光二极管芯片的制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述衬底的第一表面形成发光结构；在所述衬底的第二表面形成图形化的分布式布
3、可选地，所述方法还包括：在所述发光结构(20)的远离所述衬底(10)的表面形成至少两个对位标记(30)，所述在所述衬底的第二表面形成图形化的分布式布拉格反射层，包括：在所述衬底的第二表面涂覆一层光刻胶材料；在第一掩膜板的遮挡下，对所述光刻胶材料进行曝光，所述第一掩膜板上设有至少两个套准标记，所述至少两个套准标记与所述至少两个对位标记对准；对曝光后的所述光刻胶材料进行显影，得到第一光刻图形，所述第一光刻图形为凸起且所述第一光刻图形在所述衬底上的正投影与所述切割道在所述衬底上的正投影完全重合；在所述衬底的第二表面蒸镀分布式布拉格反射层；去除所述第一光刻图形和所述第一光刻图形上的分布式布拉格反射层，得到所述图形化的分布式布拉格反射层。
4、可选地，所述对位标记为凹陷状标记。
5、可选地，所述在所述发光结构的远离所述衬底的表面形成至少两个对位标记，包括：在所述发光结构的远离所述衬底的表面涂覆一层光刻胶材料；在第二掩膜板的遮挡下，对所述光刻胶材料进行曝光；对曝光后的所述光刻胶材料进行显影，得到第二光刻图形，所述第二光刻图形中光刻胶去除区域在所述衬底上的正投影与所述至少两个对位标记在所述衬底上的正投影完全重合；刻蚀所述发光结构的远离所述衬底的表面，以在所述发光结构的远离所述衬底的表面形成所述至少两个对位标记；去除所述第二光刻图形。
6、可选地，所述对位标记为凹陷状标记，所述对位标记的深度大于所述发光结构的厚度，并且所述对位标记的深度等于或者小于所述衬底的厚度与所述发光结构的厚度之和。
7、可选地，所述对位标记在所述衬底上的正投影为十字形、圆形或者多边形。
8、可选地，所述至少两个对位标记的形状相同或者不同。
9、可选地，所述图形化的分布式布拉格反射层包括阵列布置的至少两个长方体状的分布式布拉格反射层。
10、另一方面，提供了一种发光二极管芯片，包括衬底、发光结构和分布式布拉格反射层，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述发光结构位于所述衬底的第一表面，所述分布式布拉格反射层位于所述衬底的第二表面，所述分布式布拉格反射层对目标波长范围的光的反射率大于90％，所述目标波长范围为390nm至1000nm。
11、可选地，所述分布式布拉格反射层包括多对交替层叠的高折射率层和低折射率层，所述高折射率层为tio2、zns、znse、ta2o5、hfo2或zro2层，所述低折射率层为sio2、mgf2、alf3、na3alf6或baf2层。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
13、本公开实施例中，通过在衬底的第二表面形成图形化的分布式布拉格反射层，图形化的dbr层中具有切割道，沿切割道进行划裂，即可得到发光结构与图形化的dbr层对应的led芯片。由于可以直接根据切割道来划裂得到led芯片，因此无需使用划片机照明光源识别发光结构图形，即无需限制dbr层对led的发光波长中部分波长范围的光的反射率在较低范围，dbr层对波长范围为390nm至1000nm的光的反射率大于90％，从而可以提高led的发光效率。
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1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述发光结构(20)的远离所述衬底(10)的表面形成至少两个对位标记(30)，
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述对位标记(30)为凹陷状标记。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述发光结构(20)的远离所述衬底(10)的表面形成至少两个对位标记(30)，包括：
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述对位标记(30)为凹陷状标记，所述对位标记(30)的深度大于所述发光结构(20)的厚度，并且所述对位标记(30)的深度等于或者小于所述衬底(10)的厚度与所述发光结构(20)的厚度之和。
6.根据权利要求1至5所述的制作方法，其特征在于，所述对位标记(30)在所述衬底(10)上的正投影为十字形、圆形或者多边形。
7.根据权利要求1至5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述至少两个对位标记(30)的形状相同或者不同。
8.根据权利要求1至5
9.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括衬底(10)、发光结构(20)和分布式布拉格反射层(40)，
10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述分布式布拉格反射层(40)包括多对交替层叠的高折射率层和低折射率层，所述高折射率层为TiO2、ZnS、ZnSe、Ta2O5、HfO2或ZrO2层，所述低折射率层为SiO2、MgF2、AlF3、Na3AlF6或BaF2层。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述发光结构(20)的远离所述衬底(10)的表面形成至少两个对位标记(30)，
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述对位标记(30)为凹陷状标记。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述发光结构(20)的远离所述衬底(10)的表面形成至少两个对位标记(30)，包括：
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述对位标记(30)为凹陷状标记，所述对位标记(30)的深度大于所述发光结构(20)的厚度，并且所述对位标记(30)的深度等于或者小于所述衬底(10)的厚度与所述发光结构(20)的厚度之和。
6.根据权利要求1至5所述的制作方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝亚磊，韩艺蕃，陈沛然，江平，王绘凝，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电广东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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